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          • 本發(fā)明公開了一種基于睡眠腦電神經(jīng)振蕩的認(rèn)知障礙進(jìn)展預(yù)測(cè)方法及系統(tǒng)。該方法包括如下步驟:獲取用戶的睡眠腦電數(shù)據(jù);對(duì)睡眠腦電數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理后,提取與認(rèn)知功能衰退相關(guān)的神經(jīng)振蕩特征;將神經(jīng)振蕩特征輸入預(yù)先構(gòu)建的認(rèn)知障礙進(jìn)展預(yù)測(cè)模型內(nèi),以輸出認(rèn)知功...
          • 本申請(qǐng)公開了吸收制品以及吸收制品的制備方法,吸收制品包括透液面層、透液第二層、不透液底層以及夾設(shè)在透液第二層與不透液底層之間的吸收體;其中,透液面層與透液第二層中的至少一者包括蔓越莓復(fù)合物,且至少一者包括益生菌復(fù)合物。本申請(qǐng)通過結(jié)合蔓越莓復(fù)...
          • 本發(fā)明公開了一種治療痔瘡的藥膏,按重量份計(jì)數(shù)包括以下成分:黃連5?7份,黃芩2?4份,黃柏5?7份,大黃5?7份,冰片4?6份,白芷3?5份,甘草5?7份,紫草8?10份,當(dāng)歸3?5份,血竭3?5份;本發(fā)明與現(xiàn)有的技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明...
          • 本發(fā)明公開了一種防止高旁減溫水閥內(nèi)漏造成汽輪機(jī)進(jìn)冷水的裝置,包括輸送單元,輸送單元包括管道件,與管道件連接的旁支管件,設(shè)置與旁支管件連接的再熱器管件,以及設(shè)置于再熱器管件連接的排氣管件,通過減壓管的設(shè)置可以減少高壓給水管內(nèi)部輸入的高壓水對(duì)高...
          • 本發(fā)明公開了一種分布式雨洪模型的構(gòu)建方法,對(duì)不同資料條件有效插補(bǔ)延長(zhǎng)降水、蒸發(fā)過程,針對(duì)降水、蒸發(fā)的空間不均勻性、流域下墊面條件的差異性進(jìn)行產(chǎn)流、匯流計(jì)算,構(gòu)建出一個(gè)適用于高原缺資料地區(qū)中小流域的分布式水文模型,實(shí)現(xiàn)不同資料條件下的數(shù)據(jù)錄入...
          • 本發(fā)明為復(fù)合材料層間裂紋斷裂性能分析方法,涉及材料力學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,包括基于熱環(huán)境下含層間裂紋復(fù)合材料的沖擊斷裂問題提出分析方法,建立了復(fù)合材料含層間裂紋的擴(kuò)展有限元模型,通過Newmark?Beta法對(duì)結(jié)構(gòu)在沖擊載荷作用下的控制方程進(jìn)行求解,...
          • 本發(fā)明涉及智能寄存系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種支持無(wú)線充電和獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制的智能寄存盒系統(tǒng),包括外框架,所述外框架的內(nèi)部抽拉設(shè)置有多個(gè)寄存抽屜,所述寄存抽屜包括寄存殼體,所述寄存殼體內(nèi)部設(shè)置有用于放置寄存物的腔室,且寄存殼體的前表面設(shè)置有觸碰按鈕,...
          • 本發(fā)明公開了一種降解復(fù)合膠的制備方法,包含有如下步驟:(1)、制備酯化物A和酯化物B;(2)、將酯化物A和酯化物B投入到反應(yīng)釜中來(lái)進(jìn)行降解型聚酯多元醇的制備;(3)、利用降解型聚酯多元醇、聚己二酸二甘醇酯、聚己二酸丁二醇酯來(lái)進(jìn)行降解復(fù)合膠主...
          • 本發(fā)明公開了一種氧化鋁赤泥沉降設(shè)備,包括支撐槽,所述支撐槽內(nèi)設(shè)置有攪動(dòng)組件,用于對(duì)赤泥在所述支撐槽內(nèi)的循環(huán),所述支撐槽還連接赤泥上料組件,所述赤泥上料組件包括固定桿,所述固定桿固定所述支撐槽,所述固定桿上端固定連接進(jìn)料管,所述進(jìn)料管的上端固...
          • 本發(fā)明屬于生物技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種用于鑒定煙草尖孢鐮刀菌的RPA?LFD檢測(cè)方法,具體為:1)提取待測(cè)微生物的基因組DNA;2)以提取的基因組DNA為模板,采用特異性RPA?LFD引物組及探針進(jìn)行重組聚合酶擴(kuò)增,反應(yīng)結(jié)束采用側(cè)向流動(dòng)層析試紙...
          • 本發(fā)明涉及化學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種同時(shí)檢測(cè)加熱卷煙氣溶膠中的縮水甘油、單氯丙醇時(shí)的樣品前處理方法及GC?MS方法。本發(fā)明的同時(shí)檢測(cè)加熱卷煙氣溶膠中的縮水甘油、單氯丙醇時(shí)的樣品前處理方法包括以下步驟:對(duì)加熱卷煙氣溶膠中的粒相物進(jìn)行捕集;...
          • 本發(fā)明公開了一種能量極大追蹤模型的快速計(jì)算方法及設(shè)備,本發(fā)明涉及需求分析技術(shù)領(lǐng)域,包括以下步驟:將原始訓(xùn)練集分為訓(xùn)練集和測(cè)試集,訓(xùn)練集用于建模與調(diào)參,測(cè)試集用于評(píng)估,對(duì)訓(xùn)練集進(jìn)行預(yù)處理;對(duì)訓(xùn)練集特征進(jìn)行相關(guān)性分析,使用局部相關(guān)性度量避免多重...
          • 本發(fā)明公開了一種一體式熔煉坩堝及精鑄方法,屬于燃?xì)廨啓C(jī)熔模精鑄技術(shù)領(lǐng)域,一體式熔煉坩堝,包括坩堝本體,坩堝本體包括第一端頭和第二端頭,第一端頭和第二端頭的封閉端固定連接或一體成型,第一端頭和第二端頭的開口端相互背離,第一端頭的內(nèi)徑小于第二端...
          • 本發(fā)明公開了一種傅里葉紅外光譜儀的光路系統(tǒng)及光源定位方法,光路系統(tǒng)包括光源組件以及傳輸光束的光路元件,所述光源組件包括中紅外光源以及近紅外光源,所述光源組件包括光源本體、光源底座、光源安裝筒、保溫層以及定位套筒;其中,所述光源本體通過光源底...
          • 本申請(qǐng)涉及一種基于大數(shù)據(jù)的建筑成本預(yù)測(cè)方法、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),首先獲取目標(biāo)建筑及其類似建筑的總成本數(shù)據(jù),對(duì)總成本數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)構(gòu)建及歸一化處理,得到參考數(shù)據(jù)集。然后,基于處理好的參考數(shù)據(jù)集對(duì)總成本數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練,得到成本預(yù)測(cè)模型。再獲...
          • 本發(fā)明屬于計(jì)算力學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種壓力容器彈塑性蠕變斷裂軸對(duì)稱近場(chǎng)動(dòng)力學(xué)分析方法。本發(fā)明包括如下步驟:步驟1:對(duì)壓力容器構(gòu)建熱力耦合模型,獲得在軸對(duì)稱近場(chǎng)動(dòng)力學(xué)模型框架下的動(dòng)量守恒方程積分?微分形式和軸對(duì)稱熱傳導(dǎo)問題在近場(chǎng)動(dòng)力學(xué)框架下...
          • 本發(fā)明涉及一種模塊化多電平變流器電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(MMC?BESS)擴(kuò)展預(yù)測(cè)控制方法,屬于多電平變流器控制技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中模型預(yù)測(cè)控制(MPC)計(jì)算復(fù)雜度高、輸出電流總諧波失真(THD)大及循環(huán)電流控制困難的問題,提出一種基于擴(kuò)展電壓電...
          • 本發(fā)明涉及風(fēng)化煤加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種風(fēng)化煤預(yù)選優(yōu)化的腐植酸聯(lián)產(chǎn)工藝。該工藝包括預(yù)選裝置、反應(yīng)裝置、固液分離裝置、干燥裝置、供熱裝置和控制系統(tǒng)。通過風(fēng)化煤多級(jí)篩選裝置和風(fēng)化煤風(fēng)選裝置對(duì)風(fēng)化煤進(jìn)行精確分級(jí),風(fēng)化煤加料器和氫氧化鈉等添加劑加注...
          • 本發(fā)明公開了一種場(chǎng)內(nèi)交通隧道支護(hù)體系設(shè)計(jì)方法,涉及隧道支護(hù)施工技術(shù)領(lǐng)域。包括獲取巖石力學(xué)參數(shù);確定松動(dòng)圈范圍;基于松動(dòng)圈范圍,設(shè)計(jì)錨桿支護(hù)參數(shù);計(jì)算噴射混凝土及鋼架支護(hù)參數(shù);支護(hù)體系監(jiān)測(cè)與驗(yàn)證。本發(fā)明通過獲取巖石力學(xué)參數(shù),能夠更準(zhǔn)確地反映圍...
          • 本發(fā)明涉及量子芯片技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明公開了一種硅基單原子量子計(jì)算芯片及其制備方法。硅基單原子量子計(jì)算芯片包括:量子比特陣列器件,所述量子比特陣列器件包括:硅基襯底,分布在所述硅基襯底表面之下的由若干含磷原子的基團(tuán)組成的基團(tuán)陣列,所述基團(tuán)陣列以...
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