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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué);湖北光谷實(shí)驗(yàn)室申請的專利一種單片異質(zhì)集成的光器件的制備方法及光器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119812933B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411987674.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/026；該發(fā)明授權(quán)一種單片異質(zhì)集成的光器件的制備方法及光器件是由張宇;唐國彪;王健設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種單片異質(zhì)集成的光器件的制備方法及光器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明具體涉及一種單片異質(zhì)集成的光器件的制備方法及光器件。本發(fā)明的主要構(gòu)思在于利用半導(dǎo)體平臺同步對激光器、放大器SOA、調(diào)制器和天線組件進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其可通過一次異質(zhì)集成即可設(shè)置于同一晶圓，達(dá)到縮減器件體積、降低工藝復(fù)雜度的目的。同時(shí)，本發(fā)明有選擇性地選用了Ⅲ?Ⅴ族材料作為異質(zhì)集成材料，使得在同一晶圓上同步制備激光器、放大器SOA、調(diào)制器和天線組件成為可能，并利用于放大器的光放大效應(yīng)，使激光器發(fā)射的激光經(jīng)由多路放大后，在調(diào)制器的移相作用下，經(jīng)由天線組件統(tǒng)一發(fā)出，以此增強(qiáng)光學(xué)相控陣的發(fā)射功率，進(jìn)而提升以該光學(xué)相控陣為基礎(chǔ)的激光雷達(dá)的應(yīng)用價(jià)值。

本發(fā)明授權(quán)一種單片異質(zhì)集成的光器件的制備方法及光器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種單片異質(zhì)集成的光器件的制備方法，其特征在于，包括： S10、根據(jù)光器件上元件的分布位置及連接關(guān)系，在第一晶圓上分別刻蝕相應(yīng)于所述的元件的刻蝕區(qū)域以及用于連接各所述的元件的連接波導(dǎo)； S20、根據(jù)所述的元件的差異，有針對性地對所述的刻蝕區(qū)域進(jìn)行摻雜，獲取第一功能層； S30、以介質(zhì)層為鍵合基礎(chǔ)，將設(shè)置于所述的介質(zhì)層的第二晶圓異質(zhì)集成于所述的第一晶圓； S40、根據(jù)所述的元件的差異，有針對性地刻蝕所述的第二晶圓，獲取第二功能層； S50、根據(jù)所述的元件的差異，有針對性地刻蝕所述的介質(zhì)層，再有針對性地對刻蝕后的所述的介質(zhì)層進(jìn)行摻雜，獲取第三功能層； S60、將第一金屬層分別沉積于所述的第一功能層和所述的第二功能層； S70、將第二金屬層沉積于所述的第三功能層； S80、將第三金屬層分別沉積于所述的第一金屬層和所述的第二金屬層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華中科技大學(xué);湖北光谷實(shí)驗(yàn)室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。