買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114242724B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111538754.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由杜怡行;顧林;王壯壯;王虎設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：在所述存儲區(qū)內(nèi)形成若干第一有源區(qū)和相鄰第一有源區(qū)之間的第一溝槽，在所述外圍區(qū)內(nèi)形成若干第二有源區(qū)和相鄰第二有源區(qū)之間的第二溝槽，以所述浮柵材料層形成浮柵，所述外圍區(qū)上相鄰所述浮柵之間具有第三溝槽，所述第三溝槽底部暴露出部分所述第二有源區(qū)頂部表面；對所述第一溝槽暴露出所述第一有源區(qū)表面、所述第二溝槽和所述第三溝槽暴露出的所述第二有源區(qū)表面進行氧化處理，形成內(nèi)襯層，所述第一有源區(qū)的側(cè)壁和頂部之間具有第一頂角，所述第二有源區(qū)的側(cè)壁和頂部之間具有第二頂角，所述第二頂角的曲率大于所述第一頂角的曲率，以形成存儲區(qū)和外圍區(qū)不同頂角圓度的有源區(qū)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括存儲區(qū)和外圍區(qū)； 在所述襯底上形成隧穿氧化材料層； 在所述隧穿氧化材料層上形成浮柵材料層； 去除部分所述浮柵材料層、部分隧穿氧化材料層和部分所述襯底，在所述存儲區(qū)內(nèi)形成若干第一有源區(qū)和相鄰第一有源區(qū)之間的第一溝槽，在所述外圍區(qū)內(nèi)形成若干第二有源區(qū)和相鄰第二有源區(qū)之間的第二溝槽，以所述浮柵材料層形成浮柵，以所述隧穿氧化材料層形成隧穿氧化層，所述外圍區(qū)上相鄰所述浮柵之間以及相鄰所述隧穿氧化層之間具有第三溝槽，所述第三溝槽與所述第二溝槽連通，所述第三溝槽底部暴露出部分所述第二有源區(qū)頂部表面，其中，所述第三溝槽、所述第二溝槽和所述第二有源區(qū)通過同一工藝刻蝕所述浮柵材料層和所述外圍區(qū)形成，所述刻蝕所述浮柵材料層和所述外圍區(qū)的工藝包括第一干法刻蝕工藝，所述第一干法刻蝕工藝中所述浮柵材料層相對于所述襯底容易被刻蝕； 對所述第一溝槽暴露出所述第一有源區(qū)表面、所述第二溝槽和所述第三溝槽暴露出的所述第二有源區(qū)表面進行氧化處理，形成內(nèi)襯層，所述第一有源區(qū)的側(cè)壁和頂部之間具有第一頂角，所述第二有源區(qū)的側(cè)壁和頂部之間具有第二頂角，所述第二頂角的曲率大于所述第一頂角的曲率。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)新洲路30號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。