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          • 本發(fā)明公開的屬于人體運(yùn)動(dòng)信息采集與實(shí)時(shí)姿態(tài)檢測技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種智能人體運(yùn)動(dòng)信息采集與實(shí)時(shí)姿態(tài)檢測方法,包括具體步驟如下:先將IMU傳感器佩戴在人體的關(guān)鍵部位,接著合理布置RGB?D相機(jī)的位置;對(duì)采集到的原始數(shù)據(jù)進(jìn)行初步校驗(yàn),檢查傳感器數(shù)...
          • 本申請(qǐng)公開了一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制備方法及晶體管,屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,通過化學(xué)氧化的方法來預(yù)處理襯底表面,能夠促進(jìn)絕緣層的成核和生長,改善界面特性,提高超薄絕緣層質(zhì)量,進(jìn)而有效降低接觸電阻率。本申請(qǐng)的主要技術(shù)方案為:該方法...
          • 本發(fā)明涉及采煤機(jī)無線低功耗通信方案設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種采煤機(jī)無線低功耗通信方法及系統(tǒng)、電子設(shè)備。所述方法包括采集溫度數(shù)據(jù)經(jīng)LORA從站、主站傳輸,獲取通信與溫度數(shù)據(jù),再依此調(diào)整LORA從站工作狀態(tài),依據(jù)不同溫度范圍及數(shù)據(jù)差值設(shè)定多種工...
          • 本申請(qǐng)公開了一種車載音響的參數(shù)調(diào)節(jié)方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備以及車輛,獲取目標(biāo)車輛的內(nèi)部噪聲參數(shù)、行駛參數(shù)以及外部環(huán)境參數(shù);預(yù)處理內(nèi)部噪聲參數(shù)、行駛參數(shù)以及外部環(huán)境參數(shù),將預(yù)處理后的數(shù)據(jù)輸入預(yù)設(shè)的預(yù)測模型,得到音頻調(diào)節(jié)參數(shù);將目標(biāo)車輛的音響系統(tǒng)的...
          • 本發(fā)明公開了一種氫能源廠房氫氣濃度實(shí)時(shí)監(jiān)測預(yù)警智能網(wǎng)聯(lián)系統(tǒng),智能網(wǎng)聯(lián)與工業(yè)安全監(jiān)控的技術(shù)領(lǐng)域,包括:氫濃度傳感器、模擬量采集器、無線通信裝置和智能網(wǎng)聯(lián)平臺(tái);氫濃度傳感器用于實(shí)時(shí)檢測廠房內(nèi)氫氣濃度,并傳輸給模擬量采集器;模擬量采集器用于接收氫...
          • 本發(fā)明涉及一種針對(duì)大規(guī)模MIMO多級(jí)放大器實(shí)現(xiàn)射頻通路功率校準(zhǔn)處理的方法,包括以下步驟:基于單級(jí)放大器溫度與功率數(shù)據(jù)獲取相同頻點(diǎn)不同溫度的單級(jí)放大器溫補(bǔ)系數(shù)Ki;基于多級(jí)放大器溫度與功率數(shù)據(jù)獲取不同頻點(diǎn)的多級(jí)放大器溫補(bǔ)系數(shù)Kj;尋找最接近不...
          • 本發(fā)明旨在提供一種九相永磁同步電機(jī)開路故障下自適應(yīng)容錯(cuò)控制方法,該系統(tǒng)包括分?jǐn)?shù)階PID控制器、九相模塊化多電平變流器、SPWM調(diào)制器、改進(jìn)ADRC控制器、MMC能量控制器、九相電流采樣及坐標(biāo)變換模塊、九相電壓控制及坐標(biāo)變換模塊。本發(fā)明旨在的...
          • 本發(fā)明提供一種定子線圈拆除裝置及線圈拆除方法,涉及電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該定子線圈拆除裝置及線圈拆除方法,包括位移裝置、切割裝置以及分離裝置。本發(fā)明,基于螺旋副的線性位移轉(zhuǎn)化機(jī)制,配合X型支架的對(duì)稱展開/收攏運(yùn)動(dòng)軌跡,確保夾持臂夾持過程平滑無臨界干...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N轉(zhuǎn)子組件、電機(jī)組件及電子設(shè)備。該轉(zhuǎn)子組件包括轉(zhuǎn)子軛、多個(gè)磁體和限位環(huán),轉(zhuǎn)子軛的第一側(cè)面設(shè)有沿轉(zhuǎn)子軛的周向間隔設(shè)置的多個(gè)第一安裝槽;第一側(cè)面配置為朝向定子組件;多個(gè)磁體分別安裝在多個(gè)第一安裝槽內(nèi);限位環(huán)設(shè)于第一側(cè)面上,且位于磁體...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N轉(zhuǎn)子組件、電機(jī)組件及電子設(shè)備。該轉(zhuǎn)子組件包括轉(zhuǎn)子軛、磁體和隔離環(huán),磁體設(shè)置在轉(zhuǎn)子軛的第一側(cè)面上,第一側(cè)面配置為朝向定子組件;隔離環(huán)設(shè)于第一側(cè)面上,且至少位于磁體在轉(zhuǎn)子軛的軸向上的端部,隔離環(huán)朝背離第一側(cè)面的方向凸出磁體。本申請(qǐng)...
          • 本發(fā)明提供一種用于電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的電壓安全多時(shí)段最優(yōu)無功功率調(diào)度優(yōu)化方法,屬于電力系統(tǒng)運(yùn)行與控制技術(shù)領(lǐng)域。基于輸電系統(tǒng)動(dòng)態(tài)無功功率儲(chǔ)備,構(gòu)建電壓安全多時(shí)段最優(yōu)無功功率調(diào)度的綜合優(yōu)化目標(biāo);以功率平衡和系統(tǒng)安全運(yùn)行為約束,構(gòu)建電網(wǎng)輸電系統(tǒng)多時(shí)段無...
          • 一種考慮差異化靈活調(diào)節(jié)能力的多虛擬電廠協(xié)同運(yùn)行方法,包括以下步驟:步驟一:構(gòu)建虛擬電廠調(diào)節(jié)能力模型,計(jì)算每個(gè)虛擬電廠調(diào)節(jié)能力;步驟二:根據(jù)虛擬電廠調(diào)節(jié)能力的計(jì)算結(jié)果,構(gòu)建虛擬電廠聯(lián)盟體;步驟三:構(gòu)建虛擬電廠聯(lián)盟體的目標(biāo)函數(shù);步驟四:設(shè)置虛擬...
          • 本發(fā)明涉及一種出線閉環(huán)的超導(dǎo)開關(guān)站及其工作方法,該超導(dǎo)開關(guān)站通過超導(dǎo)電纜與變電站相連接,由變電站對(duì)該超導(dǎo)開關(guān)站進(jìn)行供電,超導(dǎo)開關(guān)站的出線閉環(huán)連接,出線上串聯(lián)有超導(dǎo)限流器,進(jìn)一步設(shè)計(jì)一種花瓣式配電網(wǎng)絡(luò),包括:兩個(gè)超導(dǎo)開關(guān)站分別通過超導(dǎo)電纜與兩...
          • 本申請(qǐng)涉及電源線加工技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種電源線全自動(dòng)剝皮裝置,包括機(jī)架和牽引組件,所述牽引組件設(shè)于所述機(jī)架上,且用于對(duì)電源線進(jìn)行牽引;第一夾緊組件,所述第一夾緊組件設(shè)于所述機(jī)架上,且用于夾緊牽引后的電源線;剝皮切斷組件,所述剝皮切斷組件靠近...
          • 本發(fā)明公開一種基于金屬集成懸置線的射頻同軸連接器,由內(nèi)導(dǎo)體、外導(dǎo)體、絕緣支撐體連接構(gòu)成;內(nèi)導(dǎo)體前端為懸臂式插孔;絕緣支撐體環(huán)繞包圍內(nèi)導(dǎo)體的后半段,介于內(nèi)導(dǎo)體、外導(dǎo)體之間;具有暴露在空氣中的懸臂式插孔,使用時(shí)進(jìn)入金屬集成懸置線空腔,和懸置線機(jī)...
          • 本發(fā)明公開一種金屬集成懸置線結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)及金屬集成懸置線結(jié)構(gòu)。金屬集成懸置線結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)采用絕緣材料制作,該絕緣材料的介電常數(shù)較、熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能、耐腐蝕符合預(yù)設(shè)要求;具有第一側(cè)部以及第二側(cè)部,所述第一側(cè)部與第二側(cè)部相對(duì),所述第一側(cè)部...
          • 本發(fā)明公開了一種變形保護(hù)結(jié)構(gòu)件及電池包,涉及電池包技術(shù)領(lǐng)域,包括電池支架與嵌裝槽,電池支架的側(cè)邊設(shè)有凸起的接觸端,接觸端的導(dǎo)筋延伸至嵌裝槽之間的區(qū)域,并與嵌裝槽的擋壁側(cè)端面連接。懸出于電池支架側(cè)邊的接觸端接收碰撞能量后,碰撞能量集中于接觸端...
          • 本發(fā)明公開了一種智能識(shí)別缺陷深度的裝置,包括:運(yùn)行邏輯模塊,SEM機(jī)臺(tái),第一神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。運(yùn)行邏輯模塊用于在智能識(shí)別缺陷深度時(shí)控制SEM機(jī)臺(tái)和第一神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行。在智能識(shí)別缺陷深度時(shí),SEM機(jī)臺(tái)對(duì)晶圓上缺陷所在第一芯片的缺陷位置進(jìn)行不同電壓下的...
          • 本申請(qǐng)涉及核反應(yīng)堆工程技術(shù)領(lǐng)域,公開一種反應(yīng)堆堆芯組件及其裝載方法。其中,反應(yīng)堆堆芯組件包括鋁填塊、控制棒導(dǎo)管、金屬組件和多個(gè)定位凸臺(tái)。鋁填塊限定出裝載空間??刂瓢魧?dǎo)管和金屬組件沿所述鋁填塊的軸向延伸并間隔布置于所述裝載空間內(nèi)。所述金屬組件...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N測量SRAM寫和讀最低工作電壓的方法,按列次序?qū)?shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元,測量SRAM寫最低工作電壓時(shí),對(duì)存儲(chǔ)單元陣列的每一列重復(fù)實(shí)施寫入數(shù)據(jù)后進(jìn)行讀出判定的操作,可以避免按行于存儲(chǔ)單元中寫入數(shù)據(jù)時(shí)字線產(chǎn)生的干擾,...
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