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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件和形成半導(dǎo)體器件的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112992787B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011313544.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和形成半導(dǎo)體器件的方法是由蘇圣凱;蔡勁設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件和形成半導(dǎo)體器件的方法在說明書摘要公布了：方法包括：蝕刻介電層以形成介電鰭；在介電鰭上沉積過渡金屬二硫?qū)倩飳樱灰约皩^渡金屬二硫?qū)倩飳訉嵤└飨虍愋晕g刻工藝。去除過渡金屬二硫?qū)倩飳拥乃讲糠郑⑶冶Ａ粑挥诮殡婗挼膫?cè)壁上的過渡金屬二硫?qū)倩飳拥拇怪辈糠忠孕纬纱怪卑雽?dǎo)體環(huán)。該方法還包括：在二維半導(dǎo)體垂直半導(dǎo)體環(huán)的第一部分上形成柵極堆疊件；以及形成源極漏極接觸插塞，其中，源極漏極接觸插塞接觸垂直半導(dǎo)體環(huán)的第二部分的側(cè)壁。本申請的實施例還涉及半導(dǎo)體器件和形成半導(dǎo)體器件的方法。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和形成半導(dǎo)體器件的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括： 蝕刻介電層以形成介電鰭； 在所述介電鰭上沉積過渡金屬二硫?qū)倩飳樱?對所述過渡金屬二硫?qū)倩飳訉嵤┑谝桓飨虍愋晕g刻工藝，其中，去除所述過渡金屬二硫?qū)倩飳拥乃讲糠郑⑶冶Ａ粑挥谒鼋殡婗拏?cè)壁上的所述過渡金屬二硫?qū)倩飳拥拇怪辈糠忠孕纬纱怪卑雽?dǎo)體環(huán)； 在所述垂直半導(dǎo)體環(huán)的第一部分上形成柵極堆疊件；以及 形成源極漏極接觸插塞，其中，所述垂直半導(dǎo)體環(huán)環(huán)繞所述介電鰭的周側(cè)壁，所述源極漏極接觸插塞接觸所述垂直半導(dǎo)體環(huán)的彼此相對的第一對側(cè)壁以及彼此相對的第二對側(cè)壁。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。