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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社村田制作所申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114649307B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111552529.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/552；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊是由后藤聰;青池將之;深澤美紀(jì)子設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供能夠采用層疊結(jié)構(gòu)并且能夠抑制高頻干擾的半導(dǎo)體裝置。在第一部件形成包括半導(dǎo)體元件的第一電子電路。在第一部件的第一面的一部分區(qū)域接合第二部件。第二部件包括第二電子電路，該第二電子電路包括由與第一電子電路的半導(dǎo)體元件不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體元件。層間絕緣膜覆蓋第一部件的第一面中的不與第二部件接合的區(qū)域、以及第二部件。配置在層間絕緣膜之上的部件間連接布線通過設(shè)置于層間絕緣膜的開口將第一電子電路與第二電子電路連接。包括配置在層間絕緣膜之上的第一金屬圖案的屏蔽結(jié)構(gòu)在高頻率方面屏蔽作為第一電子電路的一部分的被屏蔽電路。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，具備： 第一部件，形成包括半導(dǎo)體元件的第一電子電路； 第二部件，與作為上述第一部件的一個(gè)表面的第一面的一部分區(qū)域接合，并且形成第二電子電路，上述第二電子電路包括由與上述第一電子電路的半導(dǎo)體元件不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體元件； 層間絕緣膜，覆蓋上述第一面中的不與上述第二部件接合的區(qū)域、以及上述第二部件； 部件間連接布線，配置于上述層間絕緣膜之上，通過設(shè)置于上述層間絕緣膜的開口將上述第一電子電路與上述第二電子電路連接；以及 屏蔽結(jié)構(gòu)，包括配置在上述層間絕緣膜之上的第一金屬圖案，并且在高頻率方面屏蔽作為上述第一電子電路的一部分的被屏蔽電路。

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