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								      本申請涉及一種回復內(nèi)容的生成方法、裝置、存儲介質(zhì)以及電子設(shè)備。該方法包括：在獲取到目標問題的情況下，確定目標問題所屬于的多個分類中的目標分類，其中，目標問題為自然語言的問題；將目標問題轉(zhuǎn)化為目標向量；將目標向量與向量數(shù)據(jù)庫中屬于目標分類下的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出了一種考慮語義內(nèi)容、社交關(guān)系和文本多方面屬性的社交媒體文本摘要方法，包括以下步驟：(1)構(gòu)建社交關(guān)系圖和語義關(guān)系圖的多關(guān)系圖；(2)引入了多流編碼器，旨在挖掘帖子間的社交與語義聯(lián)系，通過整合這些信息來解決帖子信息缺失問題；(3)在...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N信息處理方法、摘要生成方法、設(shè)備及存儲介質(zhì)，其中方法包括：獲取輸入信息，所述輸入信息包括用戶輸入的任務(wù)信息以及待處理的文檔集合，其中，所述任務(wù)信息至少用于指示生成所述文檔集合對應(yīng)的關(guān)鍵信息；根據(jù)所述輸入信息和所述用戶的歷史信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種芯片的阱邊界效應(yīng)優(yōu)化方法、裝置及電子設(shè)備，針對原始芯片版圖中的每個阱執(zhí)行，根據(jù)阱中N阱、高壓標記層及原始襯底層的存在狀態(tài)，確定阱的阱類型；確定預設(shè)范圍內(nèi)不存在除該阱類型之外的其他阱類型的相關(guān)層，且，不存在與該阱類型對應(yīng)的目標...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N部分屏蔽半導體器件及其形成方法。所述方法包括：提供半導體封裝件；分配墨水組合物以在所述半導體封裝件的表面上形成阻擋結(jié)構(gòu)，所述阻擋結(jié)構(gòu)將所述半導體封裝件的表面劃分為至少第一部分和第二部分；將包括金屬前體的流體分配到所述半導體封...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關(guān)于一種中框組件及電子設(shè)備，所述中框組件包括：框體，所述框體包括相對的第一邊和第二邊；多個天線，所述多個天線的至少一部分分別設(shè)置于所述第一邊和所述第二邊，所述多個天線輻射和/或接收第一頻段信號，其中，所述多個天線環(huán)繞所述框體設(shè)置以使...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請的實施例提供了一種網(wǎng)絡(luò)故障診斷方法、裝置、計算機可讀介質(zhì)及電子設(shè)備，該方法包括：在獲取到網(wǎng)絡(luò)通信流量信息之后，確定與網(wǎng)絡(luò)通信流量信息匹配的網(wǎng)絡(luò)通信場景信息，并根據(jù)網(wǎng)絡(luò)通信流量信息和網(wǎng)絡(luò)通信場景信息確定目標網(wǎng)元設(shè)備的地址信息；確定各目標...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種流量鏡像的處理方法、裝置、計算機設(shè)備、存儲介質(zhì)和計算機程序產(chǎn)品。該方法可以應(yīng)用于云計算技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：獲取與流量鏡像任務(wù)相關(guān)的地址集合，遍歷地址集合中的各地址，從當前遍歷至的地址所指向的端側(cè)獲取實時流量；若當前遍歷至的地...
								
            
							
            
							
						
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								      本實施例提供了集群接口板卡、業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備、業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)發(fā)方法及集群系統(tǒng)，該集群接口板卡包括轉(zhuǎn)發(fā)交換芯片、多個第一串行解串器接口和多個第二串行解串器接口。轉(zhuǎn)發(fā)交換芯片分別與多個第一串行解串器接口和多個第二串行解串器接口連接。多個第一串行解串器接口用...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種請求響應(yīng)方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：響應(yīng)于接收到的由目標客戶端發(fā)送的服務(wù)請求，獲取目標客戶端的標識和服務(wù)內(nèi)容信息；根據(jù)目標客戶端的標識，查詢到目標服務(wù)節(jié)點的服務(wù)接口，其中，目標服務(wù)節(jié)點表征與目...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關(guān)于一種攝像方法、攝像裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。攝像方法包括：響應(yīng)于接收到進行攝像的指令，獲取相機中棱鏡的當前旋轉(zhuǎn)角度信息，并獲取初始成像數(shù)據(jù)，所述初始成像數(shù)據(jù)為原始圖像信號經(jīng)過圖像信號處理后得到的圖像數(shù)據(jù)。根據(jù)所述當前旋轉(zhuǎn)角度信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種網(wǎng)絡(luò)性能監(jiān)測方法、裝置、核心網(wǎng)設(shè)備、存儲介質(zhì)及計算機程序產(chǎn)品，其中，方法包括：屬于終端的HPLMN的第一核心網(wǎng)設(shè)備在終端通過衛(wèi)星接入VPLMN的情況下，接收VPLMN的第二核心網(wǎng)設(shè)備上報的所述VPLMN相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)性能監(jiān)測數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種算力引擎容災節(jié)能方法、通信設(shè)備、存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品，包括：獲取主用引擎節(jié)點的節(jié)點狀態(tài)、所開通的目標特性服務(wù)和服務(wù)終端數(shù)量；根據(jù)目標特性服務(wù)確定主用引擎節(jié)點中的第一目標服務(wù)組件；根據(jù)節(jié)點狀態(tài)和服務(wù)終端數(shù)量控制第一目標服務(wù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，先對有源區(qū)進行預非晶化注入以破壞有源區(qū)表面晶格并增強后續(xù)表面處理效果，再將有源區(qū)邊界處的器件隔離結(jié)構(gòu)的頂角進行刻蝕去除以暴露出有源區(qū)的邊界頂角表面(包括頂角的頂面及側(cè)壁)，之后在低于100℃的含氧氛圍中對...
								
            
							
            
							
						
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								      一種氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制造方法，氮化鎵高電子遷移率晶體管包含晶體管結(jié)構(gòu)、散熱結(jié)構(gòu)及導電結(jié)構(gòu)。晶體管結(jié)構(gòu)包括復合半導體層及電極單元。復合半導體層具有氮化鎵層部。散熱結(jié)構(gòu)包括散熱絕緣層及設(shè)置于散熱絕緣層遠離復合半導體層的一側(cè)面的散熱金...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結(jié)構(gòu)、制備方法及電子裝置，包括基底、介質(zhì)層、柵極層、第一隔離層和第一隔離結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層位于所述基底與所述柵極層之間，所述第一隔離層位于所述柵極層上；所述基底上具有多個鰭式結(jié)構(gòu)，所述鰭式結(jié)構(gòu)穿過所述介質(zhì)層延伸至所述柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種MIS柵極結(jié)構(gòu)器件、芯片及相關(guān)設(shè)備，其中，該MIS柵極結(jié)構(gòu)器件包括：襯底、襯底上的柵介質(zhì)層、源極、漏極和柵極；其中，柵介質(zhì)層、源極和漏極均設(shè)置在襯底表面上，且柵介質(zhì)層設(shè)置于源極和漏極之間；在柵介質(zhì)層遠離襯底一側(cè)層疊有柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供了一種陣列基板，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。陣列基板具有顯示區(qū)和周邊區(qū)，周邊區(qū)包括第一綁定區(qū)。陣列基板包括依次層疊的襯底基板、驅(qū)動電路層、第一電極層、絕緣層和第二電極層。驅(qū)動電路層包括位于周邊區(qū)的多根信號走線，第二電極層包括位于第一綁...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種多晶硅薄膜及其制備方法和應(yīng)用。該多晶硅薄膜的制備方法包括如下步驟：在基底上制備非晶硅層，制備中間體；在氧氣、水蒸氣以及溫度為400℃條件下，對中間體進行第一退火處理，制備中間體I；在氧氣、水蒸氣以及溫度為400℃～550℃條件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于控制堿性電解槽的溫度的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)包括至少一個電解槽、氧氣分離器、氫氣分離器、堿液冷卻器、堿液循環(huán)泵，所述氧氣分離器和氫氣分離器位于所述電解槽的下游，從所述氧氣分離器和氫氣分離器分離出來的堿液流動到所述堿液冷卻器，...
								
            
							
            
							
						
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