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          • 本申請公開一種存儲(chǔ)器裝置、編程方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)單元陣列,其包括多個(gè)存儲(chǔ)單元及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元耦接的字線;及外圍電路被配置為在對多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行增量步進(jìn)脈沖編程時(shí)對字線施加驗(yàn)證電壓執(zhí)行對多個(gè)數(shù)據(jù)態(tài)中的第一數(shù)據(jù)態(tài)的第一驗(yàn)...
          • 本公開實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其控制方法,所述存儲(chǔ)器裝置包括:存儲(chǔ)塊,所述存儲(chǔ)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元;多個(gè)字線,所述多個(gè)字線與所述存儲(chǔ)塊耦接;以及外圍電路,與所述多個(gè)字線耦接,且被配置為:響應(yīng)于第一操作命令,執(zhí)行第一編程操作,對...
          • 本公開描述一種數(shù)據(jù)報(bào)告的處理方法及系統(tǒng),處理方法包括預(yù)先設(shè)定至少一個(gè)配置信息;接收與目標(biāo)對象相關(guān)的數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)包括用于表征目標(biāo)對象的生理狀態(tài)隨時(shí)間變化的情況的生理數(shù)據(jù)和與目標(biāo)對象相關(guān)的用戶信息;基于用戶信息和至少一個(gè)配置信息確定目標(biāo)配置信息;...
          • 本發(fā)明涉及一種具有隔離結(jié)構(gòu)的雙層元器件及半導(dǎo)體器件,所述雙層元器件包括元器件上層結(jié)構(gòu)、元器件下層結(jié)構(gòu)、及位于所述元器件上層結(jié)構(gòu)和元器件下層結(jié)構(gòu)之間的隔離結(jié)構(gòu),所述隔離結(jié)構(gòu)包括:主介質(zhì)層,位于所述元器件下層結(jié)構(gòu)和元器件上層結(jié)構(gòu)之間;第一緩沖結(jié)...
          • 本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體膜的形成方法包括:制備無機(jī)溶膠,所述無機(jī)溶膠包括氨水、乙酰丙酮、鋁鹽、乙二醇;在襯底上涂覆所述無機(jī)溶膠,干燥后形成氧化物半導(dǎo)體膜;以及將所述氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行退火處理。該方法簡單高效、成本低,能夠在襯底上形成穩(wěn)定的氧化物...
          • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶圓的切割方法,包括:利用劃線刀在半導(dǎo)體晶圓的表面上進(jìn)行劃線切割;在保護(hù)氣體為氦氣的環(huán)境下,利用激光束對所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行激光燒蝕處理。采用本發(fā)明的技術(shù)方案利用劃線分割技術(shù)代替半導(dǎo)體的機(jī)器開槽,能夠優(yōu)化切割效果,有效減...
          • 本發(fā)明晶圓的切割處理方法,包括向晶圓的切割面照射激光光束,使所述切割面上形成切割通道,所述切割通道的深度小于所述晶圓的分離深度;對所述晶圓進(jìn)行刻蝕,使所述切割通道的深度達(dá)到所述分離深度,以將所述晶圓分離成多個(gè)獨(dú)立單元;以及在所述獨(dú)立單元的分...
          • 本發(fā)明提供一種非產(chǎn)品晶圓的檢測控制方法及檢測控制系統(tǒng)、生產(chǎn)執(zhí)行系統(tǒng)和可讀存儲(chǔ)介質(zhì),能夠根據(jù)歷史數(shù)據(jù)計(jì)算出的歷史失效率以及根據(jù)當(dāng)前次抽檢結(jié)果計(jì)算出當(dāng)前失效率,進(jìn)而對當(dāng)前批次的再生處理后的非產(chǎn)品晶圓進(jìn)行相應(yīng)的抽檢,由此歷史失效率或當(dāng)前失效率越低...
          • 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的處理方法包括:提供適于半導(dǎo)體器件的底基板,所述底基板上形成電極和導(dǎo)線;在所述底基板上形成若干氣穴結(jié)構(gòu)以容納空氣;以及將所述氣穴結(jié)構(gòu)與所述底基板的所述電極和所述導(dǎo)線隔。該方法簡單高效、成本低,能夠在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成空氣電介...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備,實(shí)現(xiàn)電源走線和信號(hào)走線的分離,大幅度提高了布線密度和自由度,提高了第一互聯(lián)層和第二互聯(lián)層的利用率,進(jìn)而可以提高信號(hào)質(zhì)量和電源質(zhì)量。封裝結(jié)構(gòu)可以包括沿第一方向?qū)盈B設(shè)置的第一互聯(lián)層、第一芯片和第二互聯(lián)層。其中...
          • 本申請實(shí)施例涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體提供了一種封裝基板、電子器件、主板及電子設(shè)備。封裝基板包括:基板本體,具有在第一方向上相對設(shè)置的第一面和第二面;導(dǎo)電接點(diǎn),設(shè)置在所述基板本體的第一面上,用以電性連接芯片;第一管腳,設(shè)置于所述第二面上,用...
          • 本公開提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)和電子設(shè)備,涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,旨在提升芯片封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板和第一芯片。所述第一芯片設(shè)置于封裝基板上,第一芯片包括襯底和設(shè)置于襯底上的電路層,電路層相較于襯...
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,其中方法包括:第一金屬互連層包括第一焊接層和第一互連層,第一焊接層在第一面上具有第一投影圖形;位于第一介質(zhì)層和第一金屬互連層表面的第二介質(zhì)層,第二介質(zhì)層內(nèi)的第二金屬互連層,第二金屬互連層包括位于第一焊接層表面的第...
          • 本公開提供了一種漿料、集流體結(jié)構(gòu)、極片、電芯及制備方法;混合固體和溶劑,溶劑的質(zhì)量配比為25?50%;其中,混合固體包括:高分子基體的質(zhì)量占混合固體質(zhì)量的1?80%,高分子基體配置為提高集流體與活性物層的粘黏性;導(dǎo)電劑的質(zhì)量占混合固體質(zhì)量的...
          • 本發(fā)明公開了一種電化學(xué)電池堆以及車輛,其中,第一端板和第二端板限定出安裝空間;電池組設(shè)于安裝空間;彈性件設(shè)于安裝空間且壓縮在第一端板和電池組之間;止擋組件設(shè)于安裝空間且支撐在第一端板與電池組之間,沿第一方向,止擋組件的尺寸能夠逐漸伸長。由此...
          • 一種天線和無線通訊設(shè)備,涉及天線技術(shù)領(lǐng)域,包括陣子和饋電結(jié)構(gòu),所述陣子分布呈環(huán)形,所述陣子包括輻射陣子和寄生陣子,所述輻射陣子和所述寄生陣子均呈條形結(jié)構(gòu)且沿所述環(huán)形延伸,所述輻射陣子的兩端和所述寄生陣子的兩端一對一相鄰間隔設(shè)置;所述饋電結(jié)構(gòu)...
          • 本發(fā)明公開一種線纜編織層處理裝置和線纜編織層處理方法。所述線纜編織層處理裝置包括:夾具,包括用于夾持在線纜的外覆層上的一對夾具半體;和一對輥輪毛刷,用于將所述線纜的外露出的編織層向后翻折到所述夾具上。在翻折所述編織層時(shí),所述線纜的編織層進(jìn)入...
          • 本公開提供了一種用于FTTR的布線頭,其用于可拆卸連接在熱熔膠槍上,所述布線頭包括:由隔熱材料構(gòu)成的布線部,所述布線頭連接在所述熱熔膠槍上時(shí),所述布線部至少套設(shè)在所述熱熔膠槍的出膠管的出膠端外,所述布線部包括用于與所述出膠端連通的出膠口,以...
          • 本申請涉及車載空調(diào)技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種浪涌電壓抑制電路及車載空調(diào)浪涌電壓抑制方法,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)無法持續(xù)對浪涌電壓進(jìn)行削弱,導(dǎo)致車載空調(diào)故障率較高的技術(shù)問題。為此目的,本申請的浪涌電壓抑制電路包括第一支路和第二支路,第一支路和第二支路并...
          • 本申請公開了一種基于多智能體深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)及精細(xì)化功率預(yù)測的海上風(fēng)電場智能運(yùn)維調(diào)度方法。首先,獲取目標(biāo)區(qū)域的海上風(fēng)電相關(guān)數(shù)據(jù),利用深度學(xué)習(xí)算法建立精細(xì)化風(fēng)電功率預(yù)測模型,精細(xì)化計(jì)算故障風(fēng)機(jī)因停機(jī)造成的發(fā)電量損失;然后,構(gòu)建基于多智能體強(qiáng)化學(xué)習(xí)...
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