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龍圖騰網(wǎng)獲悉愛思開海力士有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115207025B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210193307.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B63/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由李范錫;李元俊;洪錫滿設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-01向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件可以包括：每一個(gè)都在第一方向上延伸的第一行線；每一個(gè)都在與第一方向交叉的第二方向上延伸的列線；每一個(gè)都在第一方向上延伸的第二行線；分別耦接在第一行線和列線之間的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元，該多個(gè)第一存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)包括第一可變電阻層以及位于第一可變電阻層與第一行線中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)第一行線之間的第一介電層；以及分別耦接在第二行線和列線之間的多個(gè)第二存儲(chǔ)單元，該多個(gè)第二存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)包括第二可變電阻層以及位于第二可變電阻層與第二行線中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)第二行線之間的第二介電層。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 每一個(gè)都在第一方向上延伸的第一行線； 每一個(gè)都在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的列線； 每一個(gè)都在所述第一方向上延伸的第二行線； 分別耦接在所述第一行線和所述列線之間的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)包括第一可變電阻層以及位于所述第一可變電阻層與所述第一行線中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)第一行線之間的第一電極；以及 分別耦接在所述第二行線和所述列線之間的多個(gè)第二存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)第二存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)包括第二可變電阻層以及位于所述第二可變電阻層與所述第二行線中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)第二行線之間的第一電極， 其中，所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元中的每個(gè)第一存儲(chǔ)單元的所述第一電極、所述多個(gè)第二存儲(chǔ)單元中的每個(gè)第二存儲(chǔ)單元的所述第一電極或兩者都包括第一部分和第二部分，所述第二部分的氮濃度高于所述第一部分的氮濃度，并且所述第二部分設(shè)置在所述第一部分與所述第一可變電阻層和所述第二可變電阻層中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)之間。

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