南京大學諸錦璽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南京大學申請的專利一種電容式半導體微型真空計及真空檢測方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120352074B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510831875.4,技術領域涉及:G01L21/00;該發明授權一種電容式半導體微型真空計及真空檢測方法是由諸錦璽;丁孫安;伍瑩;曹書嶸;沈科崟;陳祎晗設計研發完成,并于2025-06-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電容式半導體微型真空計及真空檢測方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種電容式半導體微型真空計及真空檢測方法,該真空計通過將半導體器件的電學放大特性與電容式傳感原理相結合,實現了真空測量的高精度、微型化和低功耗,充分利用標準CMOS工藝的兼容性,將氣壓傳感模塊與信號處理單元垂直集成,不僅簡化了制造流程,降低了生產成本,還顯著提升了器件的可靠性和量產潛力,并通過調節電極幾何參數,進一步拓寬了測量范圍并優化了靈敏度,具有重要的實用價值和廣闊的商業前景,為下一代微型真空計的發展提供了高效、經濟的解決方案。
本發明授權一種電容式半導體微型真空計及真空檢測方法在權利要求書中公布了:1.一種電容式半導體微型真空計,其特征在于,所述電容式半導體微型真空計由底層的信號轉換模塊(1)和頂層的氣壓傳感模塊(2)組成,其中,信號轉換模塊(1)由襯底(11)及上表面設置的源極(12)和漏極(13)組成,源極(12)和漏極(13)中間設有氣壓傳感模塊(2),氣壓傳感模塊(2)由下到上依次為介質隔離層(21)、下電極(22)、密封結構(23)和可形變上電極(25),下電極(22)和可形變上電極(25)及側壁封裝的密封結構(23)包圍形成真空腔(24)。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人南京大學,其通訊地址為:210023 江蘇省南京市棲霞區仙林大道163號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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