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          • 本公開的可再充電電池包括:電極組件,包括堆疊在一起的多個電極,并且具有設(shè)置在多個電極中的相應(yīng)電極之間的隔膜;以及粘合構(gòu)件,設(shè)置在電極組件的拐角部分中的至少兩個拐角部分處,并且被附接以覆蓋電極組件的上表面、側(cè)表面和下表面中的每個表面的至少一部...
          • 一種在形成具有多個堆疊電池單體的雙極堆疊電池期間防止空氣被捕獲的雙極堆疊電池。在多個堆疊電池單體中的每一個之間形成電絕緣和離子絕緣的框架。
          • 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的負(fù)極活性物質(zhì)包含硅基活性物質(zhì),所述硅基活性物質(zhì)包含核顆粒以及覆蓋核顆粒的表面的碳涂層。通過熱重分析法測量的硅基活性物質(zhì)的起始溫度為超過350℃且低于390℃,通過導(dǎo)數(shù)熱重分析法測量的硅基活性物質(zhì)的重量減少率變化值與溫度...
          • 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的負(fù)極活性物質(zhì)包含硅氧化物顆粒。硅氧化物顆粒的拉曼光譜中測量的500nm?1至530nm?1區(qū)域中的峰強(qiáng)度與450nm?1至490nm?1
          • 本申請涉及用于裸片附接參考的獨(dú)特裸片圖案化。一種晶片襯底可包含多個個別半導(dǎo)體裸片及沿著所述晶片襯底的邊緣布置的多個不完整裸片。所述個別半導(dǎo)體裸片中的每一個及所述不完整裸片中的每一個可包含接合襯墊陣列。所述不完整裸片的子集中的每一個還可包含可...
          • 本公開涉及垂直GAN裝置。一種芯片封裝包括:GaN芯片,具有第一側(cè)和與第一側(cè)相對的第二側(cè)。第一側(cè)包括芯片焊盤。芯片封裝還包括:引線框架,具有第一主要側(cè)和與第一主要側(cè)相對的第二主要側(cè)。引線框架的第一主要側(cè)朝向GaN芯片的第一側(cè),并且被附接到芯...
          • 公開了半導(dǎo)體器件和制作具有集成無源器件的互連橋的方法。半導(dǎo)體器件具有第一基板。第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯被部署在基板上方。互連橋被部署在第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯上方。互連橋具有第二基板。導(dǎo)電跡線被形成在第二基板的第一表面上方。導(dǎo)電...
          • 一種用于電子封裝體(110)的包封材料(100),其中,所述包封材料(100)包括電絕緣基質(zhì)材料(102)以及所述基質(zhì)材料(102)中的應(yīng)力抑制填料顆粒(104),所述應(yīng)力抑制填料顆粒(104)具有不大于6ppm/K的熱膨脹系數(shù)值以及不大于...
          • 公開了具有裂紋阻止結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及制造方法,其中,半導(dǎo)體器件(900)包括半導(dǎo)體部(100),該半導(dǎo)體部(100)包括中心區(qū)域(610)和將中心區(qū)域(610)與側(cè)向芯片邊緣(109)分隔開的外圍區(qū)域(690)。在半導(dǎo)體部(100)的水平第...
          • 半導(dǎo)體裝置及制造半導(dǎo)體裝置的方法。在一個實(shí)例中,半導(dǎo)體裝置可包含第一介電層,所述第一介電層包括限定通孔的內(nèi)壁。晶種層可安置在所述第一介電層上方和所述通孔中。第一導(dǎo)體可安置在所述晶種層上方和所述通孔中,且所述第一導(dǎo)體可具有圓柱形幾何形狀。第二...
          • 本發(fā)明提供一種電感組件,包括集成電感和信號組件,所述信號組件包括信號電連接件和屏蔽層;本發(fā)明通過將屏蔽層設(shè)置在信號電連接件和集成電感之間,使得信號回路免受功率回路的干擾。另一方面提供一種VRM模塊,包括電感組件、頂部組件和底部組件;所述頂部...
          • 本發(fā)明提供線圈部件和具備其的通信器件,其目的在于,在具有至少一部分被埋入樹脂層的線圈圖案的線圈部件中,同時實(shí)現(xiàn)電特性和物理特性,線圈部件(100)包括包含絕緣性的無機(jī)填料(F1~F3)和粘合劑樹脂(R)的樹脂層(130)和至少一部分被埋入樹...
          • 本公開涉及變壓器組件和跨電感電壓調(diào)節(jié)。本文中所討論的組件包括導(dǎo)磁材料的層、第一變壓器繞組對、第二變壓器繞組對和第一導(dǎo)電路徑。第一繞組對包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第一初級繞組路徑和第一次級繞組路徑。第二繞組對包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第二初級繞組路徑...
          • 提供了一種磁線材,其包含合金,該合金含有質(zhì)量百分比為40%以上且50%以下的Ni,余量為Fe和不可避免的雜質(zhì),其中,在線材的沿其軸向方向的橫截面中,軸向方向與<111>方向之間的角度差為10°以下的晶體結(jié)構(gòu)的比例為20%以上。
          • 提供一種即使施加高頻也兼具高導(dǎo)磁率和低鐵損的優(yōu)異效率的高頻特性優(yōu)異的磁性粉體、及其制造方法。一種含α?Fe相稀土類?鐵?氮系磁性粉體,其為具有隱晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的稀土類?鐵?氮系磁性粉體,所述磁性粉體具有芯區(qū)域、和存在于所述芯區(qū)域外側(cè)的含α?Fe相...
          • 提供一種顯示控制裝置、顯示控制方法以及計算機(jī)程序產(chǎn)品,能夠抑制在用戶確認(rèn)多個解析結(jié)果的顯示時花費(fèi)工夫。顯示控制裝置具備:設(shè)定部,設(shè)定將針對放射線圖像的多個解析結(jié)果顯示到顯示部的顯示順序;以及控制部,根據(jù)所設(shè)定的顯示順序,以將多個解析結(jié)果分成...
          • 本申請涉及微電子裝置及相關(guān)方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結(jié)構(gòu)、在所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的額外存儲器陣列結(jié)構(gòu),及在所述額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。所述存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含具有存儲器單元的陣列...
          • 本申請案涉及微電子裝置及相關(guān)方法及存儲器裝置。一種微電子裝置包含:存儲器陣列結(jié)構(gòu);額外存儲器陣列結(jié)構(gòu),其在存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到存儲器陣列結(jié)構(gòu);及控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu),其在額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到額外存儲器陣列結(jié)構(gòu)。存儲器陣列結(jié)構(gòu)包含...
          • 本發(fā)明提供驅(qū)動器和電光裝置。驅(qū)動液晶面板的驅(qū)動器包含:第1端子~第n端子,它們的各端子與液晶面板的區(qū)段電極電連接;以及第1區(qū)段驅(qū)動電路~第n區(qū)段驅(qū)動電路,它們對第1端子~第n端子輸出靜態(tài)驅(qū)動或占空比驅(qū)動的驅(qū)動信號。第1區(qū)段驅(qū)動電路~第n區(qū)段...
          • 一些實(shí)施方案涉及一種顯示裝置,所述顯示裝置包括顯示表面和單色圖像生成器。所述生成器可設(shè)計成結(jié)合主光源和半穿透半反射式空間光調(diào)制器來產(chǎn)生用于顯示的單色視覺信息。所述顯示裝置可包括空間可尋址背光生成器,所述空間可尋址背光生成器配置成對所述半穿透...
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