合肥晶合集成電路股份有限公司陳維邦獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120358813B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510839951.6，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備是由陳維邦設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備在說明書摘要公布了：本申請涉及一種背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備，包括襯底、格柵，以及位于襯底的第一表面上且沿平行于第一表面的第一方向交替排布，且朝向襯底延伸的光電二極管、目標隔離結構；襯底內包括經由第一表面向襯底內延伸，且沿第一方向間隔排布的多個溝槽隔離結構；溝槽隔離結構與其正上方的目標隔離結構一對一設置；光電二極管包括沿背離襯底的方向排列的SiAs疊層、SiAs蓋層，以及沿第一方向和朝向襯底的方向貫穿SiAs疊層的SiP層；目標隔離結構包括高于光電二極管的頂面的凸出部；格柵與凸出部在相同工藝步驟中同期制備而成。能夠避免BSI圖像傳感器的信號串擾，以及因IMP造成的不必要損傷的同時，提高光電轉化效率。
本發明授權背照式圖像傳感器及其制備方法、電子設備在權利要求書中公布了：1.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，包括襯底、格柵，以及位于所述襯底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且朝向襯底延伸的光電二極管、目標隔離結構； 所述襯底內包括經由所述第一表面向所述襯底內延伸，且沿所述第一方向間隔排布的多個溝槽隔離結構；所述溝槽隔離結構與其正上方的所述目標隔離結構一對一設置； 所述光電二極管包括沿背離所述襯底的方向排列的SiAs疊層、SiAs蓋層，以及沿所述第一方向和朝向所述襯底的方向貫穿所述SiAs疊層的SiP層； 所述目標隔離結構包括頂面高于所述光電二極管頂面的凸出部；所述凸出部與所述格柵在相同工藝步驟中同期制備而成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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