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龍圖騰網獲悉飛尼科斯(蘇州)電子有限公司申請的專利一種倒裝LED芯片及其生產工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114784175B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210634900.6，技術領域涉及：H10H20/857；該發明授權一種倒裝LED芯片及其生產工藝是由薛諄;薛齡設計研發完成，并于2022-06-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種倒裝LED芯片及其生產工藝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種倒裝LED芯片及其生產工藝，包括基板，基板的頂部內嵌有n極導電板和p極導電板，n極導電板的頂部焊接有定位框一，p極導電板的頂部焊接有定位框二，基板的頂部設置有p型氮化鎵層，p型氮化鎵層的底部外壁設置有n型氮化鎵層，n型氮化鎵層的底部外壁設置有n電極，n型氮化鎵層位于定位框一的內部，定位框一和定位框二的內部設置有焊接料。本發明通過向定位框一和定位框二內部進行添加焊接料，并對焊接料融化后與n極導電板和p極導電板進行焊接，使得倒裝LED芯片的電極接觸面增大，提高倒裝LED芯片的導熱效果。

本發明授權一種倒裝LED芯片及其生產工藝在權利要求書中公布了：1.一種倒裝LED芯片，包括基板（1），其特征在于，所述基板（1）的頂部內嵌有n極導電板（9）和p極導電板（16），所述n極導電板（9）的頂部焊接有定位框一（10），所述p極導電板（16）的頂部焊接有定位框二（15），所述基板（1）的頂部設置有p型氮化鎵層（2），所述p型氮化鎵層（2）的底部外壁設置有n型氮化鎵層（7），所述n型氮化鎵層（7）的底部外壁設置有n電極（3），所述n型氮化鎵層（7）位于定位框一（10）的內部，所述定位框一（10）和定位框二（15）的內部設置有焊接料（14）； 所述p型氮化鎵層（2）的底部外壁設置有p電極（12），所述p電極（12）位于定位框二（15）的內部，所述p電極（12）通過焊接料（14）與定位框二（15）焊接； 所述p型氮化鎵層（2）的頂部外壁設置有藍寶石層（4），所述藍寶石層（4）的頂部外壁設置有防腐蝕層（5）； 所述p型氮化鎵層（2）和n型氮化鎵層（7）之間設置有量子阱層（6），所述量子阱層（6）的厚度為8-20nm； 所述n電極（3）和p電極（12）的底部外壁均焊接有導體連接腳（8），所述導體連接腳（8）的底端一體成型有擋片（17）； 所述基板（1）的底部外壁一體成型有均勻分布的散熱板（11），相鄰的兩個所述散熱板（11）之間設置有散熱間隙（13）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人飛尼科斯(蘇州)電子有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳中區胥口鎮新峰路269號20#-01；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。