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          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳罐安裝結(jié)構(gòu)。燃油系統(tǒng)和車(chē)輛,所述碳罐安裝結(jié)構(gòu)包括第一支架、第二支架和碳罐,所述第一支架和所述第二支架沿車(chē)身的高度方向間隔設(shè)在所述車(chē)身的輪罩內(nèi),所述第一支架鄰近所述輪罩的頂部設(shè)置,所述第一支架具有第一插接部,所述第二支架位于...
          • 本發(fā)明的目的在于抑制存儲(chǔ)器設(shè)備的面積增加。一個(gè)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器設(shè)備具備:第1芯片,包含具有字線及位線的存儲(chǔ)單元陣列;第2芯片,包含第1襯底及設(shè)置在第1襯底上的第1電路,與第1芯片相接;第3芯片,包含第2襯底及設(shè)置在第2襯底上的第2電路,與第...
          • 實(shí)施方式提供提高成品率的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備:具有第一區(qū)域、以及從上方觀察時(shí)包圍第一區(qū)域的外側(cè)的第二區(qū)域的基板;將設(shè)于基板的阱區(qū)域以及從上方觀察時(shí)以包圍阱區(qū)域的方式設(shè)置的基板的區(qū)域在與基板平行的方向上分離的第一部件;...
          • 本發(fā)明涉及一種基于結(jié)構(gòu)參數(shù)修正和疲勞仿真分析的車(chē)燈開(kāi)發(fā)方法。該方法包括燈具結(jié)構(gòu)參數(shù)修正和燈具疲勞仿真分析兩部分,其中在燈具結(jié)構(gòu)參數(shù)修正階段包括依次進(jìn)行的建立目標(biāo)模態(tài)、模型簡(jiǎn)化、設(shè)置初始參數(shù)、模態(tài)分析、仿真模態(tài)與目標(biāo)模態(tài)確認(rèn)、模態(tài)分析結(jié)果處理...
          • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片powermap溫度分布的測(cè)量方法及測(cè)量裝置,其中,該方法包括:確定黑體輻射量和溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系;采集芯片在多個(gè)不同第二溫度下各像素點(diǎn)的第一輻射量;對(duì)于各像素點(diǎn)中的每個(gè)像素點(diǎn),確定該像素點(diǎn)的第一發(fā)射率;根據(jù)每個(gè)像素點(diǎn)...
          • 提供一種散熱結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一方面的散熱結(jié)構(gòu),包括:印刷電路板,在一表面上設(shè)置有具有規(guī)定面積的散熱墊;發(fā)熱元件,通過(guò)結(jié)合部結(jié)合在所述散熱墊上且具有與所述散熱墊相鄰配置的一表面和與所述一表面相對(duì)的另一表面;散熱器,具有與所述發(fā)熱元件的另一表...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種芯粒、芯粒的測(cè)試方法、芯片、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,涉及半導(dǎo)體可測(cè)性設(shè)計(jì)的技術(shù)領(lǐng)域,其中,該芯粒包括通道切換模塊;其中,所述通道切換模塊包括:至少一個(gè)輸入接口,用于接收多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù);至少一個(gè)輸出接口,用于與所述輸入接口形成至少...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高腈水解酶熱穩(wěn)定性的定向進(jìn)化方法,屬于酶工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明熱穩(wěn)定性提高的祖先酶通過(guò)以下方法得到:收集腈水解酶的序列進(jìn)行進(jìn)化樹(shù)分析獲得進(jìn)化景觀,結(jié)合祖先酶重構(gòu)算法獲得祖先酶的氨基酸序列,構(gòu)建祖先酶一級(jí)結(jié)構(gòu)序列文庫(kù);隨后對(duì)所...
          • 本發(fā)明提供了一種負(fù)極以及包括該負(fù)極的鋰離子二次電池,所述負(fù)極包含集電體和活性材料層,其中,所述活性材料層包含碳材料顆粒和金屬硫化物顆粒,所述金屬硫化物包含選自由Ag2S、MnS和GeS組成的組中的至少一種。
          • 公開(kāi)了一種電極生產(chǎn)裝置、包括由該電極生產(chǎn)裝置生產(chǎn)的電極的電池電芯、以及包括電池電芯的電池組和車(chē)輛。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電極生產(chǎn)裝置是用于通過(guò)輸送其上形成有涂層的涂覆部分和無(wú)涂層的未涂覆部分的電極箔來(lái)生產(chǎn)電極的電極生產(chǎn)裝置,所述電極生產(chǎn)裝置...
          • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法。一種方法包括:在第一溝道區(qū)域上沉積柵極電介質(zhì)層;在柵極電介質(zhì)層上沉積p型功函數(shù)調(diào)整層;將p型功函數(shù)調(diào)整層暴露于硅基前體一段時(shí)間;以及在p型功函數(shù)調(diào)整層上沉積n型功函數(shù)調(diào)整層。將p型功函數(shù)調(diào)整層暴露于硅基...
          • 本發(fā)明涉及市政管道施工工程技術(shù)領(lǐng)域,其公開(kāi)了一種高效管道地下埋設(shè)施工系統(tǒng)及其施工方法,解決了目前地下管道埋設(shè)工作效率低的技術(shù)問(wèn)題,施工系統(tǒng)由以下兩部分構(gòu)成:溝槽支護(hù)單元和牽引單元,溝槽防護(hù)單元包括左支護(hù)側(cè)板、右支護(hù)側(cè)板和底部支撐板;牽引單元...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種與稻米品質(zhì)相關(guān)的蛋白及其生物材料的應(yīng)用,屬于水稻育種、分子生物學(xué)以及基因工程技術(shù)領(lǐng)域。前述蛋白為OsMYB99。本發(fā)明通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明,與野生型植株的水稻籽粒相比,將基因OsMYB99敲除得到的突變體osmyb99a和osmyb...
          • 本發(fā)明涉及三乙酸甘油酯技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種三乙酸甘油酯精制加工反應(yīng)裝置及其加工方法,該裝置包括精制釜、冷凝器和接收罐,所述精制釜通過(guò)蒸餾管和冷凝器連通,所述冷凝器通過(guò)餾分導(dǎo)料管和接收罐連通,所述精制釜的外側(cè)套設(shè)裝配有導(dǎo)熱套,所述導(dǎo)熱套底部一...
          • 根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的電池診斷裝置包括:曲線確定單元,其被配置為通過(guò)調(diào)整參考正極曲線和參考負(fù)極曲線以適配指示電池的容量與電壓之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的測(cè)量全單體曲線來(lái)確定電池的負(fù)極曲線;負(fù)載量計(jì)算單元,其被配置為基于電池的負(fù)極曲線來(lái)計(jì)算電池的負(fù)極負(fù)...
          • 本發(fā)明提供一種風(fēng)扇及其制造方法。風(fēng)扇包含輪轂、多個(gè)第一扇葉、靜音環(huán)及多個(gè)第二扇葉。輪轂具有周緣。每一第一扇葉包含與輪轂的周緣相接的第一端及與第一端相對(duì)的第二端。靜音環(huán)設(shè)置于多個(gè)第一扇葉的多個(gè)第二端。多個(gè)第二扇葉設(shè)置于多個(gè)第一扇葉的多個(gè)第二端...
          • 本發(fā)明提供了一種含金屬和氨氮的放射性廢水的處理方法,利用分步化學(xué)反應(yīng)、絮凝沉淀、電氧化等工藝步驟,實(shí)現(xiàn)同步去除放射性鈾、金屬錳、氨氮以及COD,同時(shí),整個(gè)工藝實(shí)現(xiàn)了廢氣無(wú)害化、廢渣減量化。本發(fā)明所涉及的工藝簡(jiǎn)單,設(shè)備要求低,藥劑廉價(jià)易得,產(chǎn)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種濺射防護(hù)旋轉(zhuǎn)單元的轉(zhuǎn)速穩(wěn)定性測(cè)試裝置及方法,所述測(cè)試裝置包括激光發(fā)生器、半透半反鏡、第一反射鏡、第二反射鏡、光電二極管以及采集光電二極管信號(hào)的采集器,所述第一反射鏡與第二反射鏡設(shè)置在打靶轉(zhuǎn)輪的兩側(cè),激光發(fā)生器產(chǎn)生的光線經(jīng)過(guò)半...
          • 本發(fā)明提供了一種氧化法同步去除鈾錳氨氮的廢水處理裝置及使用方法,通過(guò)采用新型管道混合器作為反應(yīng)裝置,相對(duì)于傳統(tǒng)工藝,省去了攪拌裝置,整個(gè)工藝流程均為封閉式,無(wú)泄露風(fēng)險(xiǎn),通過(guò)管道加藥口向廢水中加入氧化劑次鹵酸鹽溶液,充分反應(yīng)后,去除沉淀物,即...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種單向TVS二極管,所述單向TVS二極管包括:P型襯底,所述P型襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面,所述P型襯底的第一表面上形成有第一N型擴(kuò)散區(qū),所述第二表面包括第一區(qū)域及圍設(shè)于第一區(qū)域外側(cè)的第二區(qū)域,所述第二區(qū)域上形成有第...
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