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龍圖騰網獲悉北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115472692B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110649679.7，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體結構及其形成方法是由汪涵;卜偉海設計研發完成，并于2021-06-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：去除偽柵結構，形成柵極開口，暴露出疊層結構和隔離層；去除柵極開口底部的部分厚度的隔離層，暴露出凸起部的部分側壁；沿垂直于第一溝道層延伸方向，去除隔離層暴露出的凸起部，形成位于第一溝道層與剩余凸起部之間的溝槽，且第一溝道層與剩余凸起部或襯底之間相間隔；或沿垂直于第一溝道層的延伸方向，對暴露出的凸起部的側壁進行減薄，使第一溝道層與剩余凸起部圍成溝槽；去除溝道疊層中的犧牲層，形成通槽；在柵極開口和通槽、以及溝槽內填充柵極結構，柵極結構包圍第二溝道層，且柵極結構還包圍第一溝道層或者包圍凸起部露出的第一溝道層。本發明實施例降低器件的漏電流，提升半導體結構的性能。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，包括沿橫向延伸的橫向延伸區，所述橫向延伸區包括第一區域和沿橫向位于所述第一區域兩側的第二區域；所述基底包括：襯底；凸起部，所述凸起部凸出于所述第二區域的襯底，或者，所述凸起部凸出于所述橫向延伸區的襯底，且所述第一區域的凸起部的頂面，低于所述第二區域的凸起部的頂面； 溝道結構層，位于所述第一區域的所述基底的上方，且所述溝道結構層的底面高于或齊平于所述第二區域的所述凸起部的頂面，所述溝道結構層包括自下而上依次間隔設置的第一溝道層以及一個或多個第二溝道層，所述第一溝道層和第二溝道層均為沿延伸方向連續的溝道，且所述第一溝道層與所述基底之間具有間隔； 隔離層，位于所述襯底上且圍繞所述凸起部； 柵極結構，位于所述隔離層上且橫跨所述溝道結構層，所述柵極結構填充于所述第一溝道層與所述基底之間、以及所述第一溝道層和所述第二溝道層之間，或者，所述柵極結構填充于所述第一溝道層與所述基底之間、所述第一溝道層和所述第二溝道層之間、以及相鄰的第二溝道層之間；所述柵極結構包圍所述第一溝道層和所述第二溝道層； 源漏摻雜層，位于所述柵極結構兩側的所第二區域的凸起部上，且所述源漏摻雜層與所述第一溝道層以及一個或多個第二溝道層沿所述延伸方向的端部均相接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司，其通訊地址為：102600 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號9幢一層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。