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          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種信息處理系統(tǒng)、信息處理方法及程序產(chǎn)品,所述信息處理系統(tǒng)構(gòu)成為通過(guò)在網(wǎng)頁(yè)中的規(guī)定標(biāo)簽內(nèi)設(shè)定文件名而自動(dòng)開(kāi)始具有該文件名的文件的上傳處理,其具備處理器,所述處理器在所述規(guī)定標(biāo)簽被選擇之后接受對(duì)文件進(jìn)行生成的指示,響應(yīng)檢測(cè)到根據(jù)所...
          • 本發(fā)明提供了一種堿性磷酸酶抗體;所述堿性磷酸酶抗體為抗堿性磷酸酶單克隆抗體,氨基酸序列如SEQ ID NO.9~14任一所示。本發(fā)明還提供了上述堿性磷酸酶抗體在制備化學(xué)發(fā)光檢測(cè)試劑盒中的應(yīng)用以及一種化學(xué)發(fā)光檢測(cè)試劑盒。本發(fā)明抗體無(wú)需額外的化...
          • 一種城市街景信息檢索方法,包括以下步驟:S100、街景數(shù)據(jù)獲取,通過(guò)谷歌地圖API接口,獲取一城市全城街景圖像信息及其所對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)緯度信息;S200、街景圖像視覺(jué)特征提取與量化,對(duì)街景圖像的視覺(jué)特征進(jìn)行多維度提取與量化分析,構(gòu)建綜合視覺(jué)表...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N參數(shù)辨識(shí)方法、電池狀態(tài)估計(jì)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),涉及儲(chǔ)能技術(shù);其中,參數(shù)辨識(shí)方法包括:確定待估計(jì)電池的電池模型及電池模型包含的待辨識(shí)參數(shù);采用改進(jìn)郊狼優(yōu)化算法對(duì)電池模型進(jìn)行參數(shù)辨識(shí),得到待辨識(shí)參數(shù)的目標(biāo)取值;改進(jìn)郊狼優(yōu)化算法...
          • 本申請(qǐng)涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,提供一種傳感器組件、電池、電池包及用電設(shè)備,傳感器組件包括傳感器、引出線以及信號(hào)解析傳輸板;傳感器包括:傳感器本體以及設(shè)置于傳感器本體上的至少一個(gè)檢測(cè)點(diǎn);檢測(cè)點(diǎn)與引出線的第一端電連接,引出線的第二端與信號(hào)解析傳輸板電...
          • 根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式,一種半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體襯底;設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的層間絕緣膜;設(shè)置在所述層間絕緣膜上的第一電極;設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底下的第二電極;多個(gè)柵極區(qū)域,在第一方向上從所述層間絕緣膜延伸以到達(dá)所述半導(dǎo)體襯底,所述第一方向是所述半...
          • 本發(fā)明提供一種能夠防止水分向?qū)盈B體的內(nèi)部浸入的層疊陶瓷電容器。層疊陶瓷電容器(1)具備:層疊體(2),具有層疊了多個(gè)電介質(zhì)層(4)和多個(gè)內(nèi)部電極層(5)的內(nèi)層部(6)、在層疊方向上相對(duì)的兩個(gè)主面(A)、在與層疊方向交叉的寬度方向上相對(duì)的兩個(gè)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種融合Transformer模型的城市多模式混合道路網(wǎng)分解與分類(lèi)預(yù)測(cè)裝置。該方法綜合運(yùn)用了經(jīng)典的地理學(xué)分區(qū)分層思想,通過(guò)地理空間與地物屬性兩個(gè)維度,顯著提升道路網(wǎng)模式分解的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性。同時(shí),通過(guò)自主研發(fā)的特征向量提取算法,...
          • 本發(fā)明創(chuàng)新性地提出了一種基于圖注意力網(wǎng)絡(luò)(GAT)與Transformer模型的居民地形狀分類(lèi)方法及系統(tǒng)。包括:讀取Shapefile格式的地理數(shù)據(jù)文件,提取多邊形的節(jié)點(diǎn)特征和全局特征;提取的特征進(jìn)行均值和方差標(biāo)準(zhǔn)化后,隨機(jī)分配到訓(xùn)練集、驗(yàn)...
          • 本申請(qǐng)涉及一種橋梁柱墩鋼板樁圍堰結(jié)構(gòu),屬于橋梁工程的領(lǐng)域,其包括外圍樁板和內(nèi)圍樁板,所述內(nèi)圍樁板位于外圍樁板的內(nèi)側(cè),所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板的板面均為豎直方向,所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板之間形成有均勻間隙,還包括斜撐樁體,所述斜撐樁體的長(zhǎng)度方向相...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種節(jié)能型MnCr系冷鍛鋼,其含有Fe和不可避免的雜質(zhì),其還含有質(zhì)量百分含量如下的下述各化學(xué)元素:C:0.16~0.19%、Si:0.10~0.30%、Mn:1.0~1.3%、Cr:0.80~1.10%、S:0.01~0.02%...
          • 提供了顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包括:顯示面板,該顯示面板包括像素;以及顯示面板驅(qū)動(dòng)器,該顯示面板驅(qū)動(dòng)器在活動(dòng)時(shí)段中通過(guò)數(shù)據(jù)線將活動(dòng)數(shù)據(jù)電壓提供到像素,并且在消隱時(shí)段中將消隱數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線,像素包括:發(fā)光元件;第一晶體管,該第一晶體管將驅(qū)動(dòng)電...
          • 提供了輸出控制電路、柵極發(fā)射驅(qū)動(dòng)器、顯示裝置和電子設(shè)備。輸出控制電路可包括配置為將發(fā)射信號(hào)轉(zhuǎn)換為反相發(fā)射信號(hào)的反相器電路和配置為基于使能信號(hào)、發(fā)射信號(hào)和反相發(fā)射信號(hào)來(lái)生成輸出控制信號(hào)的輸出確定電路。
          • 本發(fā)明涉及在數(shù)據(jù)保護(hù)期間使用更改塊列表構(gòu)建潛在受感染文件列表。一個(gè)示例方法包括:創(chuàng)建或訪問(wèn)目錄文件列表,所述目錄文件列表包括文件列表,并且對(duì)于每個(gè)文件,還包括所述文件的相應(yīng)塊列表;識(shí)別自所述文件的先前備份以來(lái)任何已更改的塊;將所述目錄文件列...
          • 本發(fā)明提供一種開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu),適用于雙層光罩容器的內(nèi)盒基座。開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu)與內(nèi)盒基座之間建立一靜電消散導(dǎo)通路徑的開(kāi)關(guān),當(dāng)開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu)的支撐件受到光罩下壓并接觸到內(nèi)盒基座的瞬間,即開(kāi)啟靜電消散導(dǎo)通路徑,使光罩正面所累積靜電荷進(jìn)行導(dǎo)通消散。反...
          • 本公開(kāi)涉及一種車(chē)門(mén)控制裝置。多個(gè)檢測(cè)區(qū)域被布置在車(chē)廂中包括門(mén)口和與門(mén)口相鄰的部分的范圍內(nèi)。當(dāng)檢測(cè)單元檢測(cè)到在多個(gè)檢測(cè)區(qū)域中的最靠近門(mén)口的特定檢測(cè)區(qū)域中存在乘員時(shí),控制單元執(zhí)行防止乘員與門(mén)之間的接觸的接觸防止控制,使得門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉速度低于當(dāng)...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了容器化環(huán)境中用于透明快照數(shù)據(jù)保護(hù)的存儲(chǔ)無(wú)關(guān)數(shù)據(jù)路徑攔截。被配置為執(zhí)行諸如數(shù)據(jù)保護(hù)操作之類(lèi)的操作的保護(hù)容器被封裝為設(shè)備接口。作為操作對(duì)象的主應(yīng)用程序的配置被改變?yōu)橹赶虮Wo(hù)容器的設(shè)備接口。這允許保護(hù)容器位于主容器和所分配的存儲(chǔ)器之間...
          • 本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件。一種保護(hù)單元具有由多個(gè)第一MISFET構(gòu)成的第一MISFET組和由多個(gè)第二MISFET構(gòu)成的第二MISFET組。第一MISFET組和第二MISFET組彼此分開(kāi)設(shè)置。第一MISFET組電連接到第一電源布線組和第一接地布線...
          • 一種MOS晶體管的制造方法,其具備:在將SiC基板加熱至1200℃以上的溫度的狀態(tài)下通過(guò)氫氣對(duì)所述SiC基板的表面進(jìn)行蝕刻的工序;在實(shí)施了采用氫氣的所述蝕刻后在所述SiC基板的所述表面上形成無(wú)定形硅層的工序;通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在所述無(wú)定形硅...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極片、電池和用電設(shè)備。涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。正極片包括集流體、導(dǎo)電涂層、第一補(bǔ)鋰層、活性材料層和第二補(bǔ)鋰層。第一補(bǔ)鋰層設(shè)置于集流體厚度方向的至少一側(cè)。活性材料層設(shè)置于第一補(bǔ)鋰層背離集流體方向的一側(cè)。第二補(bǔ)鋰層設(shè)置于活性材料層背...
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