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龍圖騰網獲悉上海芯導電子科技股份有限公司申請的專利SGT MOS管的器件結構制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119603984B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411442909.2，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權SGT MOS管的器件結構制備方法是由魏雪嬌;陳敏;歐新華;袁瓊;戴維設計研發完成，并于2024-10-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本SGT MOS管的器件結構制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了SGTMOS管的器件結構制備方法，該方法包括：在外延層的表面和外延層的第一凹槽側壁上依次形成第一熱氧化層、隔離層和溝槽氧化層，在滿足溝槽側壁氧化層的厚度要求的基礎上，對第一熱氧化層的厚度進行減薄，以減少對外延層的消耗，從而提高SGT管的耐壓性能。在溝槽氧化層構成的凹槽內沉積第一多晶硅層，并去除第一凹槽內的部分溝槽氧化層，由于設置了所述隔離層，因此第一多晶硅層突出部分表面的柵間氧化層可按需求厚度進行生成，從而降低了SGT管的柵源電容。沉積第二多晶硅層并對第一凹槽兩側的外延層進行第一離子注入和第二離子注入。在襯底上沉積層間介質層，完成器件結構的制備。

本發明授權SGT MOS管的器件結構制備方法在權利要求書中公布了：1.一種SGTMOS管的器件結構制備方法，其特征在在于，用于制備SGT管的器件結構，該方法包括： S1：提供一襯底； S2：在襯底上形成外延層； S3：在所述外延層的第一區域形成第一凹槽； S4：對所述外延層的表面、所述第一凹槽的側壁以及所述第一凹槽的底部進行熱氧化處理，以在所述外延層的表面、所述第一凹槽的側壁以及所述第一凹槽的底部生成第一熱氧化層； S5：對所述外延層的表面、所述第一凹槽的側壁以及所述第一凹槽的底部上的第一熱氧化層上依次沉積隔離層和溝槽氧化層； S6：在所述第一凹槽內沉積第一多晶硅層，所述第一多晶硅層位于所述溝槽氧化層上，且所述第一多晶硅層的頂部與所述外延層的表面齊平； S7：去除所述外延層表面的所述溝槽氧化層以及所述第一凹槽內的一部分溝槽氧化層，以使得所述第一多晶硅層突出于第一凹槽內剩余的溝槽氧化層；其中，所述第一多晶硅層與其兩側的所述第一熱氧化層和剩余的所述溝槽氧化層分別形成第二凹槽和第三凹槽； S8：對所述第一多晶硅層突出于所述溝槽氧化層的部分進行熱氧化，以在突出于所述溝槽氧化層的所述第一多晶硅層的部分的表面生成第二熱氧化層； S9：去除所述外延層表面的所述隔離層以及所述第一凹槽內的一部分隔離層； S10：在所述第二凹槽和所述第三凹槽內均沉積第二多晶硅層，且所述第二多晶硅層的頂部與所述外延層的表面齊平； S11：對所述第一凹槽兩側的所述外延層進行第一離子注入，以在所述外延層的第二區域形成阱區；以及對所述阱區進行第二離子注入，以在所述阱區的第三區域形成源區； S12：在所述襯底上沉積層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述源區、所述第二多晶硅層以及所述第二熱氧化層。

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