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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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								      本申請(qǐng)涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種正極活性材料、制備方法、正極極片、電池及用電設(shè)備。正極活性材料包括摻雜有M元素的單晶鋰鎳鈷錳氧化物，單晶鋰鎳鈷錳氧化物具有靠近中心的第一區(qū)域和靠近外層的第二區(qū)域，第二區(qū)域的單位體積的M元素的平均摩爾含量...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了正極材料及其制備方法、應(yīng)用。該正極材料包括內(nèi)核和第一殼層，具有層狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)核的近表區(qū)域的晶格中還摻雜有Co、Ti和Zr中的至少一種，且第一殼層包括可提升正極材料離子電導(dǎo)性的材料，或者，可提升離子導(dǎo)電性和電子電導(dǎo)性的材料，上...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極極片及其制備方法、二次電池和用電裝置，該正極極片包括正極膜層，正極膜層包括正極活性材料，正極活性材料包含氫氧化鋰和碳酸鋰，基于氫氧化鋰和碳酸鋰的總質(zhì)量計(jì)，碳酸鋰的質(zhì)量百分比大于等于80％，該正極極片可以提高電池的循環(huán)容量...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種正極極片及其制備方法、包含其的電化學(xué)裝置，所述正極極片包括依次層疊設(shè)置的集流體層、正極活性材料層、保護(hù)層和補(bǔ)鋰層，其中：所述保護(hù)層的組成成分包括第一活性物質(zhì)，所述第一活性物質(zhì)選自磷酸鐵鋰、磷酸鐵錳鋰或錳酸鋰中的至少一種。本公開...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N圓柱形的二次電池和電子裝置，圓柱形的二次電池包括極片，極片包括集流體和位于集流體至少一個(gè)表面上的材料層，材料層設(shè)置有多個(gè)第一盲孔和多個(gè)第二盲孔，第一盲孔的數(shù)量為N1，第二盲孔的數(shù)量為N2，N1≥N2。沿極片的厚度方向，第一盲...
								
            
							
            
							
						
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								      一種晶圓及其制造方法、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，晶圓包括：基底；介電層，位于基底上，介電層背向基底一側(cè)的面為鍵合面；鍵合層，位于介電層中，鍵合層包括第一鍵合層以及位于第一鍵合層頂部的第二鍵合層，第二鍵合層露出鍵合面，第二鍵合層的熱膨脹系數(shù)大于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種EPI工藝環(huán)中的晶圓生產(chǎn)控制方法及系統(tǒng)，包括：設(shè)定額定加工晶圓數(shù)；獲取已進(jìn)入EPI機(jī)臺(tái)的晶圓總數(shù)和已進(jìn)入EPI機(jī)臺(tái)但未加工的晶圓數(shù)量；若已進(jìn)入EPI機(jī)臺(tái)的晶圓總數(shù)大于額定加工晶圓數(shù)，則禁止下一待加工晶圓批次進(jìn)入EPI工藝環(huán)；若...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供FOSB晶圓盒管理方法和晶圓搬運(yùn)系統(tǒng)。FOSB晶圓盒用于收納測(cè)試用晶圓，F(xiàn)OSB晶圓盒管理方法包括：建立多個(gè)由參數(shù)表示的FOSB晶圓盒模型而生成模型庫(kù)的模型庫(kù)建立步驟；對(duì)于搬運(yùn)到半導(dǎo)體工廠的各個(gè)FOSB晶圓盒指定對(duì)應(yīng)的模型，使所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了離子漏斗及其裝配方法、質(zhì)譜分析系統(tǒng)，離子漏斗的裝配方法包括以下步驟：（A1）將通孔孔徑逐漸減小的第一組電極片層疊地卡在承載件的圓柱外，圓柱的直徑和電極片的孔徑相等；自下而上地，承載件具有多個(gè)直徑逐漸變小的共軸的圓柱，圓柱的高度大...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于隔離開關(guān)的操作機(jī)構(gòu)，包括：第一外殼、第二外殼、主動(dòng)模塊、從動(dòng)模塊，主動(dòng)模塊、從動(dòng)模塊均設(shè)于第一外殼、第二外殼形成的腔體內(nèi)；主動(dòng)模塊包括：第一支架、第一彈簧、第一齒輪、第二齒輪、第一軸、第二軸；從動(dòng)模塊包括：第三軸、夾板、擋...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種無機(jī)?有機(jī)雙層包覆的磁粉及其制備方法和應(yīng)用。所述無機(jī)?有機(jī)雙層包覆的磁粉包括磁粉內(nèi)核以及由內(nèi)至外依次包覆在磁粉內(nèi)核表面的無機(jī)絕緣包覆層和酚醛型氰酸酯樹脂層。本發(fā)明利用無機(jī)絕緣包覆層和有機(jī)絕緣包覆層對(duì)磁粉進(jìn)行協(xié)同改性，其中，有...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種復(fù)合稀土類粘結(jié)磁粉及其制備方法和應(yīng)用。所述制備方法包括：將鐵氧體磁粉、釹鐵硼磁粉、環(huán)氧樹脂和有機(jī)溶劑進(jìn)行第一混合后，經(jīng)烘干，得到所述復(fù)合稀土類粘結(jié)磁粉；對(duì)所述鐵氧體磁粉進(jìn)行預(yù)處理，所述預(yù)處理的方法包括：對(duì)鐵氧體磁粉原料進(jìn)行燒...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電氣傳輸領(lǐng)域，尤其涉及大功率電纜和新能源汽車充電領(lǐng)域。一種液冷電纜，包括內(nèi)置彈簧的液冷管線和導(dǎo)線，彈簧可以支撐液冷管線，使電纜折彎時(shí)能保持液冷管線的暢通。彈簧與液冷管線的管壁可以是分離的，一方面液冷管線單獨(dú)加工更容易，另一方面彈簧...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種微米銀漿的無壓燒結(jié)方法，包括：制備微米銀漿；將所述微米銀漿涂覆在元器件待連接的兩個(gè)連接面之間；將所述元器件放置于加熱設(shè)備，所述加熱設(shè)備發(fā)出預(yù)設(shè)波長(zhǎng)的紅外線加熱所述微米銀漿，以在兩個(gè)連接面之間形成導(dǎo)電銀層。本發(fā)明的無壓燒結(jié)方法，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種脊柱健康狀態(tài)評(píng)估模型的構(gòu)建方法和系統(tǒng)，該方法包括：根據(jù)脊柱健康狀態(tài)印象因素和脊柱側(cè)彎情形，定義脊柱健康狀態(tài)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和脊柱健康狀態(tài)評(píng)估模型結(jié)構(gòu)，根據(jù)所述脊柱健康狀態(tài)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，獲取脊柱健康狀態(tài)評(píng)估數(shù)據(jù)，并對(duì)所述脊柱健康狀態(tài)評(píng)估數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了用于排除原子對(duì)庫(kù)倫勢(shì)計(jì)算的方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。該方法包括：針對(duì)目標(biāo)排除原子對(duì)列表中的原子對(duì)，確定原子對(duì)之間的距離是否超過截?cái)喟霃剑⑶掖_定原子對(duì)之間庫(kù)倫相互作用的類型為長(zhǎng)程相互作用，目標(biāo)排除原子對(duì)列表中的原子對(duì)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種數(shù)據(jù)片段比對(duì)方法、裝置以及設(shè)備，本申請(qǐng)中，對(duì)比裝置獲取基因片段集合中的索引，基因片段集合包括未發(fā)生變異的參考基因片段及發(fā)生變異的參考基因片段。對(duì)比裝置根據(jù)目標(biāo)基因片段查詢基因片段集合中的索引，確定基因片段集合是否存在與目標(biāo)基因片段相同的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)，屬于存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)器的操作方法包括：在存儲(chǔ)器所處的編程溫度小于溫度閾值的情況下，在對(duì)第一選定字線所耦合的選定存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程的過程中，對(duì)第一選定字線施加第一編程電壓，對(duì)第一目標(biāo)字線施...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種I/O驅(qū)動(dòng)器、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于提高I/O驅(qū)動(dòng)器的性能。I/O驅(qū)動(dòng)器包括上拉電路、下拉電路以及輸入/輸出端。上拉電路耦接于電源電壓端和輸入/輸出端之間，用于根據(jù)第一控制信號(hào)生成上拉電壓。下拉電路耦接于參考...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種光源單元，其應(yīng)用于熱輔助磁頭，熱輔助磁頭的滑塊與光源單元之間設(shè)有焊接層和止動(dòng)結(jié)構(gòu)，在光源單元與滑塊接合時(shí)，光源單元能隨焊接層熔化而移動(dòng)并被止動(dòng)結(jié)構(gòu)精確限位在預(yù)設(shè)位置，這樣，光源單元的發(fā)射口與波導(dǎo)可以精確對(duì)準(zhǔn)，從而提高了光源單...
								
            
							
            
							
						
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