浙江大學郭子昱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利一種基于注入鎖定和有源電感技術的正交二分頻器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119727707B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411790949.6,技術領域涉及:H03K23/00;該發明授權一種基于注入鎖定和有源電感技術的正交二分頻器是由郭子昱;孫昊然;虞小鵬;徐志偉設計研發完成,并于2024-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于注入鎖定和有源電感技術的正交二分頻器在說明書摘要公布了:本發明公開了一種基于注入鎖定和有源電感技術的正交二分頻器,屬于二分頻器領域。該正交二分頻器由兩個無尾電流源的有源電感負載的D鎖存器級聯而成。本發明對電流模邏輯的二分頻器結構做出改進,引入注入鎖定技術,去掉尾電流源,并用有源電感作為負載,組成正交注入鎖定分頻器。本發明在降低功耗的同時,解決了注入鎖定分頻器工作頻率范圍受限的問題。
本發明授權一種基于注入鎖定和有源電感技術的正交二分頻器在權利要求書中公布了:1.一種基于注入鎖定和有源電感技術的正交二分頻器,其特征在于,由兩個無尾電流源的有源電感負載的D鎖存器級聯而成; 兩個D鎖存器的結構相同,每個D鎖存器由第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一電阻和第二電阻組成; 第一電阻和第二電阻的一端均連接電源,第一電阻的另一端連接第一NMOS管的漏極和第二NMOS管的柵極,第二電阻的另一端連接第二NMOS管的漏極和第一NMOS管的柵極; 第一NMOS管的源極作為第一接線端,并連接第三NMOS管的源極、第四NMOS管的漏極、第五NMOS管的漏極和第六NMOS管的柵極; 第二NMOS管的源極作為第二接線端,并連接第三NMOS管的漏極、第六NMOS管的漏極、第七NMOS管的漏極和第五NMOS管的柵極; 第四NMOS管的柵極作為第三接線端,第七NMOS管的柵極作為第四接線端,第四NMOS管的源極、第五NMOS管的源極、第六NMOS管的源極和第七NMOS管的源極均接地; 第一個D鎖存器的第一接線端通過第一連接線連接第二個D鎖存器的第三接線端,第一個D鎖存器的第二接線端通過第二連接線連接第二個D鎖存器的第四接線端,第一個D鎖存器的第三接線端通過第三連接線連接第二個D鎖存器的第二接線端,第一個D鎖存器的第四接線端通過第四連接線連接第二個D鎖存器的第一接線端; 兩個D鎖存器中第三NMOS管的柵極分別用于輸入一對本振源差分信號。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學,其通訊地址為:310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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