合肥晶合集成電路股份有限公司陳興獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件的閾值電壓調節方法、制作方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120435051B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510949437.8，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權半導體器件的閾值電壓調節方法、制作方法及半導體器件是由陳興設計研發完成，并于2025-07-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的閾值電壓調節方法、制作方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件的閾值電壓調節方法、制作方法及半導體器件，涉及半導體制造技術領域。所述半導體器件的閾值電壓調節方法包括以下步驟：提供MOS襯底，MOS襯底包括第一MOS區域以及第二MOS區域；對第一MOS區域以及第二MOS區域進行口袋摻雜離子注入并分別形成口袋摻雜區；對MOS襯底進行熱擴散，使第二MOS區域的口袋摻雜離子的擴散程度小于第一MOS區域的口袋摻雜離子的擴散程度，實現第二MOS區域的閾值電壓高于第一MOS區域的閾值電壓。本發明中的調節方法不需要通過同型摻雜與異型摻雜結合的方式改變閾值電壓，就能夠實現調整不同MOS區域的閾值電壓。本發明中的制作方法能夠減少光罩的使用數量。
本發明授權半導體器件的閾值電壓調節方法、制作方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供CMOS襯底，所述CMOS襯底包括低閾值電壓NMOS區域、高閾值電壓NMOS區域、低閾值電壓PMOS區域以及高閾值電壓PMOS區域； 暴露所述低閾值電壓NMOS區域以及所述高閾值電壓NMOS區域，對所述低閾值電壓NMOS區域以及所述高閾值電壓NMOS區域進行P型口袋摻雜離子注入形成NMOS口袋摻雜區； 暴露所述低閾值電壓PMOS區域以及所述高閾值電壓PMOS區域，對所述低閾值電壓PMOS區域以及所述高閾值電壓PMOS區域進行N型口袋摻雜離子注入形成PMOS口袋摻雜區； 暴露所述高閾值電壓NMOS區域以及所述高閾值電壓PMOS區域，向所述高閾值電壓NMOS區域的NMOS口袋摻雜區以及所述高閾值電壓PMOS區域的PMOS口袋摻雜區注入中性離子； 對CMOS襯底進行熱擴散。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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