中國科學院微電子研究所李永亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115548016B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211329278.4，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權一種半導體器件及其制造方法是由李永亮;賈曉峰設計研發完成，并于2022-10-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域，用于在半導體器件包括的至少兩個晶體管具有的閾值電壓的絕對值不同的情況下，降低該半導體器件的制造難度。所述半導體器件包括：半導體基底、第一環柵晶體管和第二環柵晶體管。沿平行于第一環柵晶體管包括的第一柵堆疊結構的寬度方向，第一環柵晶體管包括的第一溝道區具有至少兩列間隔設置的第一溝道部。沿平行于第二環柵晶體管包括的第二柵堆疊結構的寬度方向，第二環柵晶體管包括的第二溝道區具有至少兩列間隔設置的第二溝道部。相鄰兩列第二溝道部的間距不同于相鄰兩列第一溝道部的間距。第二溝道區中至少一列第二溝道部的寬度不同于第一溝道區中至少一列第一溝道部的寬度。
本發明授權一種半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 半導體基底；沿平行于半導體基底表面的方向，所述半導體基底包括第一區域和第二區域； 第一環柵晶體管，形成在所述第一區域上；沿平行于所述第一環柵晶體管包括的第一柵堆疊結構的寬度方向，所述第一環柵晶體管包括的第一溝道區具有至少兩列間隔設置的第一溝道部； 第二環柵晶體管，形成在所述第二區域上；沿平行于所述第二環柵晶體管包括的第二柵堆疊結構的寬度方向，所述第二環柵晶體管包括的第二溝道區具有至少兩列間隔設置的第二溝道部；相鄰兩列所述第二溝道部的間距不同于相鄰兩列所述第一溝道部的間距；所述第二溝道區中至少一列所述第二溝道部的寬度不同于所述第一溝道區中至少一列第一溝道部的寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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