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								      本申請涉及一種二次電池和用電裝置，屬于電池技術領域。本申請二次電池包括正極片，所述正極片包括正極集流體和位于所述正極集流體至少一個表面上的正極材料，所述正極材料包含正極活性材料，所述正極活性材料包括鎳錳酸鋰顆粒，通過控制45℃及1C倍率下充...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及生態環保技術領域，具體涉及一種去除水體重金屬污染物的微生物燃料電池顆粒及其制備方法，該微生物燃料電池顆粒包括產電菌基質、凝膠層、陽極、陰極；陽極外依次包裹產電菌基質、凝膠層、陰極，陽極和陰極采用導線連接；產電菌基質為活性污泥或濕地...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種燃料電池發電系統及其的控制方法，該系統通過在燃料電池電堆輸出與DCAC（直流?交流轉換器）之間母線上分支一路給DCDC（直流?直流轉換器）供電的架構上，對電堆的電流以下方法進行控制，即在獲取并網/負載的實際功率值與目標功率值...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種液流電池的能量智能調度方法及系統，涉及液流電池技術領域，方法包括：實時采集液流電池能量運行參數，動態估算電解液狀態獲取多個能量狀態信息；再據此設定待調度目標，及逆行多目標優化制定模糊控制策略；執行模糊控制策略生成調控信號集并...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種基于溫度分布數據的燃料電池熱管理優化方法及系統，涉及燃料電池管理技術領域，通過分析每塊燃料電池的歷史運行記錄，構建功率輸出和溫度變化曲線并對齊，形成歷史曲線對照組；分析對照組，識別溫度穩定段，截取其前預設時間的功率輸出段，構...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種聚合物鋰電池正極片的制備方法，該工藝實現了電極材料?結構?工藝的一體化優化。功能性聚合物導電劑與Se?CeO2摻雜的協同作用，顯著增強了電極的導電性、結構穩固性和界面穩定性，而精細化漿料混合與輥壓控制則保...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種電池單體、電池裝置和用電裝置，屬于電池技術領域，電池單體包括外殼、電極端子、電極組件和粘接件。電極端子設置于外殼。電極組件位于外殼內且與電極端子電連接，電極組件包括正極極片、負極極片和設置在正極極片和負極極片之間的隔離件，電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種極片及其制備工藝，涉及鋰電池制造技術領域。本發明將多個復合集流體極片疊放，各層復合集流體極片的A極耳向下翻折與下層A面連接，B極耳向上翻折與上層B面連接，最外層極耳直接引出，通過金屬鋁箔或銅箔作為總引出端引出電流，焊接方式包...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種鋰電池正極漿料、正極極片及制備方法和應用，屬于電池極片加工技術領域，所述正極漿料包括：正極活性物質、導電劑、粘結劑和溶劑；所述溶劑包括酰胺類溶劑和二氯甲烷，所述正極活性物質、導電劑、粘結劑的質量比為（70?80）：（10?15...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體器件結構及其制備方法，包括：提供半導體結構，半導體結構包括器件基底和位于器件基底上的金屬互連層，器件基底中具有半導體器件的功能元件；于半導體結構中形成深溝槽，深溝槽貫穿金屬互連層后伸入器件基底；淀...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結構、制備方法及半導體器件，包括提供初始半導體結構；初始半導體結構包括器件層、位于器件層上的第一介質層和位于第一介質層上與頂層金屬層之間的至少一層第一布線層，至少一層第一布線層中頂端的第一布線層包括第一金屬層、覆蓋第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種集成深溝槽隔離結構的器件及其制備方法；制備方法可以包括：提供半導體結構，半導體結構包括基底、層疊于基底表面的柵極材料層和層疊于柵極材料層的掩膜層，基底中形成有半導體器件的功能元件；于半導體結構中形成深溝...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結構、制備方法及半導體器件，包括提供初始半導體結構；初始半導體結構包括基底、嵌設于基底中的摻雜埋層、暴露于基底表面的淺溝槽隔離結構、位于基底上的柵極、覆蓋于柵極和基底表面的阻擋層、層疊于阻擋層上的第一介質層和位于第一介...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體制造技術領域，具體公開了一種全自動飛秒激光聚焦離子束顯微加工系統，包括：離子束設備、作業臺、操作組件與輔助作業組件。輔助作業組件包括：第一載具、第二載具、第一調節機構和第二調節機構；第一載具用于放置第一樣品；第二載具用于放置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種晶圓翻轉裝置及晶圓翻轉設備，包括可移動的承載件：支撐部，設于所述承載件；相對設置的夾持機構，均可移動的設于所述支撐部，每個所述夾持機構均包括多個夾持組件，所述夾持組件用于夾持晶圓，且多個所述夾持組件沿豎直方向間隔設置；相對設...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種具有檢測功能的晶圓運輸裝置，其特征在于，包括可移動的承載件；連接部，設于所述承載件；相對設置的夾持機構，所述夾持機構可移動的設于所述連接部；相對設置的所述夾持機構相互靠近，以夾持所述晶圓；相對設置的所述夾持機構相互遠離，以松...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種半導體器件的制造方法及制造系統。半導體器件的制造系統包括控制器以及光捕獲操控裝置。控制器被配置為基于晶圓表面的缺陷分布圖及缺陷分布圖中缺陷的缺陷類型，確定晶圓的表面的目標缺陷及目標缺陷的位置。光捕獲操控裝置與控制器耦接，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種半導體石英管內置式推片裝置，涉及推片技術領域，包括抗壓板，所述抗壓板的頂部靠近一側邊緣處設置用于對石英管進行高溫處理的檢測組件，所述檢測組件包括有石英管本體和推片本體。該一種半導體石英管內置式推片裝置，當需要使用推片裝置將硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種用于半導體材料鍵合的設備和半導體材料鍵合方法，屬于半導體材料加工設備技術領域。用于半導體材料鍵合的設備包括旋轉工作模塊、升降工作模塊和厚度檢測模塊，旋轉工作模塊的旋轉壓臺與旋轉驅動單元的輸出端傳動連接；升降工作模塊的升降壓臺...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種擺臂軌跡規劃方法及晶圓清洗機，所述方法包括預設擺臂擺動的起始位置、目標位置、終止位置以及與起始位置、目標位置、終止位置分別對應的起始速度、目標速度、終止速度，預設切換速度，切換速度小于目標速度，擺臂自所述起始位置至所述終止位...
								
            
							
            
							
						
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