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龍圖騰網獲悉中南大學申請的專利一種載鋰復合骨架材料及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114142013B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111442827.4，技術領域涉及：H01M4/36；該發明授權一種載鋰復合骨架材料及其制備方法和應用是由賴延清;洪波;姜懷;賴俊全;李劼;周言根;張治安;張凱;覃富榮設計研發完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種載鋰復合骨架材料及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種載鋰復合骨架材料及其制備方法和應用，所述載鋰復合骨架材料為內封裝有若干個中空薄壁納米碳球的薄膜封裝結構，所述中空薄壁納米碳球內壁復合有低析鋰過電位納米粒子，所述薄膜為高析鋰過電位膜層，所述膜層為單層或多層，膜層選自碳層、聚合物膜層、固態電解質膜層、氧化物膜層或離子電子混合導體膜層；所述低析鋰過電位納米粒子定義為與鋰反應電位大于0V的單質或化合物；所述高析鋰過電位膜層定義為使鋰在其表面的電沉積電位小于0V的膜層。本發明中的載鋰復合骨架材料的內壁相較于薄膜更低的析鋰電位，使得鋰離子只能穿透碳壁優先在中空碳球內部形核并沉積，實現了鋰金屬的封裝和持續均勻沉積溶解。

本發明授權一種載鋰復合骨架材料及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種載鋰復合骨架材料，其特征在于：為內封裝有若干個中空薄壁納米碳球的薄膜封裝結構，所述中空薄壁納米碳球內壁復合有低析鋰過電位納米粒子，所述薄膜為高析鋰過電位膜層，所述膜層為單層或多層，膜層選自碳層、聚合物膜層、固態電解質膜層、氧化物膜層或離子電子混合導體膜層； 所述低析鋰過電位納米粒子定義為與鋰反應電位大于0VVs.LiLi+的可嵌鋰化合物或能與鋰合金化的單質；其中，所述可嵌鋰化合物為Ag2O、Co3O4、NiO、ZnO、CuxO、MgO、Ag2S、Cu2S、NixN、CuxN、Ni2P、Cu3P、CoP、ZnP、SnP、FePO4、LixMn2O4、LixCoO2中的一種或多種的組合；所述單質為石墨、硼、銀、金、鉑、鋅、鎂、鈷、錫、鍺、硅、鋁、銦、鈣中的一種或多種的組合； 所述的中空薄壁納米碳球中含有親鋰官能團，所述親鋰官能團為含氮官能團； 所述高析鋰過電位膜層定義為使鋰在其表面的電沉積電位小于0VVs.LiLi+的膜層； 所述碳層為石墨化碳層和無定形碳層中的一種或多種的組合； 所述聚合物為CMC-Li、聚丙烯酸鋰、聚丙烯酸鋅、聚丙烯酸鎂、聚丙烯酸鋁、羧甲基纖維素鋰、聚偏二氟乙烯、聚偏二氟乙烯-CO-六氟丙烯中的一種或多種的組合； 所述氧化物為氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺中的一種或多種的組合； 所述固態電解質為磷酸鍺鋁鋰Li1.5Al0.5Ge1.5PO43、石榴石型Li7La3Zr2O12、Li1.4Al0.4Ti1.6PO43、鈮酸鋰、鋯酸鋰、磷化鋰、氮化鋰、氟化鋰、鈦酸鋰的一種或多種的組合； 所述的離子電子混合導體為LiC6、Li22Si5、Li9Al4、Li15Ge4、Li22Sn5、CuLix的一種或多種的組合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中南大學，其通訊地址為：410083 湖南省長沙市岳麓區麓山南路932號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。