傲迪特半導體(南京)有限公司茆宏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉傲迪特半導體(南京)有限公司申請的專利一種半導體晶片清洗裝置及其方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119764221B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411955822.5,技術領域涉及:H01L21/67;該發明授權一種半導體晶片清洗裝置及其方法是由茆宏;寧江斌;郁言威;高興;陸嘉黎;李民;王耽耽設計研發完成,并于2024-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體晶片清洗裝置及其方法在說明書摘要公布了:本發明涉及半導體晶片清洗技術領域,具體為一種半導體晶片清洗裝置及其方法,包括外殼、裝夾機構、過濾機構和干燥機構,所述外殼的一端開設有安裝倉,所述外殼的另一端開設有干燥倉,所述外殼的頂端開設有清洗倉,所述安裝倉和清洗倉的內部皆均勻設置有清洗網框,所述清洗網框的內部皆設置有三組晶片主體,所述過濾機構用于對清洗液進行循環過濾,所述干燥機構用于對晶片主體進行干燥處理。本裝置不僅方便用戶對晶片主體進行固定,同時還能夠進行清洗和干燥工作,從而能夠提高在清洗后能夠對清洗液自動進行更換和過濾工作,同時本裝置的清洗液處于自動循環過濾,從而能夠降低損耗,也方便用戶對納米濾網進行更換,提高用戶的工作效率。
本發明授權一種半導體晶片清洗裝置及其方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體晶片清洗裝置,其特征在于,包括外殼(1)、裝夾機構、過濾機構和干燥機構,所述外殼(1)的一端開設有安裝倉(2),所述外殼(1)的另一端開設有干燥倉(4),所述外殼(1)的頂端開設有清洗倉(3),且清洗倉(3)位于安裝倉(2)和干燥倉(4)之間,所述外殼(1)的頂端通過轉軸連接有三組密封透明蓋(5),所述外殼(1)的底端開設有放置倉(6),所述放置倉(6)的內部設置有發生器(7),所述清洗倉(3)的底端均勻設置有三組超聲波發射器(8),且超聲波發射器(8)的底端位于放置倉(6)的內部,所述安裝倉(2)、清洗倉(3)和干燥倉(4)的內部皆對稱開設有兩組第一扣槽(10),所述安裝倉(2)和清洗倉(3)的內部皆均勻設置有清洗網框(9),且清洗網框(9)的兩端皆分別與第一扣槽(10)滑動連接,所述清洗網框(9)的內部皆設置有三組晶片主體(15),且晶片主體(15)皆通過裝夾機構進行固定,所述過濾機構用于對清洗液進行循環過濾,所述干燥機構用于對晶片主體(15)進行干燥處理。
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