武漢華星光電半導體顯示技術有限公司寧為民獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉武漢華星光電半導體顯示技術有限公司申請的專利發光器件及其制備方法、顯示裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119546050B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411958935.0，技術領域涉及：H10K50/12；該發明授權發光器件及其制備方法、顯示裝置是由寧為民;顧宇;王振民;王芳;夏國奇;彭琴琴設計研發完成，并于2024-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光器件及其制備方法、顯示裝置在說明書摘要公布了：本申請公開了一種發光器件及其制備方法和顯示裝置，其中，發光層包括主體材料、敏化劑和熒光客體材料，敏化劑的摻雜濃度與熒光客體材料的摻雜濃度的比值較高，旨在改善現有的發光器件的效率較低和壽命較短的問題。本申請還公開了一種發光器件的制備方法，在第一電極表面通過線源真空蒸鍍發光層，分別將主體材料、敏化劑和熒光客體材料至于對應的蒸發源中，熒光客體材料的蒸發源優先掃描，調節三個蒸發源的蒸鍍速率，以使所述敏化劑與所述熒光客體材料的摻雜濃度隨著所述發光層厚度的增加而逐漸上升或下降；在發光層表面蒸鍍第二電極。
本發明授權發光器件及其制備方法、顯示裝置在權利要求書中公布了：1.一種發光器件，其特征在于，包括第一電極、第二電極以及設置于所述第一電極與所述第二電極之間的發光層； 所述發光層包括：主體材料、敏化劑和熒光客體材料； 其中，所述發光層包括第一激子區域，所述敏化劑具有兩個最大摻雜濃度，所述熒光客體材料具有兩個最小摻雜濃度，且所述第一激子區域內含有一個所述敏化劑的所述最大摻雜濃度以及一個所述熒光客體材料的所述最小摻雜濃度，以使得沿所述第一電極至所述第二電極的方向上，隨著所述發光層厚度的增加，所述第一激子區域內所述敏化劑的摻雜濃度先增加后減小，所述第一激子區域內所述熒光客體材料的摻雜濃度先減小后增加。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，其通訊地址為：430079 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道666號光谷生物創新園C5棟305室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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