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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海師范大學(xué)申請的專利一種適用于高頻、寬帶聲表面波器件的異質(zhì)層狀壓電基底獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112468109B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011285632.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03H9/02；該發(fā)明授權(quán)一種適用于高頻、寬帶聲表面波器件的異質(zhì)層狀壓電基底是由張巧珍;劉會靈;趙祥永設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種適用于高頻、寬帶聲表面波器件的異質(zhì)層狀壓電基底在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種適用于高頻、寬帶聲表面波器件的異質(zhì)層狀壓電基底，利用水平剪切型漏聲表面波，其包括依次排列的叉指換能器、壓電薄膜層、至少一層布拉格反射層以及襯底層；布拉格反射層是由低聲阻抗層覆蓋在高聲阻抗層上形成的，壓電薄膜層為摻鈧氮化鋁薄膜，摻鈧氮化鋁薄膜的歐拉角設(shè)置為0°±5°、θ、ψ時，θ和ψ分別滿足以下條件：50°≤θ≤90°，40°≤ψ≤80°。本發(fā)明的異質(zhì)層狀壓電基底，能夠抑制能量向襯底的泄露，將能量集中在有效壓電層內(nèi)，提高壓電轉(zhuǎn)換效率；利用旋轉(zhuǎn)歐拉角優(yōu)化壓電薄膜取向，能夠調(diào)節(jié)聲場分布，得到具有優(yōu)良聲表面波性能的漏聲表面波，特別適用于高頻、寬帶聲表面波器件，極具應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種適用于高頻、寬帶聲表面波器件的異質(zhì)層狀壓電基底在權(quán)利要求書中公布了：1.一種適用于高頻、寬帶聲表面波器件的異質(zhì)層狀壓電基底，其特征在于，利用水平剪切型漏聲表面波，其包括依次排列的叉指換能器、壓電薄膜層、布拉格反射層以及襯底層； 所述壓電薄膜層為摻鈧氮化鋁薄膜，所述摻鈧氮化鋁薄膜中鈧的摻雜摩爾百分比為0～40％；所述摻鈧氮化鋁薄膜的厚度為0.1λ～0.4λ，λ為聲表面波波長；旋轉(zhuǎn)摻鈧氮化鋁壓電薄膜的歐拉角，所述摻鈧氮化鋁薄膜的歐拉角設(shè)置為0°±5°、θ、ψ時，θ和ψ分別滿足以下條件： 50°≤θ≤90°，40°≤ψ≤80°； 所述壓電薄膜層與襯底層之間層疊有n層布拉格反射層，n≥1； 所述布拉格反射層是由低聲阻抗層覆蓋在高聲阻抗層上形成的，所述低聲阻抗層的聲速小于高聲阻抗層的聲速，同一布拉格反射層中低聲阻抗層相比于高聲阻抗層更靠近壓電薄膜層，低聲阻抗層為厚度為0.1λ～λ的SiO2膜。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海師范大學(xué)，其通訊地址為：200234 上海市徐匯區(qū)桂林路100號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。