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          • 本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例提供數(shù)據(jù)處理方法以及裝置、數(shù)據(jù)傳輸方法以及裝置、數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)、計(jì)算設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,其中該數(shù)據(jù)處理方法包括:確定待存儲(chǔ)關(guān)系圖中的節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)以及邊數(shù)據(jù);從所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊的多層級(jí)存儲(chǔ)單元中確定第一層存儲(chǔ)單元,并...
          • 本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)處理方法、裝置、電子設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括:從預(yù)設(shè)存儲(chǔ)處理組件中確定目標(biāo)操作任務(wù)采用的目標(biāo)存儲(chǔ)處理組件,目標(biāo)存儲(chǔ)處理組件中預(yù)先封裝有用于執(zhí)行目標(biāo)操作任務(wù)所要采用的目標(biāo)任務(wù)存儲(chǔ)接口,目標(biāo)任務(wù)存儲(chǔ)接口預(yù)先關(guān)...
          • 本公開(kāi)涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。通過(guò)獲取待寫(xiě)入的目標(biāo)數(shù)據(jù),將待寫(xiě)入的目標(biāo)數(shù)據(jù)寫(xiě)入到多副本節(jié)點(diǎn)的云盤(pán)中,將多副本節(jié)點(diǎn)的云盤(pán)按照預(yù)設(shè)邏輯地址劃分為多個(gè)地址空間,并為每個(gè)地址空間分配一個(gè)糾刪條帶,在對(duì)多副本節(jié)點(diǎn)的云盤(pán)中的目標(biāo)...
          • 本發(fā)明涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)一種觸摸框及顯示裝置,包括邊框、發(fā)射燈珠、接收燈珠及濾光條,邊框包括第一側(cè)邊和第二側(cè)邊,發(fā)射燈珠和接收燈珠分別設(shè)置于第一側(cè)邊和第二側(cè)邊;濾光條設(shè)置于第一側(cè)邊,濾光條包括濾光主體和多個(gè)棱鏡結(jié)構(gòu),多個(gè)棱鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用在一觸摸裝置的一觸摸顯示整合電路的偵測(cè)方法,包括根據(jù)關(guān)于一主動(dòng)筆的一感測(cè)信號(hào)的強(qiáng)度的信息,判斷主動(dòng)筆是否接觸觸摸裝置,以及,在判斷主動(dòng)筆接觸觸摸裝置后,提供主動(dòng)筆的一位置信息或所述感測(cè)信號(hào),從而可提高用戶體驗(yàn)。
          • 本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N解決跨設(shè)備間的手勢(shì)沖突的方法,主要應(yīng)用于第一電子設(shè)備通過(guò)發(fā)起鏡像控制請(qǐng)求操控協(xié)同終端大屏的場(chǎng)景,該方法包括:第一電子設(shè)備加載第一手勢(shì)列表、沖突手勢(shì)處理策略表,并接收第二手勢(shì)列表;在所述第一電子設(shè)備界面顯示預(yù)定義的沖突處理策略...
          • 本申請(qǐng)涉及一種可卸式轉(zhuǎn)接卡籠,包括一籠體、一卡閂與一操作件,籠體包括一頂板部及一側(cè)板部,頂板部與側(cè)板部固定連接并形成一容置空間,容置空間位于側(cè)板部的一內(nèi)側(cè)。卡閂與側(cè)板部樞接,卡閂位于側(cè)板部的一外側(cè)。操作件與籠體樞接且與卡閂運(yùn)動(dòng)連接。其中,可...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于直流加熱的溫度區(qū)間自動(dòng)控制電路,所述溫度區(qū)間自動(dòng)控制電路包括:溫度檢測(cè)與控制電路和加熱器控制電路;所述溫度檢測(cè)與控制電路包括:第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、熱敏電阻RT1及比較運(yùn)算...
          • 本申請(qǐng)涉及探測(cè)器熱管理的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種硅光電倍增管探測(cè)器陣列熱管理系統(tǒng)及熱管理方法,熱管理方法包括以下步驟:利用探測(cè)器陣列采集多個(gè)目標(biāo)物體圖像;針對(duì)每一目標(biāo)物體圖像,以時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換單元作為溫度傳感器,采集溫度數(shù)據(jù)構(gòu)成第一輸入數(shù)據(jù)集;...
          • 本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種對(duì)機(jī)器人的調(diào)度方法、裝置、電子設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:獲取調(diào)度隊(duì)列中的至少一組調(diào)度參數(shù);基于所述調(diào)度參數(shù),確定目標(biāo)調(diào)度機(jī)器人以及與所述目標(biāo)調(diào)度機(jī)器人相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)調(diào)度任務(wù);將所述目標(biāo)調(diào)度任務(wù)添加任務(wù)處理隊(duì)列中,以依...
          • 本申請(qǐng)涉及穿戴設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,提供一種可拆卸結(jié)構(gòu)及穿戴設(shè)備,可拆卸結(jié)構(gòu)包括:主殼體、底座和鎖止組件;底座設(shè)有卡槽、第一斜面和限位塊,卡槽和第一斜面相鄰設(shè)置,限位塊滑動(dòng)連接于底座且可復(fù)位;鎖止組件設(shè)于主殼體一端的底側(cè),鎖止組件包括第一安裝位、鎖...
          • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鏡片姿態(tài)補(bǔ)償機(jī)構(gòu)、鏡頭調(diào)節(jié)系統(tǒng)及光學(xué)設(shè)備,鏡片姿態(tài)補(bǔ)償機(jī)構(gòu)包括:中間筒通過(guò)直線驅(qū)動(dòng)件與第一外筒連接;中間筒設(shè)有球形凹面,外周均勻布設(shè)有至少兩個(gè)角度驅(qū)動(dòng)件,且角度驅(qū)動(dòng)件的數(shù)量為偶數(shù);補(bǔ)償鏡片安裝于第一...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光刻機(jī)套刻誤差補(bǔ)償方法、裝置、系統(tǒng)和介質(zhì),根據(jù)不同應(yīng)力補(bǔ)償后套刻誤差分布,利用最小二乘法求解得到不同應(yīng)力補(bǔ)償后套刻誤差分布對(duì)應(yīng)的高階多項(xiàng)式的不同系數(shù);將不同系數(shù)的套刻誤差敏感度進(jìn)行排序,根據(jù)從大到小的順序?qū)μ卓陶`差敏感度進(jìn)行逐...
          • 本發(fā)明提供了一種套刻偏差的檢測(cè)結(jié)構(gòu)及其制備方法、套刻偏差的檢測(cè)方法。該檢測(cè)結(jié)構(gòu)中,在形成有源區(qū)的區(qū)域內(nèi)進(jìn)一步得到閾值電壓劇烈變化的區(qū)域(即,第一區(qū)域),并將第一接觸結(jié)構(gòu)形成在該第一區(qū)域內(nèi),由于第一接觸結(jié)構(gòu)形成在閾值電壓劇烈變化的區(qū)域內(nèi),因此...
          • 本發(fā)明的目的在于提供一種組合物不易析出、可形成經(jīng)時(shí)穩(wěn)定性及低溫煅燒工序后的耐溶劑性良好、耐高溫高濕性優(yōu)異的硬化膜的感光性組合物及其應(yīng)用。一種感光性組合物,包含色素(A)、堿可溶性樹(shù)脂(B)、聚合性化合物(C)、光聚合引發(fā)劑(D)、及溶劑(E...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種顯示面板及顯示裝置中,能夠解決按壓后出現(xiàn)的藍(lán)色斑塊的問(wèn)題。第一基板包括第一金屬層、有源層和第二金屬層,第一基板還包括多個(gè)第一凸臺(tái)和多個(gè)第二凸臺(tái);第二基板包括多個(gè)支撐柱,多個(gè)支撐柱包括多個(gè)主支撐柱、多個(gè)副支撐柱和多個(gè)中間支撐柱;...
          • 本申請(qǐng)涉及微機(jī)電系統(tǒng)的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種具備電容測(cè)角功能的MEMS掃描鏡裝置,包括包括掃描組件、測(cè)角組件,掃描組件包括矩形鏡面、四個(gè)壓電模塊,四個(gè)壓電模塊用于承接施加電壓以帶動(dòng)矩形鏡面的偏轉(zhuǎn);測(cè)角組件包括:電容極板,其間隔設(shè)于矩形鏡面下...
          • 本發(fā)明提供了一種MEMS掃描鏡的制備方法,包括以下步驟:準(zhǔn)備SOI晶圓;在SOI晶圓器件層的上表面依次生長(zhǎng)底電極層、PZT壓電薄膜層和頂電極層,并依次刻蝕,僅保留與第一壓電驅(qū)動(dòng)梁和第二壓電驅(qū)動(dòng)梁對(duì)應(yīng)的底電極層、PZT壓電薄膜層和頂電極層;整...
          • 本發(fā)明提供了一種可防止鏡面形變的MEMS掃描鏡及制備方法,制備方法包括:準(zhǔn)備SOI晶圓;在所述器件層的上表面依次生長(zhǎng)底電極層和PZT壓電薄膜層,并依次刻蝕所述PZT壓電薄膜層和底電極層,僅保留與所述壓電驅(qū)動(dòng)梁對(duì)應(yīng)的PZT壓電薄膜層和底電極層...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于沖洗帶殘余油氣飽和度的儲(chǔ)層類別判斷方法,涉及測(cè)井解釋技術(shù)領(lǐng)域,步驟為通過(guò)常規(guī)測(cè)井獲取中子、密度測(cè)井?dāng)?shù)據(jù);獲取沖洗帶殘余油氣的密度;計(jì)算沖洗帶殘余油氣的含氫指數(shù);獲取沖洗帶殘余油氣的中子視孔隙度和密度視孔隙度;根據(jù)中子和密...
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