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								      一種半導體器件及其制造方法、電子設備，所述半導體器件包括：多個存儲單元，分布于不同層、沿著垂直于襯底的方向堆疊且周期性分布；所述存儲單元包括晶體管；所述晶體管包括單晶硅柱、至少部分環(huán)繞所述單晶硅柱的柵電極和位于所述單晶硅柱與所述柵電極之間的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N種鐵電存儲器及其制備方法、電子設備。該鐵電存儲器包括：襯底和形成在襯底上的多個存儲單元，每個存儲單元包括鐵電電容；鐵電電容包括堆疊的第一電極和第二電極，和鐵電層；鐵電層包括氧化鉿、氧化鋯中的至少一種材料以及摻雜元素；摻雜元素的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種顯示單元、顯示面板和顯示模組，屬于顯示技術領域。顯示面板包括陣列分布的顯示單元，顯示單元包括依次層疊設置的發(fā)光單元、第一光學單元和第二光學單元；發(fā)光單元用于提供激發(fā)光；第一光學單元對來自發(fā)光單元側(cè)的激發(fā)光呈現(xiàn)增透特性；第二光學...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種QLED器件及其應用。所述QLED器件包括發(fā)光層，所述發(fā)光層包括依次層疊設置的第一發(fā)光層、激子阻擋層和第二發(fā)光層；所述第一發(fā)光層的材料包括第一主體基質(zhì)和染料；所述染料包括藍光染料和/或黃光染料。本發(fā)明中通過對QLED器件發(fā)光層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供的一種顯示面板及電子設備，涉及顯示技術領域，所述顯示面板包括陣列基板；層疊于所述陣列基板一側(cè)的光取出層和多個發(fā)光子像素；所述光取出層在所述陣列基板上的正投影與所述發(fā)光子像素在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊，所述光取出層包...
								
            
							
            
							
						
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								      一種二次電池包括：電極組件，包括第一電極板、第二電極板和隔膜；殼體，被配置以容納電極組件；以及蓋組件，聯(lián)接到殼體的開放的上側(cè)。支撐結(jié)構(gòu)設置并固定到電極組件的下端，并且支撐結(jié)構(gòu)被支撐以與殼體的下底表面接觸。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于機動車驅(qū)動電池的單體接觸系統(tǒng)的熔斷器，所述熔斷器可這樣設置在驅(qū)動電池的電池單體區(qū)域中且這樣確定尺寸，使得在電池單體熱失控時電池單體的反應熱與在此在電池單體端子區(qū)域中出現(xiàn)的相關短路電流的歐姆損耗以及與在此在熔斷器上出現(xiàn)的短路...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種問答方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。所述方法包括：在目標提問內(nèi)容的答復場景為非預設場景時，通過從緩存中查詢目標提問內(nèi)容對應的目標答復內(nèi)容并反饋給目標賬號，以減少預設大語言模型的使用頻次，從而降低預設大語言模型的使用代價，以解...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于生成式人工智能技術的電廠設計專題報告生成方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)數(shù)據(jù)采集與處理；(2)自然語言處理與信息提取；(3)生成式人工智能模型訓練；(4)報告生成與內(nèi)容組織；(5)報告輸出與定制化；(6)質(zhì)量評估與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例提供了問答處理的方法、裝置、電子設備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品，所述方法包括：獲取用戶輸入的問題文本，并生成所述問題文本對應的第二向量；采用所述第二向量，在預先構(gòu)建的向量庫中進行向量匹配，得到目標第一向量，并確定所述目標第一向量對應的目標...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種利用空氣腔增強氧化鎵外延質(zhì)量的制備方法，該方法通過降低位錯密度來提高薄膜質(zhì)量。在具體實施過程中，我們采用光刻技術在襯底上形成具有特定圖案的光刻膠，隨后對帶有光刻膠圖案的襯底進行熱回流處理。接著，在熱回流后的襯底上進行非晶態(tài)或...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝耍环N多芯片的封裝結(jié)構(gòu)、光模塊和光通信系統(tǒng)，包括：基板，基板的頂面配置有多個芯片，多個芯片包括至少一個電芯片和光芯片；其中，基板的頂面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域與基板的底面的距離大于第二區(qū)域與基板的底面的距離，第一區(qū)域用于...
								
            
							
            
							
						
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								      一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途屬于電極材料領域。化學通式表示為：Nax(NiyMn1?y)1?βMβ...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明適用于電機制造技術領域，提供了一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝，包括集成前端蓋或集成后端蓋，所述集成前端蓋或集成后端蓋內(nèi)設有定子鐵芯和定子繞組，所述集成前端蓋或集成后端蓋采用可塑性材質(zhì)成型；其中，所述定子繞組置于所述定子鐵芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供半導體裝置及其形成方法。半導體裝置包括碳化硅基板、外延層、阱區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、第一絕緣柱、一對第一介電間隔物以及接觸部件。碳化硅基板具有第一區(qū)以及第二區(qū)，且具有第一導電類型。外延層設置于碳化硅基板上且具有第一導電類型。阱區(qū)位于外延層中...
								
            
							
            
							
						
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								      提供半導體裝置及其形成方法。半導體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū)，且具有第一導電類型。外延層設置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導電類型。第一電極設置于第一區(qū)的外延層中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行離子注入，以將3A族離子注入非晶...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行熱處理，以使非晶態(tài)半導體薄膜轉(zhuǎn)換...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種半導體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng)，涉及半導體芯片技術領域，旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設置于襯底一側(cè)，包括第一部分...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種半導體器件及其制備方法，所述方法包括：在襯底上形成柵極層；在所述柵極層上形成第一掩膜層；利用所述第一掩膜層對所述柵極層進行刻蝕，形成柵極；對所述襯底進行離子摻雜，以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū)；去除所述第一掩膜層；形成覆蓋...
								
            
							
            
							
						
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