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龍圖騰網獲悉南京大學;合肥國家實驗室申請的專利一種顯示面板及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120076526B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510549479.2，技術領域涉及：H10H29/01；該發明授權一種顯示面板及其制備方法是由周玉剛;李良杰;郭焱;陸海;劉斌;張榮設計研發完成，并于2025-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種顯示面板及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種顯示面板及其制備方法，提供第一發光陣列芯片和驅動陣列芯片；將第一發光陣列芯片和驅動陣列芯片進行鍵合處理，得到第一鍵合結構；在第一鍵合結構中，第一布線層和驅動布線層相接觸，且二者為倒裝連接；將第一鍵合結構與第二發光陣列芯片進行鍵合處理，得到第二鍵合結構；在第二鍵合結構中第二發光陣列芯片的一側形成紅色像素單元陣列，得到顯示面板。通過將驅動陣列芯片設置在第一發光陣列芯片和第二發光陣列芯片之間，并且通過層間連接技術實現驅動單元對發光單元的驅動，能夠降低電連接的工藝難度，不再采用巨量轉移技術，能夠降低制造成本，提高顯示面板良率，且實現了全彩顯示，顯示面板的顯示效果更佳。

本發明授權一種顯示面板及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括： 提供第一發光陣列芯片和驅動陣列芯片；所述第一發光陣列芯片包括沿第一方向依次層疊的第一發光陣列層和第一布線層，所述第一發光陣列層包括多個第一發光單元；所述驅動陣列芯片包括沿所述第一方向依次層疊的驅動布線層和驅動單元層，所述驅動單元層包括多個驅動單元，一個所述驅動單元用于驅動一個所述第一發光單元發光；所述驅動陣列芯片為GaNAlGaN基HEMT有源選址驅動芯片，所述GaNAlGaN基HEMT為增強型結構，所述驅動單元層包括沿第二方向依次層疊的第二緩沖層、GaN溝道層、AlN插入層、AlGaN勢壘層和p型GaN帽層，所述第二方向與所述第一方向相反； 將所述第一發光陣列芯片和所述驅動陣列芯片進行鍵合處理，得到第一鍵合結構；在所述第一鍵合結構中，所述第一布線層和所述驅動布線層電連接，且二者為倒裝連接； 將所述第一鍵合結構與第二發光陣列芯片進行鍵合處理，得到第二鍵合結構；所述第二發光陣列芯片包括沿所述第一方向依次層疊的第二布線層和第二發光陣列層，所述第二發光陣列層包括多個第二發光單元，一個所述驅動單元用于驅動一個所述第二發光單元發光；在所述第二鍵合結構中，所述驅動陣列芯片位于所述第一發光陣列芯片和所述第二發光陣列芯片之間，所述第二布線層與所述驅動單元層電連接，所述第二布線層與所述驅動布線層為層間連接； 在所述第二鍵合結構中所述第二發光陣列芯片的一側形成紅色像素單元陣列，得到顯示面板；所述紅色像素單元陣列包括多個紅色像素單元； 所述第一發光陣列芯片包括第一鍵合焊料層和第二鈍化層，所述第一鍵合焊料層位于所述第二鈍化層的第一通孔內，所述第一鍵合焊料層與所述第一布線層連接，所述第一鍵合焊料層的表面高于所述第二鈍化層的表面，所述第一鍵合焊料層具有凸起結構；所述驅動陣列芯片包括覆蓋所述驅動布線層的第五鈍化層，所述第五鈍化層具有凹孔，所述凹孔用于暴露部分所述驅動布線層； 將所述第一發光陣列芯片和所述驅動陣列芯片進行鍵合處理，得到第一鍵合結構，包括： 將所述第一發光陣列芯片的凸起結構與所述驅動陣列芯片的凹孔進行對準，在滿足預設溫度范圍和預設壓力范圍的條件下進行熱壓焊接，得到所述第一鍵合結構； 或，所述第一發光陣列芯片包括第一鍵合焊料層和第二鈍化層，所述第一鍵合焊料層位于所述第二鈍化層的第一通孔內，所述第一鍵合焊料層與所述第一布線層連接，所述第一鍵合焊料層的表面與所述第二鈍化層的表面齊平； 所述驅動陣列芯片包括覆蓋所述驅動布線層的第五鈍化層，以及位于所述第五鈍化層的第三通孔內的第二鍵合焊料層；所述第二鍵合焊料層與所述驅動布線層連接； 將所述第一發光陣列芯片和所述驅動陣列芯片進行鍵合處理，得到第一鍵合結構，包括： 將所述第一發光陣列芯片的所述第一鍵合焊料層與所述驅動陣列芯片的所述第二鍵合焊料層進行對準，在滿足預設溫度范圍和預設壓力范圍的條件下進行熱壓焊接，得到所述第一鍵合結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京大學;合肥國家實驗室，其通訊地址為：210023 江蘇省南京市棲霞區仙林大道163號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。