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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明涉及強化學習領(lǐng)域和負荷協(xié)同調(diào)控領(lǐng)域，具體公開了一種基于多目標遺傳算法的網(wǎng)荷協(xié)同調(diào)控策略；為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的方法所采用的技術(shù)方案是：首先根據(jù)火電機組運行成本FGj、水電機組運行成本Fhj
							
            
							
						
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								      一種復合式電路保護裝置包含晶體管、PTC元件、第一導電引線、第二導電引線及第三導電引線。該晶體管包括漏極、柵極及源極。該PTC元件包括PTC基材、第一電極及第二電極。該PTC基材設置于該第一電極與該第二電極之間。該第二電極接觸該晶體管的柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電連接器，包括絕緣基座及固定在所述絕緣基座的兩個端子模組，每一端子模組包括絕緣體、固定在所述絕緣體并沿第一方向排列的一排端子以及沿第一方向延伸并設置在一排所述端子旁側(cè)的接地件與吸波件，一排所述端子至少包括多個差分信號對及位于差分信號對之...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例提供了一種具有CPA的高速高密度纜線連接器，包括殼體組件、電路板、多條高速數(shù)據(jù)纜線以及連接器鎖位組件，電路板設置在殼體組件內(nèi)，包括用于與適配電連接器電接觸的多個觸點，多條高速數(shù)據(jù)纜線的端部安裝在電路板上且與多個觸點電連接。連接...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N天線組件、天線和通信設備，涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，以解決柵副瓣抑制能力較差等問題。本申請?zhí)峁┑奶炀€組件包括多個天線單元，多個天線單元均位于同一個平面內(nèi)；平面內(nèi)包括多個扇區(qū)，多個扇區(qū)的頂角均環(huán)繞于同一個中心區(qū)域；每個扇區(qū)中包括至少一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N散熱模組及具有該散熱模組的天線陣列裝置。散熱模組應用于天線陣列裝置。天線陣列裝置包括電路板及上蓋。散熱模組包括：本體；若干導熱結(jié)構(gòu)，以形成陣列的方式排列設置于本體的一側(cè)；若干支撐結(jié)構(gòu)，用于支撐電路板，若干導熱結(jié)構(gòu)及若干支撐結(jié)構(gòu)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電池單體、電池及用電設備，電池單體包括電極組件，電極組件包括電極組件，電極組件包括電極主體和極耳，極耳包括第一連接部、彎折部和第二連接部，第一連接部與電極主體相連，第一連接部和第二連接部通過彎折部相連；轉(zhuǎn)接片，轉(zhuǎn)接片在厚度方...
								
            
							
            
							
						
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								      采用鹽作為電解質(zhì)的燃料電池可以得到酸和堿。在燃料電池溶液中外加電場使燃料極，空氣極周圍的活性物質(zhì)增加。這樣可以增加燃料電池的反應效率，消除極化的不利影響。根據(jù)能斯特方程可以計算出燃料極，空氣極的反應速度。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種儲能單元加熱方法、裝置、設備、存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品。所述方法包括：在確定儲能系統(tǒng)需要預留電量的情況下，獲取儲能系統(tǒng)的各儲能單元的電量，并控制各儲能單元的電量不小于預設電量，若各儲能單元中存在溫度小于第一預設溫度的第一目標儲能單元...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于新能源技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種鹵素陰離子摻雜的富鋰相氟基固態(tài)電解質(zhì)材料及其制備方法和應用。為了開發(fā)一種高離子導電率、低電子導電率、寬電化學窗口的固態(tài)鋰電池用的氟基固態(tài)電解質(zhì)材料體系，本發(fā)明提供鹵素陰離子摻雜的富鋰相氟基固態(tài)電解質(zhì)材料，所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N氫動力模塊陽極子系統(tǒng)(100)，其配置成能夠?qū)錃鈨Υ婀拗兴鶅Υ娴臍錃鈧魉腿氲綒鋭恿δK反應堆并包括：斷流閥(1)，其配置成能夠控制來自氫氣儲存罐的氫氣的供應；氫噴閥(6)，其配置成能夠調(diào)節(jié)氫氣的壓力；布置在氫動力模塊反應堆...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極活性材料包括鈉錳氧化物，鈉錳氧化物包括第一相和第二相，第一相包括依次交替的第一鈉離子層和第一過渡金屬層，第一相中相鄰的兩個第一過渡金屬層在垂直于(001)晶面方向上的層間...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片及鈉二次電池和用電裝置。所述正極活性材料滿足化學式NaxMnyM1zO2+δ，其中，0.8<x≤1，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極材料包括基體和包覆在所述基體表面的包覆層；所述基體包括鋰過渡金屬氧化物；所述包覆層包括CaxAy(PO4...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置，所述正極活性材料包括正極活性材料本體和形成在所述正極活性材料本體至少部分表面的包覆層，所述包覆層包括CeaZrbLc<...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N制備正極材料的方法、正極材料、正極極片、電池及用電裝置。本申請方法包括：將前驅(qū)體與磷源在溶劑中混合，干燥，燒結(jié)，得到中間產(chǎn)物；其中，所述前驅(qū)體包括含有或不含有摻雜元素的磷酸錳鐵鋰，所述摻雜元素包括ⅡA族元素、ⅢA族元素、ⅣA...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種多孔負極材料及其制備方法、負極極片、二次電池和用電裝置，多孔負極材料包括具有內(nèi)部孔結(jié)構(gòu)的二次顆粒，二次顆粒包含多個一次顆粒，一次顆粒包含碳基材料，相鄰一次顆粒之間填充有多孔硬碳，二次顆粒包含的多孔硬碳形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，多孔負極材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的實施例提供一種導電結(jié)構(gòu)及其形成方法，且該導電結(jié)構(gòu)包括導電特征層、介電層、第一導線部件及覆蓋層。導電特征層設置于基板上。介電層位于導電特征層上。第一導線部件位于介電層中，且包括第一導電層、第一阻擋層及第一覆蓋件。第一阻擋層包覆第一導電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種冷卻座、承載裝置及半導體工藝設備，涉及冷卻座調(diào)溫技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述冷卻座包括：座體和多個調(diào)節(jié)件；座體設有冷卻流道，冷卻流道包括入口和出口，冷卻介質(zhì)能夠經(jīng)入口進入冷卻流道，流經(jīng)冷卻流道的冷卻介質(zhì)能夠從出口流出；調(diào)節(jié)件包...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種制造裝置與制造方法以及其所制成的半導體器件與其制作方法。所述制造裝置包括：對器件進行制造工藝操作的處理腔；以及，根據(jù)所述器件的歷史制造參數(shù)設定所述處理腔的初始操作溫度的處理腔參數(shù)設定器，且所述歷史制造參數(shù)包括兩個所述器件的歷...
								
            
							
            
							
						
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