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								      提供一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含記憶體陣列，記憶體陣列包含多個記憶體單元，這些記憶體單元各自包含：記憶體單位；以及第一數目個第一晶體管，串聯耦接在記憶體單位與第一電壓端之間。記憶體裝置還包含耦接在記憶體陣列與第二電壓端之間的電...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體裝置可以包括：襯底，其包括單元陣列區域；數據存儲圖案，其位于單元陣列區域上并且在平行于襯底的頂表面的第一方向和第二方向上彼此間隔開；字線，其位于數據存儲圖案上，在第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此間隔開；位線，其位于字線上以與字...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體器件，包括：襯底；位線，在襯底上沿第一方向延伸；豎直溝道圖案，在位線上；柵電極，在第一方向上與豎直溝道圖案相鄰；第一功函數調節圖案，在柵電極上；以及第一接觸件，在豎直溝道圖案上。第一功函數調節圖案在第一方向上與豎直溝道圖案的一端相...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種測試液氮冷沖擊煤巖內水冰相變凍脹力的系統及方法，液氮注入裝置精準控制試樣的冷卻速率，確保在凍結過程中維持穩定的溫度變化；樣品測試裝置實時監測試樣在凍結過程中的流量、溫度、形變量及凍脹力參數，數據采集及控制裝置負責同步收集數據...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種溝槽管道拼裝施工吊裝運輸系統，屬于土建管道施工領域，其包括傳送軌道和運輸門架，所述傳送軌道鋪設于基礎溝槽的槽底，所述運輸門架上設有吊裝機構，所述運輸門架沿傳送軌道移動，所述基礎溝槽內且于傳送軌道的一端為中轉點，所述運輸門架通過...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電子設備、均溫板及其制備方法，涉及電子設備領域。旨在改善均溫板的散熱性能。具體方案為：均溫板包括第一金屬層、第二金屬層和毛細結構，第一金屬層包括第一主體部和第一邊緣部。第二金屬層包括第二主體部和第二邊緣部；第一邊緣部和第二邊緣部的表面連...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種粒子源、粒子生成方法及粒子加速器，其中，粒子源包括陽極、陰極、容置腔、進氣管路連接桿以及驅動組件；容置腔用于收容至少部分所述陰極、且至少部分位于所述陰極和所述陽極之間；進氣管路用于向所述容置腔輸入氣體；驅動組件基于所述氣體的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種包含光源、光傳感器以及導光件的導航傳感器。所述導光件包含第一反射面相對所述光源，用于將來自所述導光件的第一表面的所述光源的發射光束橫向地反射。所述導光件還包含第二反射面，用于將來自所述第一反射面的橫向光束朝向所述導光件的第二表面反射，以...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種氰酸酯樹脂組合物、其制備方法以及阻燃樹脂。其制備方法包括：步驟S1，將氰酸酯單體與改性氰酸酯單體進行第一混合，得到混合單體；步驟S2，混合單體經聚合反應，得到預聚物；步驟S3，將預聚物與環氧樹脂進行第二混合，得到氰酸酯樹脂組...
								
            
							
            
							
						
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								      一種絲素蛋白茶多酚水凝膠及其制備方法和應用，其中絲素蛋白茶多酚水凝膠采用以下方法制備：(S10)絲素蛋白的制備；(S20)絲素蛋白水凝膠的制備，將SFMA和LAP的水溶液在紫外光下照，制備SFMA水凝膠；以及(S30)絲素蛋白茶多酚水凝膠的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種電池的化成方法、電池、電子設備，包括以下步驟：注液墩封后將電池放置在25～45℃的烘箱中一次陳化24～72h；3)一次陳化結束后，取出電芯做常溫化成；4)進行三步恒流充電；5)二次陳化后充電為0.5～0.7C的電流恒流恒壓、截...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種帶有護筒結構的橋梁灌注樁施工結構及施工方法，屬于鉆孔灌注樁施工設備技術領域，其包括筒體和導向件，所述筒體包括主體和連接環，所述連接環設于主體的兩端，所述導向件包括導向環和若干導向桿，若干導向桿沿導向環的環向均勻布設，若干所述導...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種印刷抗靜電型聚酯離型膜及其制備方法，所述離型膜由PET基膜以及與PET基膜牢固結合的離型劑層構成，所述PET基膜由添加有復合添加劑的PET顆粒共混熔融擠出后拉伸而成，離型劑層由離型劑固化而成；其中，所述復合添加劑由聚乙烯吡咯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種負極片、電池、電池組及用電設備，所述負極片包括負極集流體、以及位于所述負極集流體的至少一側表面的負極涂層，所述負極涂層包括非包覆型石墨，且所述負極涂層中的所述非包覆型石墨的OI值為0.06～2。本發明能夠降低電池阻抗，提高電池...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的一些實施例涉及半導體器件及其制造方法。所述半導體器件包括：第一半導體芯片，所述第一半導體芯片包括第一接合焊盤以及一個或更多個第一虛設圖案；以及第二半導體芯片，所述第二半導體芯片位于所述第一半導體芯片上，包括第二接合焊盤和以及一個或更...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種物理通道映射關系的配置方法、存儲介質、電子裝置和計算機程序產品，該方法包括：獲取多個控制器的對應的物理通道信息；其中，物理通道信息包括預設的特定通道和最大使用場景下的多個控制器的每個控制器所使用的物理通道；確定目標控制...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請內容揭露一種半導體結構與一種制造半導體結構的方法。半導體結構包含第一芯片、第二芯片、第一接合層及電源管理晶粒。第一芯片中具有第一3D電容器結構。第二芯片中具有第二3D電容器結構。第一接合層將第一芯片與第二芯片接合。電源管理晶粒與第二芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了反義寡核苷酸(ASO)，反義寡核苷酸與CREPT基因序列互補，且能有效抑制CREPT的表達，反義寡核苷酸選自具有如SEQ ID No.1～3任一所示的核苷酸序列的反義寡核苷酸。該反義寡核苷酸(ASO)能高效且特異性靶向CREPT...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明揭示了一種耐沖擊耐腐蝕異氰酸酯/硅酸鹽涂層及其制備方法，涂層包括以下重量份數的各組分：異氰酸酯樹脂30?90份，硅酸鹽10?50份，硅烷偶聯劑0.5?1份，有機酯0.5?1份，消泡劑0.5?1份，增稠劑0.5?1份，分散劑0.5?1份...
								
            
							
            
							
						
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								      一種樹脂組成物包含樹脂組分、交聯劑、無機填充材、分散劑及翹曲抑制劑。樹脂組分包括液態熱固性樹脂、固態熱固性樹脂及熱塑性樹脂。翹曲抑制劑包括聚硅氧烷類化合物及磷腈類化合物中至少一者，以樹脂組成物的總量為100wt％計，翹曲抑制劑的含量范圍為1...
								
            
							
            
							
						
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