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								      本申請公開一種語音降噪方法及相關裝置，應用于人工智能等場景。方法包括：在提取目標帶噪語音在預設尺度下的多個預設語音幀對應的多個預設時頻特征的基礎上；按照小于預設尺度、不同尺度的多個目標尺度分幀每個預設語音幀，得到每個預設語音幀在多個目標尺度...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種語音去噪方法、裝置、計算機設備、可讀存儲介質及程序產(chǎn)品。本申請可以獲取樣本語音信號對，語音信號樣本對包括含噪語音信號和無噪語音信號；對樣本語音信號對進行時頻轉換，得到樣本頻域特征；通過噪聲識別模型對樣本頻域特征進行噪聲識別，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統(tǒng)及電子系統(tǒng)。該方法包括：獲取數(shù)據(jù)輸出命令；響應于數(shù)據(jù)輸出命令，利用多個存儲面各自對應的電荷泵單元將多個存儲面各自對應的全部字線上的電壓提升至導通電壓，以完成多個存儲面的預充電；其中，數(shù)據(jù)輸出...
								
            
							
            
							
						
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								      一種分子結構生成模型的訓練方法、裝置、設備及存儲介質，涉及人工智能技術領域。該方法包括：獲取第一訓練樣本，第一訓練樣本包括第一加噪點云；通過分子結構生成模型對第一加噪點云去噪，得到第一去噪點云；基于第一去噪點云中的各個原子的位置，確定分子結...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了CVD金剛石晶格尺寸預測方法、裝置、設備和存儲介質，所述方法包括步驟：取包含有多種已知晶格尺寸大小的CVD金剛石的信息數(shù)據(jù)，并根據(jù)信息數(shù)據(jù)生成紫外拉曼光譜數(shù)據(jù)庫；以信息數(shù)據(jù)為訓練數(shù)據(jù)，通過卷積神經(jīng)網(wǎng)絡進行訓練，以獲取紫外拉曼光譜...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種下電極組件及等離子體處理裝置，其中所述下電極組件包括：靜電卡盤，用于在等離子體處理裝置的反應腔中支撐待處理基片；若干個氣體傳輸通道，其貫穿所述靜電卡盤設置；每個所述氣體傳輸通道包括相互連通的第一通氣孔、第二通氣孔和第一安裝槽...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種工藝腔室及半導體設備，屬于半導體加工技術領域。所公開的半導體設備包括工藝腔室，工藝腔室包括腔室本體以及設于腔室本體內的安裝件、加熱燈和基座；其中，安裝件與腔室本體的內壁相連，加熱燈通過安裝件固定于腔室本體內、并與安裝件活動連...
								
            
							
            
							
						
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								      一種將微導電柱體置入微孔的方法，其包括：提供基板，基板具有多個微孔，微孔的深度與孔徑的比例范圍為0.5至12。置放多個微導電柱體于多個微孔的上方，每一微導電柱體具有磁性。提供磁力于基板的下方，每一微導電柱體朝向基板的方向受磁力吸引。以水平方...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝結構及電子設備，涉及封裝技術領域，能夠解決因連接器的設置而導致轉接板的面積增大的問題。該芯片封裝結構包括轉接板、至少一個第一芯片、至少一個第二芯片、支撐結構、連接器。第一芯片設置在轉接板的正面、并與轉接板電連接。第二芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體封裝結構及其制備方法、存儲系統(tǒng)。該半導體封裝結構包括：基板；半導體堆疊結構，包括多個沿第一方向依次堆疊于所述基板一側的半導體結構；以及熱管結構，其至少一部分位于最靠近所述基板的所述半導體結構中，至少另外一部分沿所述第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種工藝監(jiān)測系統(tǒng)，屬于芯片工藝監(jiān)測領域。本申請?zhí)峁┑墓に嚤O(jiān)測系統(tǒng)包括：設置在芯片的目標區(qū)域的工藝監(jiān)測單元，包括基本單元為與非門電路的第一環(huán)形振蕩器，以及基本單元為或非門電路的第二環(huán)形振蕩器；與第一環(huán)形振蕩器和第二環(huán)形振蕩器的輸出...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種復合正極片及其制備方法、鈉離子電池，涉及電池技術領域。本發(fā)明提供的復合正極片，包括集流體和涂布于集流體上的正極活性物質層；正極活性物質層包括正極主材、導電劑和粘結劑正極主材包括復合磷酸鐵鈉和O3相層狀氧化物；復合磷酸鐵鈉和O...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種負極極片及其制備方法、電池、用電設備。一種負極極片，負極極片包括：負極集流體以及鋰金屬層。負極集流體具有第一表面和相對的第二表面；鋰金屬層負載在負極集流體的第一表面和第二表面。上述技術方案，在負極集流體的表面負載鋰金屬作為負極...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種高比例活性物質負極漿料及其制備方法與應用。本發(fā)明提供的負極漿料包括活性物質、導電劑和復合粘結劑；所述復合粘結劑由羧甲基纖維素鈉、丁苯橡膠乳液和聚丙烯酸類粘結劑按照質量比1：(1.5?2)：(1.5?2)組成。本發(fā)明通過添加聚...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種氫耗的確定方法、裝置及電子設備。其中，該方法包括：確定預定時間段內第一氫氣的第一消耗量，以及，第二氫氣在預定時間段內的多個時間間隔分別對應的第二消耗量，其中，第一氫氣為儲氫系統(tǒng)中存儲的氫氣，第二氫氣為被轉化為電能消耗的氫氣；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種儲氫系統(tǒng)下線后的加氫控制方法和電子設備，涉及加氫控制的技術領域，包括：獲取儲氫系統(tǒng)的壓力檢測值；若檢測到儲氫系統(tǒng)的高壓壓力低于第一預設壓力閾值且高于第二預設壓力閾值，并且，儲氫系統(tǒng)的中壓壓力低于第三預設壓力閾值，則儲氫系統(tǒng)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提出了一種檢測燃料電池的水含量的方法。該方法包括如下步驟：測量燃料電池的電壓信號；對測量的電壓信號進行處理，以提取電壓波動信號的一階分量；以及基于提取的電壓波動信號的一階分量和預先確定的燃料電池的電壓波動信號的一階分量與水含量之間的映...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及電池領域，提供一種電解液添加劑及電解液和電池。所述電解液添加劑包括硅氧烷類化合物、碳酸亞乙烯酯和氟代碳酸乙烯酯，所述硅氧烷類化合物為式1所示化合物中的至少一種，式1中，m表示1～12中的任意整數(shù)，R1、R
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種可堆疊電池包及其控制裝置、儲能系統(tǒng)以及電器設備，所述裝置應用于儲能系統(tǒng)中，儲能系統(tǒng)至少包括層疊的第一電池包和第二電池包，第一電池包包括第一控制裝置，第二電池包包括與第一控制裝置結構相同的第二控制裝置，第一控制裝置包括：第一識...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電池包層疊位置識別裝置、電池包、儲能系統(tǒng)及電器設備，該裝置應用于儲能系統(tǒng)中，儲能系統(tǒng)至少包括第一電池包和第二電池包，第一電池包包括第一識別裝置，第二電池包包括與第一識別裝置結構相同的第二識別裝置，第一識別裝置包括：第一識別電...
								
            
							
            
							
						
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