篆芯半導(dǎo)體(蘇州)有限公司王星獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉篆芯半導(dǎo)體(蘇州)有限公司申請(qǐng)的專利雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng)、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備獲國家實(shí)用新型專利權(quán),本實(shí)用新型專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN223390275U 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉:該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202422836243.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G11C16/30;該實(shí)用新型雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng)、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備是由王星;陳勁鋒;柳雷設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-11-20向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng)、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備在說明書摘要公布了:本申請(qǐng)公開了一種雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng)、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備。該雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng),包括內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電路、上拉端接電阻、地址信號(hào)線、以及多個(gè)內(nèi)存顆粒;所述內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電路和所述內(nèi)存顆粒均連接所述地址信號(hào)線;所述上拉端接電阻的第一端連接所述地址信號(hào)線,所述上拉端接電阻的第二端連接芯片核心電源。本申請(qǐng)的雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng),利用芯片核心電源VCC作為DDR地址信號(hào)線的端接選擇,從而解決了相關(guān)技術(shù)中存在的在電阻排周圍無法鋪設(shè)IOVDD電源而造成內(nèi)存顆粒的地址信號(hào)開路從而導(dǎo)致信號(hào)質(zhì)量嚴(yán)重惡化帶來的問題。
本實(shí)用新型雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng)、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了:1.一種雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存系統(tǒng),其特征在于,包括內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電路、上拉端接電阻、地址信號(hào)線、以及多個(gè)內(nèi)存顆粒; 所述內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電路和所述內(nèi)存顆粒均連接所述地址信號(hào)線; 所述上拉端接電阻的第一端連接所述地址信號(hào)線,所述上拉端接電阻的第二端連接芯片核心電源。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人篆芯半導(dǎo)體(蘇州)有限公司,其通訊地址為:215011 江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)悅峰大廈1幢101室16樓1601;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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