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          最新專(zhuān)利技術(shù)
          • 提供激光加工方法、激光加工裝置以及電子器件的制造方法。一種激光加工方法,將激光裝置輸出的激光經(jīng)由掩模向被加工物照射,經(jīng)由掩模的照射包括如下工序:經(jīng)由第一掩模圖案向被加工物照射激光,第一掩模圖案形成有包含第一焊盤(pán)部的第一溝槽圖案和第一通孔圖案...
          • 一種定影部件、定影裝置及圖像形成裝置,所述定影部件具有如下表面層,該表面層相對(duì)于熔點(diǎn)為90℃且針入度為3(1/10mm)的費(fèi)托蠟,在150℃的滑落角為25度以下。
          • 本公開(kāi)的實(shí)施例涉及多處理器系統(tǒng)中的分區(qū)感知廣播操作過(guò)濾。各個(gè)實(shí)施例包括用于在計(jì)算系統(tǒng)中處理廣播操作的技術(shù)。通常,廣播操作被發(fā)送到特定子系統(tǒng)的所有部分,諸如高速緩存存儲(chǔ)器中的所有高速緩存切片等。因此,發(fā)出廣播操作的進(jìn)程會(huì)干擾訪問(wèn)未分配給該進(jìn)程...
          • 本發(fā)明提供了一種基于因果關(guān)系的跨平臺(tái)主題解耦中文攻擊性語(yǔ)言檢測(cè)方法,屬于人工智能技術(shù)中的自然語(yǔ)言處理領(lǐng)域,首先構(gòu)建因果圖,將與平臺(tái)相關(guān)的主題和與平臺(tái)無(wú)關(guān)的攻擊性語(yǔ)言解耦出來(lái);基于因果圖構(gòu)建中文攻擊性語(yǔ)言檢測(cè)模型;使用中文攻擊性語(yǔ)言數(shù)據(jù)集對(duì)中...
          • 一種城鎮(zhèn)河道淤污泥分級(jí)無(wú)害化消納方法,包括以下步驟:在目標(biāo)城鎮(zhèn)的河道內(nèi)進(jìn)行布點(diǎn)和采樣;對(duì)采集的樣品進(jìn)行污染物及養(yǎng)分含量分析;根據(jù)環(huán)境評(píng)價(jià)方法及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)淤污泥進(jìn)行分級(jí);通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證分級(jí)結(jié)果,并確定分類(lèi)處置方案。本發(fā)明相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)可極大提高減...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種三維可視化組織測(cè)算與方案演練驗(yàn)證方法,屬于計(jì)算機(jī)科學(xué)與信息技術(shù)技術(shù)領(lǐng)域,該練驗(yàn)證方法包括如下步驟:第一步,數(shù)據(jù)收集與預(yù)處理;第二步,高精度三維建模:利用先進(jìn)的建模技術(shù)和算法;第三步,組織測(cè)算與分析;第四步,優(yōu)化方案設(shè)計(jì)與制定...
          • 本發(fā)明涉及芯片半導(dǎo)體用封裝工藝方法技術(shù)領(lǐng)域,且公開(kāi)了一種芯片半導(dǎo)體用封裝工藝方法,包括以下具體方法步驟,S1芯片準(zhǔn)備:對(duì)芯片進(jìn)行清潔和檢查,確保其表面無(wú)污染物和缺陷;S2引線框架準(zhǔn)備:選擇合適的引線框架,并進(jìn)行清潔和預(yù)處理,以提高其與芯片和...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種具有抗卵巢衰老的鱘魚(yú)卵巢活性肽及其制備方法。本發(fā)明以鱘魚(yú)卵巢為原料,從不同酶解組合中通過(guò)體外抗氧化試驗(yàn)、卵巢顆粒細(xì)胞以及秀麗隱桿線蟲(chóng)試驗(yàn)選擇抗卵巢衰老活性最高的肽,通過(guò)質(zhì)譜鑒定其序列、分子對(duì)接等生物信息學(xué)技術(shù)篩選出三條具有抗卵...
          • 提供了一種包括背光單元的顯示裝置。液晶面板可以設(shè)置在背光單元上。背光單元可以向液晶面板提供光。例如,背光單元可以包括光源單元和設(shè)置在光源單元上的光學(xué)片。光路轉(zhuǎn)換單元可以設(shè)置在背光單元的光學(xué)片和液晶面板之間。穿過(guò)光路轉(zhuǎn)換單元的光可以被選擇性地...
          • 公開(kāi)了薄膜晶體管基板及包括其的顯示裝置。在該薄膜晶體管基板中,需要不同特性的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的有源層的載流子遷移率被設(shè)置為彼此不同,從而滿足具有不同功能的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管所需的兩種不同特性。
          • 本發(fā)明提供連接器以及加工機(jī)。用于將加工機(jī)和集塵設(shè)備連結(jié)起來(lái)的連接器具備:用于使加工機(jī)和集塵設(shè)備連通的貫通孔、以及由靜電擴(kuò)散性材料形成的外表面。
          • 本發(fā)明涉及餐飲門(mén)店智能補(bǔ)貨技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種餐飲門(mén)店智能補(bǔ)貨方法及系統(tǒng),其中所述方法包括:選擇基于梯度提升決策樹(shù)算法構(gòu)建預(yù)測(cè)模型,構(gòu)造以門(mén)店為粒度的品牌訓(xùn)練數(shù)據(jù),構(gòu)造特征工程并進(jìn)行特征篩選,訓(xùn)練所述預(yù)測(cè)模型;基于門(mén)店和物料構(gòu)建樣本集,獲取...
          • 公開(kāi)了一種具有提高的每個(gè)像素的開(kāi)口率的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。為此,該顯示面板包括:第一像素;以及第二像素,第二像素在第一方向上與第一像素相鄰,其中分別發(fā)射不同顏色的光并且在與第一方向相交的第二方向上彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光區(qū)域設(shè)置在...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種克立硼羅中間體4?[4?溴?3?(羥基甲基)苯氧基]苯甲腈有關(guān)物質(zhì)的檢測(cè)方法,該方法通過(guò)高效液相色譜法,色譜柱為C18柱,以超純水和有機(jī)相為流動(dòng)相,采用梯度洗脫方式進(jìn)行分離及檢測(cè)。
          • 描述了一種用于限制施加到電子結(jié)構(gòu)的電壓的電壓限制器模塊(14)。電壓限制器模塊(14)包括可連接到被測(cè)設(shè)備的第一端口(36)。電壓限制器模塊(14)還包括可連接到電子結(jié)構(gòu)的第二端口(38)。電壓限制器模塊(14)包括連接第一端口(36)和第...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種火災(zāi)智慧報(bào)警控制系統(tǒng)、方法、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述的控制系統(tǒng)包括:火災(zāi)探測(cè)控制模塊,用于探測(cè)火災(zāi)信號(hào),當(dāng)探測(cè)到火災(zāi)信號(hào)時(shí)輸出第一控制信號(hào)至控制器;人員探測(cè)控制模塊,用于探測(cè)人員信號(hào),當(dāng)探測(cè)到人員時(shí)輸出第二控制信號(hào)至控制器;...
          • 一種腳架裝置,包括一安裝部及一樞接件。安裝部用于連接到所述輪式器具,樞接件樞接到所述安裝部。樞接件繞一樞軸線在一第一位置及一第二位置位置之間樞轉(zhuǎn),樞接件在第一位置時(shí)接觸地面并使所述輪式器具保持在一直立狀態(tài),在所述第二位置時(shí)遠(yuǎn)離與地面的接觸。...
          • 本發(fā)明涉及分子篩合成技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種Sn?Beta分子篩及其制備方法和應(yīng)用以及環(huán)酮的氧化反應(yīng)方法,所述分子篩的硅錫摩爾比為8?15,所述分子篩在200℃脫附溫度下吡啶紅外L酸含量為600?900μmol/g。本發(fā)明提供的Sn?Beta分...
          • 本發(fā)明涉及分子篩合成技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種Sn?Y型分子篩及其制備方法和應(yīng)用以及環(huán)酮的氧化反應(yīng)方法,所述分子篩的表面硅錫摩爾比為50?70,體相硅錫摩爾比為200?300。本發(fā)明提供的Sn?Y型分子篩Sn主要集中分布于Y分子篩的外表面,對(duì)環(huán)酮...
          • 本公開(kāi)的實(shí)施例涉及計(jì)算系統(tǒng)中的同時(shí)分布式和非分布式地址映射和路由協(xié)議。各個(gè)實(shí)施例包括用于在計(jì)算系統(tǒng)中執(zhí)行存儲(chǔ)器操作的技術(shù)。計(jì)算系統(tǒng)中的處理單元通過(guò)使用兩個(gè)并發(fā)的存儲(chǔ)器地址映射(AMAP)訪問(wèn)存儲(chǔ)器來(lái)執(zhí)行存儲(chǔ)器操作。處理單元經(jīng)由第一細(xì)粒度分布...
          技術(shù)分類(lèi)
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