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龍圖騰網(wǎng)獲悉艾普凌科株式會(huì)社申請(qǐng)的專利磁性傳感器及磁性檢測(cè)方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113311370B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110212146.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R33/07；該發(fā)明授權(quán)磁性傳感器及磁性檢測(cè)方法是由上村纮崇;五十嵐敦史;加藤貴博設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本磁性傳感器及磁性檢測(cè)方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種磁性傳感器及磁性檢測(cè)方法，能夠提高對(duì)于被測(cè)定磁場(chǎng)的瞬態(tài)響應(yīng)特性。本發(fā)明的磁性傳感器100包括：霍爾集成電路120，在表面形成有霍爾元件121；以及引線框架110，支撐霍爾集成電路120，并且引線框架110包括：第一區(qū)域111a，配置于霍爾元件121的附近，利用通過(guò)施加被測(cè)定磁場(chǎng)H而生成的第一渦電流ia，來(lái)產(chǎn)生第一磁場(chǎng)ha；以及第二區(qū)域111b、第二區(qū)域111c，與第一區(qū)域111a分離而配置，利用通過(guò)施加被測(cè)定磁場(chǎng)H而生成的第二渦電流ib、第二渦電流ic，來(lái)產(chǎn)生將第一磁場(chǎng)ha消除的強(qiáng)度的第二磁場(chǎng)hb+hc。

本發(fā)明授權(quán)磁性傳感器及磁性檢測(cè)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種磁性傳感器，其特征在于，包括： 芯片狀的半導(dǎo)體裝置，在表面形成有磁性檢測(cè)元件； 導(dǎo)電性基體，支撐所述半導(dǎo)體裝置；以及 引線框架，包括配置于中央的作為所述導(dǎo)電性基體的晶粒座、以及配置于所述晶粒座的周圍的多種引線，并且 所述導(dǎo)電性基體包括： 第一區(qū)域，配置于所述磁性檢測(cè)元件的附近，利用通過(guò)施加被測(cè)定磁場(chǎng)而生成的第一渦電流，來(lái)產(chǎn)生第一磁場(chǎng)；以及 第二區(qū)域，與所述第一區(qū)域分離而配置，利用通過(guò)施加所述被測(cè)定磁場(chǎng)而生成的第二渦電流，來(lái)產(chǎn)生將所述第一磁場(chǎng)消除的強(qiáng)度的第二磁場(chǎng)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人艾普凌科株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京港區(qū)三田3丁目9番6號(hào)（郵編：108-8330）；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。