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龍圖騰網獲悉杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種基于雙溝槽柵極結構的碳化硅MOSFET器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120417445B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510920016.2，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種基于雙溝槽柵極結構的碳化硅MOSFET器件及其制造方法是由許一力;李鑫;楊琦設計研發完成，并于2025-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于雙溝槽柵極結構的碳化硅MOSFET器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種基于雙溝槽柵極結構的碳化硅MOSFET器件，由若干個相互并列的MOS元胞組成，單個所述MOS元胞從下向上依次包括有漏極、半導體外延層、柵極以及源極，所述半導體外延層包括有N襯底層、N擴散層、主P+層、主N阱層和主P阱層，單個所述MOS元胞的內部且位于主N阱層內蝕刻有L型雙溝槽，該L型雙溝槽內部填充有填充介質，所述填充介質與源極歐姆接觸。本發明通過在主N阱層內設計L型雙溝槽并填充介質，結合主N阱層的L形截面輪廓，優化了載流子傳輸路徑和電場分布。該結構顯著增強柵極對溝道的控制能力，減少傳統平面柵結構的電流路徑曲折性，從而降低導通電阻并提升開關速度。

本發明授權一種基于雙溝槽柵極結構的碳化硅MOSFET器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種基于雙溝槽柵極結構的碳化硅MOSFET器件，由若干個相互并列的MOS元胞組成，單個所述MOS元胞從下向上依次包括有漏極（1）、半導體外延層、柵極（2）以及源極（3），所述半導體外延層包括有N襯底層（4）、N擴散層（5）、主P+層（7）、主N阱層（8）和主P阱層（9），其特征在于：單個所述MOS元胞的內部且位于主N阱層（8）內蝕刻有L型雙溝槽，該L型雙溝槽內部填充有填充介質（6）； 所述主N阱層（8）的截面輪廓呈“L”字形狀，并且該主N阱層（8）的一端與源極（3）歐姆接觸，所述主N阱層（8）的另一端延伸至柵極（2）的下方； 所述填充介質（6）包括有填充P+層（62）、填充P阱層（63）和填充N阱層（64）； 所述填充N阱層（64）位于填充P+層（62）和柵極（2）之間，并且填充P+層（62）、填充N阱層（64）均與源極（3）歐姆接觸； 所述填充P阱層（63）位于填充N阱層（64）的下方，并且該填充P阱層（63）的另一端延伸至柵極（2）的下方。

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