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								      一種車門控制裝置，其用于車輛，車輛包括出入口、打開和關閉出入口的門以及后座椅，車門控制裝置通過控制驅動源的致動來驅動門的打開和關閉操作。車門控制裝置包括判定單元和控制單元。判定單元判定車廂內(nèi)是否有兒童乘員。當判定單元判定有兒童乘員時，控制單...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種信息處理系統(tǒng)、信息處理方法及程序產(chǎn)品，所述信息處理系統(tǒng)構成為通過在網(wǎng)頁中的規(guī)定標簽內(nèi)設定文件名而自動開始具有該文件名的文件的上傳處理，其具備處理器，所述處理器在所述規(guī)定標簽被選擇之后接受對文件進行生成的指示，響應檢測到根據(jù)所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種堿性磷酸酶抗體；所述堿性磷酸酶抗體為抗堿性磷酸酶單克隆抗體，氨基酸序列如SEQ ID NO.9～14任一所示。本發(fā)明還提供了上述堿性磷酸酶抗體在制備化學發(fā)光檢測試劑盒中的應用以及一種化學發(fā)光檢測試劑盒。本發(fā)明抗體無需額外的化...
								
            
							
            
							
						
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								      一種城市街景信息檢索方法，包括以下步驟：S100、街景數(shù)據(jù)獲取，通過谷歌地圖API接口，獲取一城市全城街景圖像信息及其所對應的地理經(jīng)緯度信息；S200、街景圖像視覺特征提取與量化，對街景圖像的視覺特征進行多維度提取與量化分析，構建綜合視覺表...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N參數(shù)辨識方法、電池狀態(tài)估計方法、裝置、設備及介質，涉及儲能技術；其中，參數(shù)辨識方法包括：確定待估計電池的電池模型及電池模型包含的待辨識參數(shù)；采用改進郊狼優(yōu)化算法對電池模型進行參數(shù)辨識，得到待辨識參數(shù)的目標取值；改進郊狼優(yōu)化算法...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及電池技術領域，提供一種傳感器組件、電池、電池包及用電設備，傳感器組件包括傳感器、引出線以及信號解析傳輸板；傳感器包括：傳感器本體以及設置于傳感器本體上的至少一個檢測點；檢測點與引出線的第一端電連接，引出線的第二端與信號解析傳輸板電...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)一個實施方式，一種半導體裝置包括半導體襯底；設置在所述半導體襯底上的層間絕緣膜；設置在所述層間絕緣膜上的第一電極；設置在所述半導體襯底下的第二電極；多個柵極區(qū)域，在第一方向上從所述層間絕緣膜延伸以到達所述半導體襯底，所述第一方向是所述半...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種能夠防止水分向層疊體的內(nèi)部浸入的層疊陶瓷電容器。層疊陶瓷電容器（1）具備：層疊體（2），具有層疊了多個電介質層（4）和多個內(nèi)部電極層（5）的內(nèi)層部（6）、在層疊方向上相對的兩個主面（A）、在與層疊方向交叉的寬度方向上相對的兩個...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種融合Transformer模型的城市多模式混合道路網(wǎng)分解與分類預測裝置。該方法綜合運用了經(jīng)典的地理學分區(qū)分層思想，通過地理空間與地物屬性兩個維度，顯著提升道路網(wǎng)模式分解的準確性與穩(wěn)定性。同時，通過自主研發(fā)的特征向量提取算法，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明創(chuàng)新性地提出了一種基于圖注意力網(wǎng)絡（GAT）與Transformer模型的居民地形狀分類方法及系統(tǒng)。包括：讀取Shapefile格式的地理數(shù)據(jù)文件，提取多邊形的節(jié)點特征和全局特征；提取的特征進行均值和方差標準化后，隨機分配到訓練集、驗...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種橋梁柱墩鋼板樁圍堰結構，屬于橋梁工程的領域，其包括外圍樁板和內(nèi)圍樁板，所述內(nèi)圍樁板位于外圍樁板的內(nèi)側，所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板的板面均為豎直方向，所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板之間形成有均勻間隙，還包括斜撐樁體，所述斜撐樁體的長度方向相...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種節(jié)能型MnCr系冷鍛鋼，其含有Fe和不可避免的雜質，其還含有質量百分含量如下的下述各化學元素：C：0.16～0.19％、Si：0.10～0.30％、Mn：1.0～1.3％、Cr：0.80～1.10％、S：0.01～0.02％...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了顯示設備。顯示設備包括：顯示面板，該顯示面板包括像素；以及顯示面板驅動器，該顯示面板驅動器在活動時段中通過數(shù)據(jù)線將活動數(shù)據(jù)電壓提供到像素，并且在消隱時段中將消隱數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線，像素包括：發(fā)光元件；第一晶體管，該第一晶體管將驅動電...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了輸出控制電路、柵極發(fā)射驅動器、顯示裝置和電子設備。輸出控制電路可包括配置為將發(fā)射信號轉換為反相發(fā)射信號的反相器電路和配置為基于使能信號、發(fā)射信號和反相發(fā)射信號來生成輸出控制信號的輸出確定電路。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及在數(shù)據(jù)保護期間使用更改塊列表構建潛在受感染文件列表。一個示例方法包括：創(chuàng)建或訪問目錄文件列表，所述目錄文件列表包括文件列表，并且對于每個文件，還包括所述文件的相應塊列表；識別自所述文件的先前備份以來任何已更改的塊；將所述目錄文件列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種開關式支撐機構，適用于雙層光罩容器的內(nèi)盒基座。開關式支撐機構與內(nèi)盒基座之間建立一靜電消散導通路徑的開關，當開關式支撐機構的支撐件受到光罩下壓并接觸到內(nèi)盒基座的瞬間，即開啟靜電消散導通路徑，使光罩正面所累積靜電荷進行導通消散。反...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種車門控制裝置。多個檢測區(qū)域被布置在車廂中包括門口和與門口相鄰的部分的范圍內(nèi)。當檢測單元檢測到在多個檢測區(qū)域中的最靠近門口的特定檢測區(qū)域中存在乘員時，控制單元執(zhí)行防止乘員與門之間的接觸的接觸防止控制，使得門的打開和關閉速度低于當...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了容器化環(huán)境中用于透明快照數(shù)據(jù)保護的存儲無關數(shù)據(jù)路徑攔截。被配置為執(zhí)行諸如數(shù)據(jù)保護操作之類的操作的保護容器被封裝為設備接口。作為操作對象的主應用程序的配置被改變?yōu)橹赶虮Ｗo容器的設備接口。這允許保護容器位于主容器和所分配的存儲器之間...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及半導體器件。一種保護單元具有由多個第一MISFET構成的第一MISFET組和由多個第二MISFET構成的第二MISFET組。第一MISFET組和第二MISFET組彼此分開設置。第一MISFET組電連接到第一電源布線組和第一接地布線...
								
            
							
            
							
						
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								      一種MOS晶體管的制造方法，其具備：在將SiC基板加熱至1200℃以上的溫度的狀態(tài)下通過氫氣對所述SiC基板的表面進行蝕刻的工序；在實施了采用氫氣的所述蝕刻后在所述SiC基板的所述表面上形成無定形硅層的工序；通過化學氣相沉積法在所述無定形硅...
								
            
							
            
							
						
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