蘇州精材半導體科技有限公司;北京精材半導體科技有限公司樸鐘熏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州精材半導體科技有限公司;北京精材半導體科技有限公司申請的專利連續式化學氣相沉積方法、系統、程序和存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119265549B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411383172.1，技術領域涉及：C23C16/52；該發明授權連續式化學氣相沉積方法、系統、程序和存儲介質是由樸鐘熏;崔海珍;金錫津設計研發完成，并于2024-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本連續式化學氣相沉積方法、系統、程序和存儲介質在說明書摘要公布了：本公開涉及化學氣相沉積技術領域，特別地涉及一種連續式化學氣相沉積方法、系統、程序和存儲介質。方法包括：將設置有基材的第一反應容器設置于第二工位，進行化學氣相沉積反應；將設置有基材的第二反應容器設置于第一工位，調節第三工位和所述第一工位的氣氛，使之與第二工位一致；將反應完畢的所述第一反應容器移動至第三工位，然后將所述第二反應容器移動至所述第二工位，進行化學氣相沉積反應。本公開的連續式化學氣相沉積方法、系統、程序和存儲介質能夠提供沉積產品的生產效率。
本發明授權連續式化學氣相沉積方法、系統、程序和存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種連續式化學氣相沉積方法，其特征在于，包括如下步驟： 將設置有基材的第一反應容器設置于第二工位12，在所述第二工位（12）內，通過使所述第一反應容器上設置的氣體接口（42）與所述第二工位（12）對應的通孔對接，由氣體支持裝置（3）向所述第一反應容器內供給反應氣氛，進行化學氣相沉積反應； 將設置有基材的第二反應容器設置于第一工位11，調節第三工位13和所述第一工位11的氣氛，使之與第二工位12一致； 將反應完畢的所述第一反應容器移動至第三工位13，然后將所述第二反應容器移動至所述第二工位12，并在所述第二工位（12）內，通過使所述第二反應容器上設置的氣體接口（42）與所述第二工位（12）對應的通孔對接，由氣體支持裝置（3）向所述第二反應容器內供給反應氣氛，進行化學氣相沉積反應。
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