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          • 本發(fā)明提出了一種基于多尺度時(shí)空學(xué)習(xí)和自適應(yīng)選擇神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的心律失常分類方法。針對(duì)心電信號(hào)具有各種尺度不同的復(fù)雜波段信息,在時(shí)序上病變具有短暫性、間歇性的特點(diǎn),在空間上不同的通道中包含著不同病變信息的問題,在發(fā)明中我們引入了多尺度的思想來提取復(fù)...
          • 本發(fā)明提供一種數(shù)字混音器,能夠在數(shù)字混音器中包含AFV功能在內(nèi)對(duì)來自一個(gè)外部控制端子的輸入設(shè)定多個(gè)功能或動(dòng)作,支援用戶設(shè)定多個(gè)功能或動(dòng)作。在由操作件(18)設(shè)定為外部控制端子的設(shè)定模式的情況下,數(shù)字混音器(10)的處理器(20)在顯示器(2...
          • 本申請(qǐng)公開了一種紅土鎳礦洗礦線的均勻出料控制系統(tǒng)及方法,紅土鎳礦洗礦線的均勻出料控制系統(tǒng)包括:電流信號(hào)采集模塊、判斷模塊以及給料速度控制模塊,所述電流信號(hào)采集模塊用于連接皮帶機(jī)的電機(jī),以獲得皮帶機(jī)的電機(jī)電流值;所述判斷模塊用于判斷皮帶機(jī)的電...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N紅土鎳礦高壓浸出礦漿濃度調(diào)控系統(tǒng)及方法,屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域,該系統(tǒng)包括:濃密機(jī)、高壓反應(yīng)釜、循環(huán)浸出槽和自動(dòng)調(diào)控裝置;濃密機(jī)的底流與高壓反應(yīng)釜的進(jìn)料端連接,高壓反應(yīng)釜的出料端與循環(huán)浸出槽連接;自動(dòng)調(diào)控裝置,用于獲取循環(huán)浸出槽內(nèi)的...
          • 本發(fā)明涉及:圓柱形電池,該圓柱形電池包括接納電極組件的圓柱形罐,安裝在圓柱形罐的開口部分上的蓋組件,以及插置在圓柱形罐與蓋組件之間的襯墊,其中,圓柱形罐在其上部部分處設(shè)置有壓接部分,該壓接部分包裹襯墊的外周緣,在該壓接部分的末端處設(shè)置有進(jìn)一...
          • 一種樹脂組成物包含樹脂組分、交聯(lián)劑、無機(jī)填充材、分散劑及翹曲抑制劑。樹脂組分包括液態(tài)熱固性樹脂、固態(tài)熱固性樹脂及熱塑性樹脂。翹曲抑制劑包括聚硅氧烷類化合物及磷腈類化合物中至少一者,以樹脂組成物的總量為100wt%計(jì),翹曲抑制劑的含量范圍為1...
          • 本發(fā)明揭示了一種耐沖擊耐腐蝕異氰酸酯/硅酸鹽涂層及其制備方法,涂層包括以下重量份數(shù)的各組分:異氰酸酯樹脂30?90份,硅酸鹽10?50份,硅烷偶聯(lián)劑0.5?1份,有機(jī)酯0.5?1份,消泡劑0.5?1份,增稠劑0.5?1份,分散劑0.5?1份...
          • 本發(fā)明提供了反義寡核苷酸(ASO),反義寡核苷酸與CREPT基因序列互補(bǔ),且能有效抑制CREPT的表達(dá),反義寡核苷酸選自具有如SEQ ID No.1~3任一所示的核苷酸序列的反義寡核苷酸。該反義寡核苷酸(ASO)能高效且特異性靶向CREPT...
          • 本申請(qǐng)內(nèi)容揭露一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第一芯片、第二芯片、第一接合層及電源管理晶粒。第一芯片中具有第一3D電容器結(jié)構(gòu)。第二芯片中具有第二3D電容器結(jié)構(gòu)。第一接合層將第一芯片與第二芯片接合。電源管理晶粒與第二芯...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種物理通道映射關(guān)系的配置方法、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子裝置和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,該方法包括:獲取多個(gè)控制器的對(duì)應(yīng)的物理通道信息;其中,物理通道信息包括預(yù)設(shè)的特定通道和最大使用場(chǎng)景下的多個(gè)控制器的每個(gè)控制器所使用的物理通道;確定目標(biāo)控制...
          • 本公開的一些實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括:第一半導(dǎo)體芯片,所述第一半導(dǎo)體芯片包括第一接合焊盤以及一個(gè)或更多個(gè)第一虛設(shè)圖案;以及第二半導(dǎo)體芯片,所述第二半導(dǎo)體芯片位于所述第一半導(dǎo)體芯片上,包括第二接合焊盤和以及一個(gè)或更...
          • 本發(fā)明提供一種負(fù)極片、電池、電池組及用電設(shè)備,所述負(fù)極片包括負(fù)極集流體、以及位于所述負(fù)極集流體的至少一側(cè)表面的負(fù)極涂層,所述負(fù)極涂層包括非包覆型石墨,且所述負(fù)極涂層中的所述非包覆型石墨的OI值為0.06~2。本發(fā)明能夠降低電池阻抗,提高電池...
          • 本發(fā)明公開了一種印刷抗靜電型聚酯離型膜及其制備方法,所述離型膜由PET基膜以及與PET基膜牢固結(jié)合的離型劑層構(gòu)成,所述PET基膜由添加有復(fù)合添加劑的PET顆粒共混熔融擠出后拉伸而成,離型劑層由離型劑固化而成;其中,所述復(fù)合添加劑由聚乙烯吡咯...
          • 本申請(qǐng)涉及一種帶有護(hù)筒結(jié)構(gòu)的橋梁灌注樁施工結(jié)構(gòu)及施工方法,屬于鉆孔灌注樁施工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,其包括筒體和導(dǎo)向件,所述筒體包括主體和連接環(huán),所述連接環(huán)設(shè)于主體的兩端,所述導(dǎo)向件包括導(dǎo)向環(huán)和若干導(dǎo)向桿,若干導(dǎo)向桿沿導(dǎo)向環(huán)的環(huán)向均勻布設(shè),若干所述導(dǎo)...
          • 本發(fā)明提供一種電池的化成方法、電池、電子設(shè)備,包括以下步驟:注液墩封后將電池放置在25~45℃的烘箱中一次陳化24~72h;3)一次陳化結(jié)束后,取出電芯做常溫化成;4)進(jìn)行三步恒流充電;5)二次陳化后充電為0.5~0.7C的電流恒流恒壓、截...
          • 一種絲素蛋白茶多酚水凝膠及其制備方法和應(yīng)用,其中絲素蛋白茶多酚水凝膠采用以下方法制備:(S10)絲素蛋白的制備;(S20)絲素蛋白水凝膠的制備,將SFMA和LAP的水溶液在紫外光下照,制備SFMA水凝膠;以及(S30)絲素蛋白茶多酚水凝膠的...
          • 本發(fā)明提供了一種氰酸酯樹脂組合物、其制備方法以及阻燃樹脂。其制備方法包括:步驟S1,將氰酸酯單體與改性氰酸酯單體進(jìn)行第一混合,得到混合單體;步驟S2,混合單體經(jīng)聚合反應(yīng),得到預(yù)聚物;步驟S3,將預(yù)聚物與環(huán)氧樹脂進(jìn)行第二混合,得到氰酸酯樹脂組...
          • 一種包含光源、光傳感器以及導(dǎo)光件的導(dǎo)航傳感器。所述導(dǎo)光件包含第一反射面相對(duì)所述光源,用于將來自所述導(dǎo)光件的第一表面的所述光源的發(fā)射光束橫向地反射。所述導(dǎo)光件還包含第二反射面,用于將來自所述第一反射面的橫向光束朝向所述導(dǎo)光件的第二表面反射,以...
          • 本發(fā)明公開了一種粒子源、粒子生成方法及粒子加速器,其中,粒子源包括陽極、陰極、容置腔、進(jìn)氣管路連接桿以及驅(qū)動(dòng)組件;容置腔用于收容至少部分所述陰極、且至少部分位于所述陰極和所述陽極之間;進(jìn)氣管路用于向所述容置腔輸入氣體;驅(qū)動(dòng)組件基于所述氣體的...
          • 一種電子設(shè)備、均溫板及其制備方法,涉及電子設(shè)備領(lǐng)域。旨在改善均溫板的散熱性能。具體方案為:均溫板包括第一金屬層、第二金屬層和毛細(xì)結(jié)構(gòu),第一金屬層包括第一主體部和第一邊緣部。第二金屬層包括第二主體部和第二邊緣部;第一邊緣部和第二邊緣部的表面連...
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