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龍圖騰網獲悉華潤微集成電路(無錫)有限公司申請的專利實現MCU低功耗電源管理的電路結構及其切換方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116300546B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111569033.4，技術領域涉及：G05B19/042；該發明授權實現MCU低功耗電源管理的電路結構及其切換方法是由張懷志;馮雪陽;曹旺設計研發完成，并于2021-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本實現MCU低功耗電源管理的電路結構及其切換方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種實現MCU低功耗電源管理的電路結構，其中，所述的電路結構包括：第一低壓差線性穩壓單元LDOA，用于在接收到外部數字邏輯單元logic發送的高電平信號后開啟電路進行工作，并輸出大電流使得所述的電路結構進入高性能模式；以及第二低壓差線性穩壓單元LDOB，用于在接收到外部數字邏輯單元logic發送的低電平信號后開啟電路進行工作，輸出低電流使得所述的電路結構進入超低功耗模式。本發明還涉及一種相應的切換方法。采用了本發明的該實現MCU低功耗電源管理的電路結構及其切換方法，結構簡單，所需的電路器件少，節省了芯片面積，并且切換過程簡單易實現，能夠有效提高芯片良品率。

本發明授權實現MCU低功耗電源管理的電路結構及其切換方法在權利要求書中公布了：1.一種實現MCU低功耗電源管理的電路結構，其特征在于，所述的電路結構包括： 第一低壓差線性穩壓單元LDOA，用于在接收到外部數字邏輯單元logic發送的高電平信號后開啟電路進行工作，并輸出大電流使得所述的電路結構進入高性能模式；以及 第二低壓差線性穩壓單元LDOB，用于在接收到外部數字邏輯單元logic發送的低電平信號后開啟電路進行工作，輸出低電流使得所述的電路結構進入超低功耗模式； 且所述的第一低壓差線性穩壓單元LDOA的輸出端與第二低壓差線性穩壓單元LDOB的輸出端均與后端的數字電路相連接，用于對所述的數字電路的小負載以及或者大負載的工作狀態進行控制處理； 還包括中央處理器CPU，所述中央處理器CPU包括所述的外部數字邏輯單元logic，其中， 所述的外部數字邏輯單元logic的第一使能輸入端用于輸入低功耗模式信號STANDBY_ENH； 所述的外部數字邏輯單元logic的第二使能輸入端用于輸入線性穩壓信號LDO15_PDN； 所述的外部數字邏輯單元logic的第一使能輸出端用于通過所述的中央處理器CPU向所述的第二低壓差線性穩壓單元LDOB輸入第一邏輯控制信號PDN； 所述的外部數字邏輯單元logic的第二使能輸出端用于通過所述的中央處理器CPU向所述的第一低壓差線性穩壓單元LDOA輸入第二邏輯控制信號STANDBY； 所述的第一低壓差線性穩壓單元LDOA包括： 運算放大器AMP，所述的運算放大器AMP的第一端用于接收帶隙基準電路BGR輸出的第一基準電壓VBG； 第三PMOS場效應管mp3，所述的第三PMOS場效應管mp3的柵極與所述的運算放大器AMP的輸出端相連接，所述的第三PMOS場效應管mp3的漏極用于接入電源電壓VDDD50； 第一可調電阻R1以及第二電阻R2； 所述的第二電阻R2設置在所述的運算放大器AMP的第二端以及所述的第三PMOS場效應管mp3的源極之間；所述的第一可調電阻R1設置在所述的第二電阻R2與地之間； 所述的第二低壓差線性穩壓單元LDOB包括： 第一PMOS場效應管mp1，所述的第一PMOS場效應管mp1的柵極用于接入所述的第一邏輯控制信號PDN，所述的第一PMOS場效應管mp1的漏極用于輸出偏置電流IBIAS0； 第二PMOS場效應管mp2，所述的第二PMOS場效應管mp2的柵極接地，所述的第二PMOS場效應管mp2的漏極用于接入電源電壓VDDD50； 第二NMOS場效應管mn2，所述的第二NMOS場效應管mn2的柵極與漏極均與所述的第一PMOS場效應管mp1的源極相連接； 第一NMOS場效應管mn1，所述的第一NMOS場效應管mn1的柵極與漏極均與所述的第二NMOS場效應管mn2的源極相連接；以及 第三NMOS場效應管Native_mn3，所述的第三NMOS場效應管Native_mn3的漏極與所述的第二PMOS場效應管mp2的源極相連接，所述的第三NMOS場效應管Native_mn3的柵極與所述的第二NMOS場效應管mn2的柵極與漏極相連接，且所述的第三NMOS場效應管Native_mn3的源極設置在所述的第三PMOS場效應管mp3與第二電阻R2之間。

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