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龍圖騰網獲悉瀚博半導體(上海)股份有限公司申請的專利用于集成電路的繞線方法、設備及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120579511B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511081040.8，技術領域涉及：G06F30/394；該發明授權用于集成電路的繞線方法、設備及存儲介質是由陳林林設計研發完成，并于2025-08-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于集成電路的繞線方法、設備及存儲介質在說明書摘要公布了：本申請提供了一種用于集成電路的繞線方法、設備及存儲介質。該方法包括：S1，從所述多個負載點中識別距驅動點的曼哈頓距離最大的最遠負載點；S2，在最遠負載點所在象限內繪制距原點距離為m的曼哈頓等距線，并在其他三個象限內繪制鏡像，形成正方形；S3：以最遠負載點以及最遠負載點相對于原點、x軸和y軸的對稱點作為頂點，繪制內接于所述正方形的矩形；S4：對位于所述矩形外的負載點，繪制走線路徑；S5：對于位于矩形內的負載點，繪制其走線路徑。本申請的方法保障驅動點到負載點的距離相等且電阻最小，既減少了傳統方法插入BUF和INV去平衡引入的功耗問題，也改善了在不同工藝角下時鐘偏差的一致性。

本發明授權用于集成電路的繞線方法、設備及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種用于集成電路的繞線方法，所述集成電路包括驅動點和多個負載點，其特征在于，所述方法包括以下步驟： S1：將驅動點設為坐標系原點，從所述多個負載點中識別距驅動點的曼哈頓距離最大的最遠負載點，最遠負載點距驅動點的曼哈頓距離為m； S2：在最遠負載點所在象限內繪制距原點距離為m的曼哈頓等距線，并在其他三個象限內繪制鏡像，形成正方形； S3：以最遠負載點以及最遠負載點相對于原點、x軸和y軸的對稱點作為頂點，繪制內接于所述正方形的矩形； S4：對位于所述矩形外的負載點，繪制其至相應象限內正方形邊的第一曼哈頓等距輔助線，以及第一曼哈頓等距輔助線的第一中點至相應象限內矩形邊的垂線，所述垂線與矩形邊相交于第一交點，所述矩形外的負載點的走線路徑為沿第一曼哈頓輔助線至第一中點后沿所述垂線至第一交點； S5：對于位于所述矩形內的負載點，繪制其至相應象限內正方形邊的第二曼哈頓等距輔助線，第二曼哈頓等距輔助線與所述矩形邊相交于第二交點，第二交點為第二曼哈頓等距輔助線的中點，所述矩形內的負載點的走線路徑為沿平行于x軸和y軸的路徑至所述第二交點； S6：在每個象限內的各第一交點和第二交點中，選取橫坐標和縱坐標最小的值對應的點作為公共點，第一交點和第二交點至驅動點的走線經過所述公共點； S7：在每個象限內繪制各第一交點和第二交點至所述公共點的走線路徑； S8：根據公共路徑最長的原則，繪制公共點至驅動點的走線路徑， 其中，步驟S7包括： 在每個象限內繪制所述公共點分別沿x軸和y軸方向至矩形邊上的第一交點或第二交點的走線路徑； 按照就近原則，繪制其他第一交點和第二交點沿矩形邊至已連接到所述公共點的第一交點或第二交點的走線路徑。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人瀚博半導體(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201103 上海市閔行區萬源路2800號科技綠洲三期2570號2號樓6樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。