江西圓融光電科技有限公司楊天鵬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西圓融光電科技有限公司申請的專利一種LED芯片及其刻蝕方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115663075B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211151838.1,技術領域涉及:H10H20/01;該發明授權一種LED芯片及其刻蝕方法是由楊天鵬;楊建國;卜浩禮;康建;鄒浩洪;周榮設計研發完成,并于2022-09-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種LED芯片及其刻蝕方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種LED芯片及其刻蝕方法,涉及LED照明技術領域。LED芯片的刻蝕方法包括以下步驟:S1、提供芯片襯底;S2、在S1中襯底外延層上設置電流阻擋層、金屬導電層、電流拓展層和鈍化層;S3、對S2中的初次刻蝕產物去除刻蝕膠;S4、對正性光刻膠和負性光刻膠分別進行光刻處理。通過進行n次刻蝕實現對LED芯片進行深刻蝕的同時,能夠有規律的進行蝕刻工作,從而能夠避免出現加工過程錯亂的現象,使得能夠提升刻蝕的加工效率;通過多次進行刻蝕,使得加工生產出的LED芯片的界面更加的平整,且通過等離子清洗機的清洗,能夠避免LED芯片有漏電的可能,進一步的能夠提升LED芯片的良品率,能夠提升LED芯片生產的良品率。
本發明授權一種LED芯片及其刻蝕方法在權利要求書中公布了:1.一種LED芯片的刻蝕方法,其特征在于:所述LED芯片的刻蝕方法包括以下步驟: S1、提供芯片襯底,在所述襯底上噴涂外延層; S2、在S1中襯底外延層上設置電流阻擋層、金屬導電層、電流拓展層和鈍化層,并進行淹膜Si02層的沉積,對所述鈍化層進行初次刻蝕,得初次刻蝕產物; S3、對S2中的初次刻蝕產物去除刻蝕膠,并對外延層遠離襯底一側旋涂抹正性光刻膠,對所述正性光刻膠進行曝光、顯影和豎膜操作,對外延層靠近襯底一側旋涂抹負性光刻膠,對所述負性光刻膠進行曝光、顯影和豎膜操作; S4、對正性光刻膠和負性光刻膠分別進行光刻處理,并露出透明導電層的待刻蝕區域,對所述待刻蝕區域進行等離子清潔處理,并進行n次刻蝕,n從1開始且為整數,按照從第1次刻蝕至第n次刻蝕的順序進行刻蝕,且每次刻蝕的溫度與n呈正比例關系,每次刻蝕的中刻蝕液的濃度與n呈負比例關系; 所述刻蝕的溫度為42-82攝氏度; 所述刻蝕液的濃度為1.2*10-6mloL-3.5*10-6mloL; 所述n次刻蝕的過程中,任意相鄰的兩次刻蝕中后一次所用的刻蝕液濃度是前一次刻蝕所用的刻蝕液濃度的0.65-0.75倍,所述n次刻蝕的過程中任意相鄰的兩次刻蝕中的刻蝕時間均相同; 所述n次刻蝕的過程中,任意相鄰的兩次刻蝕中后一次所用的刻蝕溫度是前一次刻蝕所用的刻蝕溫度的1.0125-1.15倍。
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