NANO科技(北京)有限公司劉亞東獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉NANO科技(北京)有限公司申請的專利一種電極傳輸線及包含有該電極傳輸線的硅基電光調制器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114994962B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210667833.8,技術領域涉及:G02F1/035;該發明授權一種電極傳輸線及包含有該電極傳輸線的硅基電光調制器是由劉亞東;蔡鵬飛設計研發完成,并于2022-06-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電極傳輸線及包含有該電極傳輸線的硅基電光調制器在說明書摘要公布了:本發明公開一種電極傳輸線,包括:至少兩層金屬層,且相鄰金屬層中對應位置的金屬電極的兩側通過通孔進行電學接觸,形成矩形框體狀的電極結構。本發明還公開一種包含有該電極傳輸線的硅基電光調制器。在完全兼容現行CMOS制作工藝的條件下,本發明的結構設計優化了電極傳輸線的電學帶寬,進而提升調制器的電學帶寬,從而提高了調制器的電光帶寬,因此可適應更高調制速率的使用場景;多層金屬層的結構設計可增大電極傳輸線的截面面積,從而改善電極傳輸線的直流電流承受能力;本發明形成的矩形框體狀的電極結構可減弱趨膚效應對高頻電學信號的影響。
本發明授權一種電極傳輸線及包含有該電極傳輸線的硅基電光調制器在權利要求書中公布了:1.一種電極傳輸線,其特征在于,包括:至少兩層金屬層,且每層金屬層由若干金屬電極組成,且相鄰金屬層中對應位置的金屬電極沿寬度方向的兩側通過通孔進行電學接觸,形成電極結構,且所述電極結構在寬度方向的橫向截面呈矩形框體狀。
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