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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體器件及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112951767B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202011351772.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法是由蕭茹雄;蘇慶煌;蘇斌嘉;盧颕新;王琳松設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種形成半導(dǎo)體器件的方法包括：形成位于半導(dǎo)體區(qū)上方的偽柵極堆疊件；去除偽柵極堆疊件，以在柵極間隔件之間形成溝槽；形成延伸至溝槽中的替換柵極電介質(zhì)；形成位于替換柵極電介質(zhì)上的替換柵極電極。形成替換柵極電極包括沉積含金屬層。沉積含金屬層包括沉積具有第一平均粒度的下層；沉積位于下層上方的上層。下層和上層通過(guò)相同材料形成，并且上層具有大于第一平均粒度的第二平均粒徑粒度。形成位于替換柵極電極的相對(duì)側(cè)上的源極和漏極區(qū)。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括： 形成位于半導(dǎo)體區(qū)上方的偽柵極堆疊件； 去除所述偽柵極堆疊件，以在柵極間隔件之間形成溝槽； 形成延伸至所述溝槽中的替換柵極電介質(zhì)； 形成位于所述替換柵極電介質(zhì)上的替換柵極電極，其中，所述形成所述替換柵極電極包括沉積含金屬層，其中，所述含金屬層是功函層，所述功函層具有U形截面圖形狀，所述功函層包括第一底部部分，和位于所述第一底部部分的相對(duì)端部上方并且連接至所述第一底部部分的所述相對(duì)端部的第一側(cè)壁部分，并且其中，沉積所述功函層包括： 沉積具有第一平均粒度的下層，其中，沉積所述下層在第一溫度下實(shí)施；以及 沉積位于所述下層上方的上層，其中，所述下層和所述上層通過(guò)相同材料形成，并且所述上層具有大于所述第一平均粒度的第二平均粒徑粒度，并且其中，沉積所述上層在低于所述第一溫度的第二溫度下實(shí)施；以及 形成位于所述替換柵極電極的相對(duì)側(cè)上的源極和漏極區(qū)， 其中，所述下層具有梯度粒度，所述下層的上部比所述下層的相應(yīng)的下部具有逐漸增大的粒度。

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