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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利一種具有載流子泄漏抑制層的半導(dǎo)體發(fā)光元件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119108477B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411231962.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)一種具有載流子泄漏抑制層的半導(dǎo)體發(fā)光元件是由鄭錦堅(jiān);尋飛林;李曉琴;曹軍;黃軍;張會(huì)康;蔡鑫;藍(lán)家彬;張江勇;鄧和清;李水清設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-09-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種具有載流子泄漏抑制層的半導(dǎo)體發(fā)光元件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提出了一種具有載流子泄漏抑制層的半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、n型半導(dǎo)體，量子阱和p型半導(dǎo)體，所述p型半導(dǎo)體與量子阱之間設(shè)置有第一載流子泄漏抑制層和第二載流子泄漏抑制層，且所述第一載流子泄漏抑制層位于所述第二載流子泄漏抑制層下方，所述第一載流子泄漏抑制層和第二載流子泄漏抑制層均具有電子有效質(zhì)量分布特性和介電常數(shù)分布特性。本發(fā)明通過調(diào)控第一載流子泄漏抑制層與量子阱的界面以及第二載流子泄漏抑制層、第一載流子泄漏抑制層與p型半導(dǎo)體界面的電子有效質(zhì)量和介電常數(shù)的界面變化角度和界面均性，多重界面調(diào)制界面能帶和界面帶階，提升電子溢流勢(shì)壘，降低電子溢流至p型半導(dǎo)體的幾率。

本發(fā)明授權(quán)一種具有載流子泄漏抑制層的半導(dǎo)體發(fā)光元件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有載流子泄漏抑制層的半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、n型半導(dǎo)體，量子阱和p型半導(dǎo)體，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體與量子阱之間設(shè)置有載流子泄漏抑制層，所述載流子泄漏抑制層包括第一載流子泄漏抑制層和第二載流子泄漏抑制層，且所述第一載流子泄漏抑制層位于所述第二載流子泄漏抑制層下方，所述第一載流子泄漏抑制層和第二載流子泄漏抑制層均具有電子有效質(zhì)量分布特性和介電常數(shù)分布特性； 所述第一載流子泄漏抑制層的電子有效質(zhì)量的峰值位置往量子阱方向的下降角度為α，所述第一載流子泄漏抑制層的介電常數(shù)的谷值位置往量子阱方向的上升角度為γ，其中：15°≤γ≤α≤90°； 所述第一載流子泄漏抑制層的電子有效質(zhì)量的峰值位置往p型半導(dǎo)體方向的下降角度為δ，所述第一載流子泄漏抑制層的介電常數(shù)的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為其中： 所述第二載流子泄漏抑制層的電子有效質(zhì)量的峰值位置往量子阱方向的下降角度為μ，所述第二載流子泄漏抑制層的介電常數(shù)的谷值位置往量子阱方向的上升角度為ρ，其中：10°≤ρ≤μ≤90°； 所述第二載流子泄漏抑制層的電子有效質(zhì)量的峰值位置往p型半導(dǎo)體方向的下降角度為ε，所述第二載流子泄漏抑制層的介電常數(shù)的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為κ，其中：3°≤κ≤ε≤90°。

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