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          • 本公開的目的在于,抑制在不需要的狀況下的與由乘客進(jìn)行的車輛內(nèi)的移動相關(guān)的注意提醒的車內(nèi)播報(bào)。信息處理裝置的控制部獲取車輛內(nèi)的站立乘客數(shù)。信息處理裝置的控制部根據(jù)所述站立乘客數(shù)來決定可否執(zhí)行檢測處理,所述檢測處理是通過對拍攝所述車輛內(nèi)而得到的...
          • 本申請涉及一種顯示裝置,包括:載體板(2),該載體板(2)有布置于其上的一個(gè)或多個(gè)電子部件(3);用于顯示器(13)的載體(4);顯示器(13),該顯示器(13)布置在載體(4)上;以及蓋(16),該蓋(16)至少在覆蓋所述顯示器(13)的...
          • 公開了一種顯示裝置。該顯示裝置包括顯示面板,該顯示面板包括有源區(qū)域和非有源區(qū)域。在有源區(qū)域中設(shè)置有多個(gè)柵極線、多個(gè)數(shù)據(jù)線和多個(gè)單位像素。該顯示裝置還包括:數(shù)據(jù)驅(qū)動電路,該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路連接至多個(gè)數(shù)據(jù)線;以及一個(gè)或更多個(gè)數(shù)據(jù)鏈接線,所述一個(gè)或更...
          • 一些實(shí)施方案涉及一種顯示裝置,所述顯示裝置包括顯示表面和單色圖像生成器。所述生成器可設(shè)計(jì)成結(jié)合主光源和半穿透半反射式空間光調(diào)制器來產(chǎn)生用于顯示的單色視覺信息。所述顯示裝置可包括空間可尋址背光生成器,所述空間可尋址背光生成器配置成對所述半穿透...
          • 本發(fā)明提供驅(qū)動器和電光裝置。驅(qū)動液晶面板的驅(qū)動器包含:第1端子~第n端子,它們的各端子與液晶面板的區(qū)段電極電連接;以及第1區(qū)段驅(qū)動電路~第n區(qū)段驅(qū)動電路,它們對第1端子~第n端子輸出靜態(tài)驅(qū)動或占空比驅(qū)動的驅(qū)動信號。第1區(qū)段驅(qū)動電路~第n區(qū)段...
          • 本申請案涉及微電子裝置及相關(guān)方法及存儲器裝置。一種微電子裝置包含:存儲器陣列結(jié)構(gòu);額外存儲器陣列結(jié)構(gòu),其在存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到存儲器陣列結(jié)構(gòu);及控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu),其在額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)。存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含...
          • 本申請涉及微電子裝置及相關(guān)方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結(jié)構(gòu)、在所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的額外存儲器陣列結(jié)構(gòu),及在所述額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含具有存儲器單元的陣列...
          • 提供一種顯示控制裝置、顯示控制方法以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,能夠抑制在用戶確認(rèn)多個(gè)解析結(jié)果的顯示時(shí)花費(fèi)工夫。顯示控制裝置具備:設(shè)定部,設(shè)定將針對放射線圖像的多個(gè)解析結(jié)果顯示到顯示部的顯示順序;以及控制部,根據(jù)所設(shè)定的顯示順序,以將多個(gè)解析結(jié)果分成...
          • 提供一種即使施加高頻也兼具高導(dǎo)磁率和低鐵損的優(yōu)異效率的高頻特性優(yōu)異的磁性粉體、及其制造方法。一種含α?Fe相稀土類?鐵?氮系磁性粉體,其為具有隱晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的稀土類?鐵?氮系磁性粉體,所述磁性粉體具有芯區(qū)域、和存在于所述芯區(qū)域外側(cè)的含α?Fe相...
          • 提供了一種磁線材,其包含合金,該合金含有質(zhì)量百分比為40%以上且50%以下的Ni,余量為Fe和不可避免的雜質(zhì),其中,在線材的沿其軸向方向的橫截面中,軸向方向與<111>方向之間的角度差為10°以下的晶體結(jié)構(gòu)的比例為20%以上。
          • 本公開涉及變壓器組件和跨電感電壓調(diào)節(jié)。本文中所討論的組件包括導(dǎo)磁材料的層、第一變壓器繞組對、第二變壓器繞組對和第一導(dǎo)電路徑。第一繞組對包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第一初級繞組路徑和第一次級繞組路徑。第二繞組對包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第二初級繞組路徑...
          • 本發(fā)明提供線圈部件和具備其的通信器件,其目的在于,在具有至少一部分被埋入樹脂層的線圈圖案的線圈部件中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)電特性和物理特性,線圈部件(100)包括包含絕緣性的無機(jī)填料(F1~F3)和粘合劑樹脂(R)的樹脂層(130)和至少一部分被埋入樹...
          • 本發(fā)明提供一種電感組件,包括集成電感和信號組件,所述信號組件包括信號電連接件和屏蔽層;本發(fā)明通過將屏蔽層設(shè)置在信號電連接件和集成電感之間,使得信號回路免受功率回路的干擾。另一方面提供一種VRM模塊,包括電感組件、頂部組件和底部組件;所述頂部...
          • 半導(dǎo)體裝置及制造半導(dǎo)體裝置的方法。在一個(gè)實(shí)例中,半導(dǎo)體裝置可包含第一介電層,所述第一介電層包括限定通孔的內(nèi)壁。晶種層可安置在所述第一介電層上方和所述通孔中。第一導(dǎo)體可安置在所述晶種層上方和所述通孔中,且所述第一導(dǎo)體可具有圓柱形幾何形狀。第二...
          • 公開了具有裂紋阻止結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及制造方法,其中,半導(dǎo)體器件(900)包括半導(dǎo)體部(100),該半導(dǎo)體部(100)包括中心區(qū)域(610)和將中心區(qū)域(610)與側(cè)向芯片邊緣(109)分隔開的外圍區(qū)域(690)。在半導(dǎo)體部(100)的水平第...
          • 一種用于電子封裝體(110)的包封材料(100),其中,所述包封材料(100)包括電絕緣基質(zhì)材料(102)以及所述基質(zhì)材料(102)中的應(yīng)力抑制填料顆粒(104),所述應(yīng)力抑制填料顆粒(104)具有不大于6ppm/K的熱膨脹系數(shù)值以及不大于...
          • 公開了半導(dǎo)體器件和制作具有集成無源器件的互連橋的方法。半導(dǎo)體器件具有第一基板。第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯被部署在基板上方。互連橋被部署在第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯上方。互連橋具有第二基板。導(dǎo)電跡線被形成在第二基板的第一表面上方。導(dǎo)電...
          • 本公開涉及垂直GAN裝置。一種芯片封裝包括:GaN芯片,具有第一側(cè)和與第一側(cè)相對的第二側(cè)。第一側(cè)包括芯片焊盤。芯片封裝還包括:引線框架,具有第一主要側(cè)和與第一主要側(cè)相對的第二主要側(cè)。引線框架的第一主要側(cè)朝向GaN芯片的第一側(cè),并且被附接到芯...
          • 本申請涉及用于裸片附接參考的獨(dú)特裸片圖案化。一種晶片襯底可包含多個(gè)個(gè)別半導(dǎo)體裸片及沿著所述晶片襯底的邊緣布置的多個(gè)不完整裸片。所述個(gè)別半導(dǎo)體裸片中的每一個(gè)及所述不完整裸片中的每一個(gè)可包含接合襯墊陣列。所述不完整裸片的子集中的每一個(gè)還可包含可...
          • 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的負(fù)極活性物質(zhì)包含硅氧化物顆粒。硅氧化物顆粒的拉曼光譜中測量的500nm?1至530nm?1區(qū)域中的峰強(qiáng)度與450nm?1至490nm?1
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