中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所司志偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所申請的專利助熔劑法生長氮化鎵單晶的方法、系統及檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115726023B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111021130.X，技術領域涉及：C30B9/12；該發明授權助熔劑法生長氮化鎵單晶的方法、系統及檢測方法是由司志偉;劉宗亮;徐科設計研發完成，并于2021-09-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本助熔劑法生長氮化鎵單晶的方法、系統及檢測方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種助熔劑法生長氮化鎵單晶的方法、系統及檢測方法。所述方法包括：在以助熔劑法液相外延生長氮化鎵單晶時，向其中的熔融態生長原料施加電壓，以至少驅使所述熔融態生長原料流動和或降低所述熔融態生長原料的表面能。本發明實施例提供的一種基于電壓誘導的助熔劑法生長均勻的氮化鎵單晶的方法，采用電壓驅使生長體系內的熔融態生長原料流動，使得原料能夠更充分地均勻混和，進而可以生長獲得質量更加均一的氮化鎵體單晶。
本發明授權助熔劑法生長氮化鎵單晶的方法、系統及檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種基于電壓誘導的助熔劑法生長氮化鎵單晶的方法，其特征在于包括：在以助熔劑法液相外延生長氮化鎵單晶時，向其中的熔融態生長原料施加電壓，以至少驅使所述熔融態生長原料流動和或降低所述熔融態生長原料的表面能，以及，至少通過調控向所述熔融態生長原料所施加電壓的大小、方向、頻率中的一種或多種，以調整所述熔融態生長原料的流動速度、流動方向、流動頻率中的一種或多種，使生長體系處于生長氮化鎵單晶的平衡狀態。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區獨墅湖高教區若水路398號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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