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								      用于卷曲材料片材(1)的設備，該設備包括波紋表面(12)、使材料片材橫穿波紋表面的輸送機構、以及加壓空氣出口(20)，加壓空氣出口配置成朝向材料片材施加加壓空氣(21)，以便使材料片材壓靠波紋表面，并且由此卷曲材料片材，其中波紋表面具有與材...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種太陽電池及其制備方法與光伏組件。該太陽電池包括電池基片以及保護層，電池基片具有切割面，保護層設置于切割面上；保護層的材料包括附著于切割面上的共聚物材料，共聚物材料為經(jīng)偶聯(lián)劑改性的有機半導體材料。本發(fā)明中，位于切割面之上的有機...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及太陽電池領域，尤其涉及一種圖形化鈍化接觸結構的制備方法、太陽電池及光伏組件。制備方法包括：提供太陽電池初始結構，使用帶有鏤空圖形的掩膜板遮蓋太陽電池初始結構的Poly層，使Poly層表面形成暴露區(qū)域和非暴露區(qū)域；在臭氧氛圍下對Po...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及數(shù)據(jù)處理技術領域，提供一種數(shù)據(jù)管理方法、裝置、電子設備、介質(zhì)及產(chǎn)品，應用于計算節(jié)點，方法包括：接收到加密數(shù)據(jù)與所述加密數(shù)據(jù)對應的私鑰分片；私鑰分片為基于沙密爾Shamir秘密分享算法對加密數(shù)據(jù)的私鑰進行分片得到多個私鑰分片之一；對...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種改善自熱效應的納米片場效應晶體管及其制備方法，方法包括：在Si襯底上外延生長第一SiGe層及多個由SiGe層和Si層構成的堆疊層納米片結構；刻蝕形成鰭狀的堆疊層納米片結構；淀積氧化物隔離結構STI；淀積多晶硅柵極和柵極側(cè)墻，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種晶圓盒及其限位裝置，所述晶圓盒包含一底座、一儲存框架及一蓋體，所述限位裝置包括一基座、多個活動板體、至少二擋板及一抵靠組件；所述基座包含一橫桿及二延伸臂，每一活動板體包含一轉(zhuǎn)軸及一固定桿。本發(fā)明利用擋板限制活動板體的翻轉(zhuǎn)路徑，使得抵靠組...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種音頻播放方法、裝置、計算機設備及計算機可讀存儲介質(zhì)，屬于人工智能領域。本申請可以獲取包括至少兩個對話文本的目標文本，至少兩個對話文本分屬不同的對話角色；對目標文本進行內(nèi)容分析，得到角色圖譜和至少兩個對話標注信息，角色圖譜包括...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種文字識別的方法，包括：S1.通過攝像頭獲取輸入圖像，獲取兩路不同尺寸的圖像；S2.將第二圖像送入文字偵測模型，偵測得到圖像中文本分布的熱圖；S3.將第二圖像得到的熱圖，按照縮放比例resize_rate，放大至第一圖像的尺寸；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種圖像處理方法、裝置、移動載體、存儲介質(zhì)及產(chǎn)品，方法包括：獲取實際相機在世界坐標系下的第一位姿信息以及虛擬相機在世界坐標系的第二位姿信息，并獲取實際相機的圖像；根據(jù)所述第二位姿信息將所述世界坐標系變換至虛擬相機坐標系，并基于所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請的實施例涉及地圖領域和人工智能技術領域。本申請的實施例揭示了旅行行程制定方法及裝置、設備、存儲介質(zhì)、程序產(chǎn)品。該方法包括：根據(jù)檢測到的行程創(chuàng)建指令進行行程信息的編輯處理；若檢測到行程優(yōu)化指令，根據(jù)已編輯的行程信息確定待優(yōu)化的初始行程，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種刷掌支付方法、裝置、計算機設備及存儲介質(zhì)，可應用于線上購物場景、線下實體店支付場景、轉(zhuǎn)賬支付場景等各種場景，方法包括：獲取來自于目標聲源方向的目標語音信號；基于目標語音信號，生成待支付訂單；獲取來自于目標聲源方向的刷掌支付請...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種壓驅(qū)注水裂縫長度實時擴展及未來預測的定量表征方法，包括：步驟1，收集注水井基礎資料，計算注水井底流壓Pw；步驟2，繪制壓驅(qū)前Pw/Q?1/Q注水指示曲線，計算壓驅(qū)注水前的儲層平均壓力...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種文章分類方法、裝置、設備及介質(zhì)，涉及人工智能技術領域，該方法包括：獲取多篇待分類的領域文章，根據(jù)每篇領域文章的內(nèi)容標識和內(nèi)容信息，通過網(wǎng)絡模型確定第一類型的每篇領域文章的第一向量，根據(jù)每篇領域文章的特征向量，與預先構建的向量...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供皮帶輪靜平衡檢測及調(diào)節(jié)裝置，包括支撐箱體，支撐箱體上部兩側(cè)壁上分別設置有調(diào)心滾子軸承和深溝球軸承，調(diào)心滾子軸承和深溝球軸承套裝有旋轉(zhuǎn)軸，旋轉(zhuǎn)軸穿過支撐箱體，旋轉(zhuǎn)軸一端套裝有連接套和定位環(huán)，連接套位于定位環(huán)內(nèi)側(cè)，連接套外周連接有皮帶...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種多聯(lián)機空調(diào)通訊系統(tǒng)，包括：阻抗匹配電路，其用于匹配通訊信號傳輸過程中的阻抗，且包括：第一終端阻抗，其設置在所述發(fā)信側(cè)系統(tǒng)的發(fā)信側(cè)；第二終端阻抗，其設置在所述收信側(cè)系統(tǒng)的收信側(cè)；分布電容，其設置在Homebus總線上；第一終端...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種有機鉬鹽及其制備方法與應用，所述有機鉬鹽失重20wt％溫度(T20)≥200℃，失重40wt％溫度(T40)≥260℃，失重60wt％溫度(T60)≥320℃，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的目的在于提供可得到長期不易變形的成形物的熱膨脹性微球及其用途。一種熱膨脹性微球，其包含含有熱塑性樹脂的外殼以及上述外殼中所內(nèi)包且將通過加熱而氣化的發(fā)泡劑，上述熱塑性樹脂是包含選自含羧基單體、(甲基)丙烯酸酯系單體、苯乙烯系單體及(甲...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種鍵合結構，包括電路基板以及若干LED芯片，電路基板上設有若干焊盤，LED芯片包括第一電極以及第二電極，電路基板與LED芯片之間設有導電膠膜層，導電膠膜層包括絕緣膠層，絕緣膠層具有第一面以及與第一面相對的第二面，絕緣膠層上設置有...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種發(fā)光二極管芯片及制作方法、顯示模組和顯示裝置。發(fā)光二極管芯片包括襯底層；外延結構，位于襯底層的一側(cè)，包括沿遠離襯底層方向依次設置的第一半導體層、有源層以及第二半導體層；電極層，位于外延結構的背離襯底層的一側(cè)，包括第一電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體器件及其制備方法，半導體器件包括襯底，具有絕緣層；位于絕緣層一側(cè)并沿第一方向依次鄰接的第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)，第一阱區(qū)和第三阱區(qū)的導電類型相同，第一阱區(qū)和第二阱區(qū)的導電類型相異；形成于第一阱...
								
            
							
            
							
						
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