上海唐鋒能源科技有限公司朱鳳鵑獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海唐鋒能源科技有限公司申請的專利一種膜電極結構封裝方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115472879B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211011860.6,技術領域涉及:H01M8/1004;該發明授權一種膜電極結構封裝方法是由朱鳳鵑;王昭暉;陳偉;陶亮亮;王一鑫設計研發完成,并于2022-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種膜電極結構封裝方法在說明書摘要公布了:本發明屬于燃燒電極領域,具體涉及一種膜電極結構封裝方法,所述膜電極封裝結構中的CCM位于帶凹陷的單層大邊框內,且通過單層大邊框和帶膠層小邊框的上下夾持,固定在單層大邊框內,將CCM完全固定,所述單層大邊框上層設置陽極氣體擴散層,下層設置陰極氣體擴散層。本發明解決了現有封裝技術的缺陷,在生產過程中減少了部分定位工裝的使用,有效的降低了工藝難度與繁瑣度,同時利用較厚大邊框大大降低了邊框氣泡和褶皺的產生。
本發明授權一種膜電極結構封裝方法在權利要求書中公布了:1.一種膜電極結構封裝方法,其特征在于:包括: 步驟1,利用質子交換膜、陽極催化劑層和陰極催化層制備CCM;使用模具直接壓制出帶凹陷的單層大邊框;使用模具直接裁剪出一片帶膠層小邊框;裁剪出陰極氣體擴散層和陽極氣體擴散層; 步驟2,將CCM放置在單層大邊框內,并在CCM上放置帶膠層小邊框,熱壓在一起,形成大邊框,所述熱壓時間為0.1-0.3min,壓力為0.5-0.8MPa,溫度為120-130℃; 步驟3,將大邊框上下表面放置陰極氣體擴散層和陽極氣體擴散層,且所述陽極氣體擴散層位于帶膠層小邊框上面,得到膜電極封裝結構; 所述CCM與陽極氣體擴散層和陰極氣體擴散層間均存在縫隙層,陽極氣體擴散層與CCM間形成穩定的陽極縫隙層,所述陰極氣體擴散層與CCM間形成穩定的陰極縫隙層,縫隙層的厚度為小邊框的厚度; 所述小邊框上表面與單層大邊框上表面齊平。
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