蘭州空間技術物理研究所王驥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘭州空間技術物理研究所申請的專利一種基于硅晶片的弱離子信號放大用二次電子發射結構及倍增器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119717470B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411668105.4，技術領域涉及：G04F5/14；該發明授權一種基于硅晶片的弱離子信號放大用二次電子發射結構及倍增器是由王驥;郭磊;侍椿科;陳江;劉志棟;馬沛;汪東軍;梁星;杜康;高瑋設計研發完成，并于2024-11-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于硅晶片的弱離子信號放大用二次電子發射結構及倍增器在說明書摘要公布了：本發明屬于磁選態銫原子鐘技術領域，具體涉及一種基于硅晶片的弱離子信號放大用二次電子發射結構及倍增器。該二次電子發射結構包括矩形硅晶片、電極片和加速柵極，所述電極片固定在矩形硅晶片兩端，所述加速柵極與所述電極片相連；兩端帶電極片的矩形硅晶片和加速柵極構成一個倍增級；其中：矩形硅晶片表面鍍有復合二次電子發射薄膜，該復合二次電子發射薄膜在使用前激活。
本發明授權一種基于硅晶片的弱離子信號放大用二次電子發射結構及倍增器在權利要求書中公布了：1.一種基于硅晶片的弱離子信號放大用二次電子發射結構，其特征在于，包括矩形硅晶片、電極片和加速柵極，所述電極片固定在矩形硅晶片兩端，所述加速柵極與所述電極片相連；兩端帶電極片的矩形硅晶片和加速柵極構成一個倍增級；其中：矩形硅晶片表面鍍有復合二次電子發射薄膜，該復合二次電子發射薄膜在使用前激活； 所述矩形硅晶片在拋光面上鍍有全金屬復合二次電子發射薄膜，從硅晶面上依次為第一層Mg膜、第二層Ag膜或Au膜，第三層為Mg膜；所述復合二次電子發射薄膜的第一層Mg膜厚度為20～40nm，第二層Ag膜或Au膜厚度為20～30nm，第三層Mg膜為20～40nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘭州空間技術物理研究所，其通訊地址為：730000 甘肅省蘭州市城關區高新飛雁街100號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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